沉積源及包括這種沉積源的沉積設備制造技術

本發明專利技術提供一種沉積源及包括這種沉積源的沉積設備。所述沉積源包括：摻雜劑蒸發源；第一宿主蒸發源，包括位于所述摻雜劑蒸發源的一側的第一蒸發源單元和位于所述摻雜劑蒸發源的另一側的第二蒸發源單元；以及第二宿主蒸發源，包括位于所述摻雜劑蒸發源的所述一側且與所述第一蒸發源單元平行布置的第三蒸發源單元，和位于所述摻雜劑蒸發源的所述另一側且與所述第二蒸發源單元平行布置的第四蒸發源單元。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術實施例的多個方面涉及一種沉積源和包括這種沉積源的沉積設備。
技術介紹
為形成用于電子裝置中的精細薄膜，采用了多種方法。尤其是，平板顯示裝置通過形成多個薄膜制造而成，因此改善薄膜的特性尤為重要。在平板顯示裝置當中，有機發光顯示裝置由于相比于其它平板顯示裝置具有諸如大視角、高對比度以及快響應速度的優點，而被視為下一代顯示裝置。在有機發光顯示裝置中，發射可見光的有機發光層和接近有機發光層的有機層通過利用各種方法形成。尤其是，真空沉積方法由于其簡單的工藝而經常被使用。在真空沉積方法中，將粉狀或固態的沉積材料填充到熔爐中，并通過對熔爐進行加熱而在期望的區域上形成沉積膜。
技術實現思路
根據本專利技術實施例的多個方面，沉積源能夠提高宿主材料和摻雜劑材料的真空沉積區域的均勻性以及宿主材料和摻雜劑材料的真空沉積率，并且沉積設備包括這種沉積源。根據本專利技術實施例，一種沉積源包括摻雜劑蒸發源；第一宿主蒸發源，包括位于所述摻雜劑蒸發源的一側的第一蒸發源單元和位于所述摻雜劑蒸發源的另一側的第二蒸發源單元；以及第二宿主蒸發源，包括位于所述摻雜劑蒸發源的所述一側且與所述第一蒸發源單元平行布置的第三蒸發源單元，和位于所述摻雜劑蒸發源的所述另一側且與所述第二蒸發源單元平行布置的第四蒸發源單元。所述摻雜劑蒸發源可包括線性蒸發源。所述線性蒸發源的多個噴嘴被布置的方向與所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元被布置的方向可彼此交叉。所述線性蒸發源的所述多個噴嘴被布置的方向與所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元被布置的方向可彼此垂直。所述摻雜劑蒸發源可包括點狀源。所述摻雜劑蒸發源可包括位于所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元之間的第一點狀源；以及位于所述第三蒸發源單元和所述第四蒸發源單元之間的第二點狀源。所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元可關于所述摻雜劑蒸發源彼此對稱。所述第三蒸發源單元和所述第四蒸發源單元可關于所述摻雜劑蒸發源彼此對稱。所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元可包括線性蒸發源。所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元中的每一個均可包括沿與所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元被布置的方向相同的方向而布置的多個噴嘴。所述第三蒸發源單元和所述第四蒸發源單元中的每一個均可包括沿與所述第三蒸發源單元和所述第四蒸發源單元被布置的方向相同的方向而布置的多個噴嘴。所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元被布置的方向與所述第三蒸發源單元和所述第四蒸發源單元被布置的方向可彼此平行。所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元可具有相同的尺寸和形狀。 所述第三蒸發源單元和所述第四蒸發源單元可具有相同的尺寸和形狀。所述第一宿主蒸發源可進一步包括環繞所述第一蒸發源單元的第一坩堝和所述 第二蒸發源單元的第二坩堝的第一加熱單元，所述第一加熱單元被配置為對所述第一坩堝和所述第二坩堝進行加熱。所述第二宿主蒸發源可進一步包括環繞所述第三蒸發源單元的第三坩堝和所述第四蒸發源單元的第四坩堝的第二加熱單元，所述第二加熱單元被配置為對所述第三坩堝和所述第四坩堝進行加熱。所述第一宿主蒸發源可進一步包括環繞所述第一蒸發源單元的第一坩堝且被配置為對所述第一坩堝進行加熱的第一加熱單元，和環繞所述第二蒸發源單元的第二坩堝且被配置為對所述第二坩堝進行加熱的第二加熱單元。