菲咯啉衍生物化合物制造技術

本發明專利技術的目的在于提供一種新的菲咯啉衍生物化合物及其制造方法、以及使用此的電子傳輸性材料、發光元件、發光器件及電子設備。該菲咯啉衍生物化合物表示為下述通式1。(注意,在通式1中,Ar1表示芳基,優選為取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、或取代或未取代的菲基)注意,作為優選的化合物,例如可以舉出TMPBP、NaBP及PBP等。在發光元件、發光器件及電子設備中,優選所述化合物含于其發光層。在此情況下,優選利用所述化合物作為主體。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種新的菲咯啉衍生物化合物及其制造方法。而且，本專利技術還涉及利用此的電子傳輸性材料、發光元件、發光器件及電子設備。更詳細地說，本專利技術涉及一種具有優良的電子傳輸性且不容易產生晶化，結果可以使元件持久耐用，因此適用于發光元件的新的菲咯啉衍生物化合物及其制造方法，并且還涉及利用此的電子傳輸性材料、發光元件、發光器件及電子設備。
技術介紹
近年來，對于利用發光有機化合物的稱作電致發光元件的發光元件的研究開發成為一個熱點。該發光元件也稱作有機EL元件，其基本結構如下在一對電極之間夾有包含發光有機化合物的層。通過將電壓施加到該元件中，電子及空穴分別從一對電極注入到包含發光有機化合物的層中，以使得電流流過。然后，通過這些載流子(電子及空穴)的重新結合，發光有機化合物產生激發態。發光是當該激發態回到基態時發生的。作為其具體的結構，典型的是附圖說明圖12及圖13所示的結構。圖12所示的結構如下在金屬電極I即陰極和透明電極2即陽極之間層疊有熒光體薄膜(發光層)3及空穴傳輸層4，這種兩層結構。此外，圖13所示的結構如下在金屬電極I和透明電極2之間層疊有電子傳輸層5、發光層3及空穴傳輸層4，這種三層結構。在此，空穴傳輸層4具有兩種功能，即，使空穴容易從陽極注入的功能和阻擋電子的功能。電子傳輸層5具有使電子容易從陰極注入的功能。在利用了該發光有機化合物的發光元件中，玻璃襯底6設置在透明電極2的與空穴傳輸層4相反一側，由從金屬電極I注入的電子和從透明電極2注入的空穴的重新結合而產生激子，該激子在輻射去活化的過程中發射光，該光通過透明電極2及玻璃襯底6發射到外部，以產生發光。由于具有這樣的機構，所述發光元件也稱作電流激發型的發光元件。注意，作為由有機化合物形成的激發態的種類，可以為單態激發態和三重態激發態，并且來自單態激發態的發光稱作熒光，來自三重態激發態的發光稱作磷光。在該發光元件中，除了發光有機化合物當然用于發光層之外，具有適當性質的有機化合物也分別用于空穴傳輸層及電子傳輸層。例如，電子傳輸性有機化合物用于電子傳輸層，作為具有該性質的有機化合物，已提出了菲咯啉及其衍生物等的各種材料(參照專利文獻I)。[專利文獻I]專利第3562652號公號在這種情況下，本申請人努力研究開發使用了該發光有機化合物的發光元件，在該研究中，本專利技術人努力研究開發用于發光元件的各種有機化合物。
技術實現思路
鑒于這種情況，本專利技術人著眼于菲咯啉衍生物的特性而調查其性質，結果發現菲咯啉衍生物具有優良的電子傳輸性，可以提供初始特性優良的元件。此外，還發現菲咯啉骨架本身具有大帶隙，所以還具有作為空穴阻擋層的優良特性。如上所述那樣，菲咯啉衍生物具有優良特性。然而，根據本專利技術人的調查，已知的菲咯啉衍生物具有結晶性高的缺點，由此在元件中產生結晶化，結果使發光元件的壽命變短。本專利技術人經過努力研究，開發出克服了上述缺點的新的菲咯啉衍生物，即，本專利技術的菲咯啉衍生物化合物。因此，本專利技術的目的在于提供一種克服了所述缺點的新的菲咯啉衍生物及其制造方法。換言之，本專利技術的目的在于提供一種新的菲咯啉衍生物及其制造方法，其中由于結晶性低所以元件中不容易產生晶化，因而使得發光元件的壽命可以變長。此外，本專利技術的目的在于提供一種發光元件，其與已知的菲咯啉衍生物同樣具有優良的電子傳輸性、優良的初始特性，并且本專利技術還提供一種新的菲咯啉衍生物，其具有菲咯啉骨架及大帶隙，所以即使當用作空穴傳輸層或空穴阻擋層時，也具有優良的特性。此外，本專利技術的目的在于提供一種利用了具有該優良特性的菲咯啉衍生物的電子傳輸性材料、發光元件、發光器件及電子設備。本專利技術提供如上所述的解決了上述問題的新的菲咯啉衍生物化合物及其制造方法、以及利用此的電子傳輸性材料、發光元件、發光器件及電子設備。其中，所述新菲咯啉衍生物化合物表示為下述通式I。通式I本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種菲咯啉衍生物，其表示為結構式(24)至(29)中的任一種，FDA00002157127500011.jpg,FDA00002157127500021.jpg

【技術特征摘要】
2005.08.11 JP 2005-2333821.一種菲咯啉衍生物，其表示為結構式(24)至(29)中的任一種，2.一種包括含有根據權利要求I的所述菲咯啉衍生物的層的發光元件。3.一種包括含有發光性物質及根據權利要求I的所述菲咯啉衍生物的發光層的發光元件。4.根據權利要求3所述的發光元件，其中所述發光性物質為磷光發光性物質。5.—種包括含有根據權利要求I的所述菲咯啉衍生物的電子傳輸層的發光兀件。6.一種包括含有根據權利要求I的所述菲咯啉衍生物的阻擋層的發光元件。7.一種包括根據權利要求2的所述發光兀件的發光器件。8.一種包括...

【專利技術屬性】
技術研發人員：野村亮二，井上英子，
申請(專利權)人：株式會社半導體能源研究所，
類型：發明
國別省市：