陶瓷基片雙面光刻結構制造技術

本實用新型專利技術公開了一種陶瓷基片雙面光刻結構，該雙面光刻結構包括一支撐框架，支撐框架的上端設有上掩模板，支撐框架的下端設有下掩模板，上掩模板的上方及下掩模板的下方各設有一曝光裝置，上掩模板、下掩模板之間設有一陶瓷基片支撐架，陶瓷基片支撐架上設有陶瓷基片，上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應。該陶瓷基片雙面光刻結構在陶瓷基片的上方、下方同時設置掩模板，通過上下兩個曝光裝置同時對陶瓷基片的上下表面進行曝光，這樣就可保證陶瓷基片上下表面金屬圖形的位置絕對吻合，不會出現偏移，從而可有效保證陶瓷基片的質量，提高產品的合格率，采用這種方式還可有效提高生產效率，降低企業生產成本。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種光刻工藝，特別涉及一種在陶瓷基片上下兩面進行光刻的光刻結構。
技術介紹
現代微電子技術發展異常迅猛，特別是各種光電子器件逐漸在向微型化、大規模集成化、高效率、高可靠性等方向發展。但隨著電子系統集成度的提高，其功率密度隨之增力口，電子元件及系統整體工作產生熱量上升、系統工作溫度升高會引起半導體器件性能惡化、器件破壞、分層等，甚至會使封裝的芯片燒毀，因此有效的電子封裝必須解決電子系統的散熱問題。電子封裝所用的基片是一種底座電子元件，主要為電子元器件及其相互聯線提供·機械承載支撐、氣密性保護并可作為熱沉過渡片給芯片散熱。陶瓷基片具有耐高溫、電絕緣性能高、介電常數和介質損耗低、熱導率大、化學穩定性好、與元件的熱膨脹系數相近等優點，并可對光電子器件起到較強的保護作用，因而在航空、航天和軍事工程等領域都得到了非常廣泛的應用。在芯片的封裝過程中，通常需要在基片的表面進行金屬化布線形成金屬圖形，以便連接電子元器件。隨著電子器件向小型化、微型化的方向發展，陶瓷基片的上下表面通常都需要進行金屬化布線。目前常用的方式就先先在陶瓷基片的上表面上進行金屬化布線，然后再反轉該陶瓷基片，在其下表面進行金屬布線，采用這種方式存在一個缺點，就是在陶瓷基片反轉的過程中容易出現位置偏移，這樣就會使陶瓷基片的上下表面的金屬圖形出現偏差，進而會多產品的質量造成影響，往往會產生大量的不良品，產品合格率較低，企業的生產成本較聞。
技術實現思路
針對上述現有技術的不足，本技術要解決的技術問題是提供一種能同時對陶瓷基片進行雙面光刻的光刻工藝。為解決上述技術問題，本技術采用如下技術方案本技術還公開了一種陶瓷基片雙面光刻結構，該雙面光刻結構包括一支撐框架，所述支撐框架的上端設有上掩模板，所述支撐框架的下端設有下掩模板，所述上掩模板的上方及所述下掩模板的下方各設有一曝光裝置，所述上掩模板、下掩模板之間設有一陶瓷基片支撐架，所述陶瓷基片支撐架上設有陶瓷基片，所述上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應。優選地，所述陶瓷基片支撐架兩側各設有一導軌，所述導軌固定在所述支撐框架上，所述陶瓷基片支撐架與所述導軌滑動配合。優選地，所述支撐框架設有用于對陶瓷基片支撐架進行限位的限位機構。上述技術方案具有如下有益效果該陶瓷基片雙面光刻結構在陶瓷基片的上方、下方同時設置掩模板，并使上下掩模板與陶瓷基片的中心位置相對，然后通過上下兩個曝光裝置同時對陶瓷基片的上下表面進行曝光，這樣就可保證陶瓷基片上下表面金屬圖形的位置絕對吻合，不會出現偏移，從而可有效保證陶瓷基片的質量，提高產品的合格率，采用這種方式還可有效提高生產效率，降低企業生產成本。上述說明僅是本技術技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本技術的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本技術的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本技術的具體實施方式由以下實施例及其附圖詳細給出。附圖說明圖I為本技術雙面光刻結構實施例的結構框圖。具體實施方式以下結合附圖對本技術的優選實施例進行詳細介紹。如圖I所示，該雙面光刻結構包括一支撐框架1，支撐框架I的上端設有上掩模板2，支撐框架I的下端設有下掩模板3，上掩模板2、下掩模板3分別根據陶瓷基片上下表面金屬圖形要求制成。上掩模板2的上方設有一曝光裝置4，下掩模板3的下方設有一曝光裝置5。在上掩模板2、下掩模板3之間還設有一陶瓷基片支撐架7，陶瓷基片支撐架7 —般位于支撐框架I的中間位置，陶瓷基片支撐架7上設有陶瓷基片6，上掩模板2、陶瓷基片6、下掩模板3三者的中心位置應上下對應。