所述第二宿主蒸發源可進一步包括環繞所述第三蒸發源單元的第三坩堝且被配置為對所述第三坩堝進行加熱的第三加熱單元，和環繞所述第四蒸發源單元的第四坩堝且被配置為對所述第四坩堝進行加熱的第四加熱單元。根據本專利技術另一個實施例，一種沉積設備包括室和用于將沉積材料沉積到被傳送至所述室內的沉積目標材料上的沉積源，且所述沉積源包括摻雜劑蒸發源；第一宿主蒸發源，包括位于所述摻雜劑蒸發源的一側的第一蒸發源單元和位于所述摻雜劑蒸發源的另一側的第二蒸發源單元；以及第二宿主蒸發源，包括位于所述摻雜劑蒸發源的所述一側且與所述第一蒸發源單元平行布置的第三蒸發源單元，和位于所述摻雜劑蒸發源的所述另一側且與所述第二蒸發源單元平行布置的第四蒸發源單元。所述摻雜劑蒸發源可包括線性蒸發源。所述摻雜劑蒸發源可包括位于所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元之間的第一點狀源；以及位于所述第三蒸發源單元和所述第四蒸發源單元之間的第二點狀源。所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元可關于所述摻雜劑蒸發源彼此對稱，并且所述第三蒸發源單元和所述第四蒸發源單元可關于所述摻雜劑蒸發源彼此對稱。所述第一蒸發源單元和所述第二蒸發源單元可包括線性蒸發源。附圖說明通過參照附圖進一步詳細地描述本專利技術的某些示例性實施例，本專利技術的上述和其它特征和方面將變得更加明顯，在附圖中圖I是根據本專利技術實施例的包括沉積源的沉積設備的示意性主視圖；圖2是圖I中的沉積設備的示意性側視圖3是根據本專利技術實施例的圖I中的沉積源的平面圖；圖4是根據本專利技術另一個實施例的沉積源的平面圖；圖5是根據本專利技術另一個實施例的沉積源的平面圖；以及圖6是根據本專利技術另一個實施例的沉積源的平面圖。具體實施例方式在下文中將參照附圖更充分地描述本專利技術的某些示例性實施例；然而，本專利技術的實施例可以采用不同的形式來具體實現，而不應當被解釋為限于這里所闡述和列舉的示例性實施例。更確切地說，以示例方式提供這些示例性實施例是為了理解本專利技術，并且向本領域技術人員傳達本專利技術的范圍。本領域技術人員應當認識到，可以以均不背離本專利技術的精 神或范圍的各種方式修改所描述的實施例。圖I是根據本專利技術實施例的包括沉積源100的沉積設備1000的示意性主視圖。圖2是圖I所示的沉積設備1000的示意側視圖。例如，圖2可為沉積設備1000的左側視圖或右側視圖。參照圖I和圖2，根據本專利技術實施例，沉積設備1000包括基板20和位于室10中的沉積源100。為了維持真空或低壓狀態，一個或多個泵(未示出)可被連接至室10。而且，一個或多個進口和/或出口(未示出)可形成于室10的側面上，使得基板20可被移入室10中或從室10中移出。基板20是即將在其上沉積期望材料的目標，且可被夾具或支撐物固定。在將基板20固定之后，可執行沉積工藝。沉積源100被布置為面向室10中的基板20。沉積源100可沿基板20的長度方向線性延伸。雖然如圖I所示，沉積源100沿一個方向線性延伸，但如圖2所示，沉積源100的沿另一個方向的寬度小于基板20的長度。由于沉積源100沿一個方向線性延伸，因此沉積源100可移動，以使材料沉積在基板20的整個表面上。在一個實施例中，如圖2所示，沿一個方向或多個方向移動的移動單元30被置于沉積源100之下。由于移動單元30，沉積源100可直線移動，且均勻地或基本均勻地將材料沉積在基板20上。圖3是根據本專利技術實施例的圖I中的沉積源100的平面圖。沉積源100包括第一宿主蒸發源110、第二宿主蒸發源130以及摻雜劑蒸發源150。第一宿主蒸發源110蒸發第一宿主材料。第二宿主蒸發源130蒸發第二宿主材料。摻雜劑蒸發源150蒸發摻雜劑材料。第一宿主蒸發源110可包括第一蒸發源單元IlOa和第二蒸發源單元110b。第一蒸發源單元IlOa可包括坩堝111和第一加熱單元113。第二蒸發源單元IlOb可包括坩堝121和第一加熱單元113。坩堝111和121填充有用于沉積的沉積材料。在一本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種沉積源，包括：摻雜劑蒸發源；第一宿主蒸發源，包括位于所述摻雜劑蒸發源的一側的第一蒸發源單元和位于所述摻雜劑蒸發源的另一側的第二蒸發源單元；以及第二宿主蒸發源，包括位于所述摻雜劑蒸發源的所述一側且與所述第一蒸發源單元平行布置的第三蒸發源單元，和位于所述摻雜劑蒸發源的所述另一側且與所述第二蒸發源單元平行布置的第四蒸發源單元。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：李鐘禹，曹永秀，
申請(專利權)人：三星顯示有限公司，
類型：發明
國別省市：