用于生產保形元件的方法、保形元件及其用途技術

本發明專利技術涉及用于在結構上生產至少部分導電的或半導電的元件的方法，其中元件包括一個或多個層，方法包括以下步驟：a)形成包括一個或多個層的可成形元件，其中至少一個層包含高縱橫比分子結構(HARM結構)的網絡，其中HARM結構是導電的或半導電的，以及b)通過將可成形元件壓制和/或真空密封在結構的三維表面上將可成形元件以保形的方式布置到結構上，以生產包括一個或多個層的保形的并且至少部分導電的或半導電的元件，其中至少一個層包含在結構的三維表面上的HARM結構的網絡。此外，本發明專利技術涉及保形元件及其用途。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：大衛·P·布朗，
申請(專利權)人：卡納圖有限公司，
類型：
國別省市：