為了方便陶瓷基片的更換，陶瓷基片支撐架7的兩側各設有一導軌，導軌固定在支撐框架I上，陶瓷基片支撐架7與導軌滑動配合，這樣每次更換陶瓷基片時只需將陶瓷基片支撐架7沿導軌向外抽出即可進行更換，更換完成后可將陶瓷基片支撐架7沿導軌重新插入即可。為了便于定位，支撐框架I設有限位機構，該限位機構用于對陶瓷基片支撐架進行限位的，只要能保證上掩模板2、陶瓷基片6、下掩模板3三者的中心位置上下對應，限位機構可米用多種形式。采用該雙面光刻結構對陶瓷基片進行雙面光刻時，可首先根據陶瓷基片上下表面金屬圖形要求制作相應的上掩模板2和下掩模板3，并將其固定在支撐框架I上。然后對陶瓷基片6進行雙面濺渡，并在陶瓷基片6的上下表面上均涂布上光刻膠，涂布刻光膠時首先將其滴在陶瓷基片上，然后使陶瓷基片高速旋轉，這樣就可使光刻膠均勻的涂布在陶瓷基片上。接著將涂布好刻光膠的陶瓷基片6安裝在陶瓷基片支撐架7上，并調整陶瓷基片支撐架7的位置，使上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應。接著通過上下兩個曝光裝置4、5分別對陶瓷基片的上下表面進行曝光處理，再對曝光后的陶瓷基片進行顯影處理，顯影處理完成后采用等離子清洗方法清洗陶瓷基片，進而在清洗后的陶瓷基片表面鍍金屬層，陶瓷基片表面鍍的金屬層為黃金層、鉬金層或鈦金屬層，陶瓷基片表面鍍的金屬層可以為一層或多層，最后將鍍金屬層的陶瓷基片使用丙酮溶液進行清洗，清洗掉光刻膠，陶瓷基片上下表面即可形成金屬圖形。該陶瓷基片雙面光刻方法在陶瓷基片的上方、下方同時設置掩模板，并使上下掩模板與陶瓷基片的中心位置相對，然后通過上下兩個曝光裝置同時對陶瓷基片的上下表面進行曝光，這樣就可保證陶瓷基片上下表面金屬圖形的位置絕對吻合，不會出現偏移，從而可有效保證陶瓷基片的質量，提高產品的合格率，采用這種方式還可有效提高生產效率，降低企業生產成本。以上對本技術實施例所提供的陶瓷基片雙面光刻結構進行了詳細介紹，對于 本領域的一般技術人員，依據本技術實施例的思想，在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本技術的限制，凡依本技術設計思想所做的任何改變都在本技術的保護范圍之內。權利要求1.一種陶瓷基片雙面光刻結構，其特征在于其包括一支撐框架，所述支撐框架的上端設有上掩模板，所述支撐框架的下端設有下掩模板，所述上掩模板的上方及所述下掩模板的下方各設有一曝光裝置，所述上掩模板、下掩模板之間設有一陶瓷基片支撐架，所述陶瓷基片支撐架上設有陶瓷基片，所述上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應。2.根據權利要求I所述的陶瓷基片雙面光刻結構，其特征在于所述陶瓷基片支撐架兩側各設有一導軌，所述導軌固定在所述支撐框架上，所述陶瓷基片支撐架與所述導軌滑動配合。3.根據權利要求I所述的陶瓷基片雙面光刻結構，其特征在于所述支撐框架設有用于對陶瓷基片支撐架進行限位的限位機構。專利摘要本技術公開了一種陶瓷基片雙面光刻結構，該雙面光刻結構包括一支撐框架，支撐框架的上端設有上掩模板，支撐框架的下端設有下掩模板，上掩模板的上方及下掩模板的下方各設有一曝光裝置，上掩模板、下掩模板之間設有一陶瓷基片支撐架，陶瓷基片支撐架上設有陶瓷基片，上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應。該陶瓷基片雙面光刻結構在陶瓷基片的上方、下方同時設置掩模板，通過上下兩個曝光裝置同時對陶瓷基片的上下表面進行曝光，這樣就可保證陶瓷基片上下表面金屬圖形的位置絕對吻合，不會出現偏移，從而可有效保證陶瓷基片的質量，提高產品的合格率，采用這種方式還可有本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種陶瓷基片雙面光刻結構，其特征在于：其包括一支撐框架，所述支撐框架的上端設有上掩模板，所述支撐框架的下端設有下掩模板，所述上掩模板的上方及所述下掩模板的下方各設有一曝光裝置，所述上掩模板、下掩模板之間設有一陶瓷基片支撐架，所述陶瓷基片支撐架上設有陶瓷基片，所述上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下對應。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉毅楠，
申請(專利權)人：劉毅楠，
類型：實用新型
國別省市：