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本發明涉及用于在結構上生產至少部分導電的或半導電的元件的方法，其中元件包括一個或多個層，方法包括以下步驟：a)形成包括一個或多個層的可成形元件，其中至少一個層包含高縱橫比分子結構(HARM結構)的網絡，其中HARM結構是導電的或半導電的，以...
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