等離子顯示面板的制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種具有放電空間和面向放電空間的保護(hù)層的等離子顯示面板的制造方法。通過向所述放電空間導(dǎo)入包含還原性有機(jī)氣體的氣體，從而使保護(hù)層暴露在還原性有機(jī)氣體中。接著，從放電空間中排出還原性有機(jī)氣體。接著，將放電氣體封入放電空間。保護(hù)層至少包含第1金屬氧化物與第2金屬氧化物。進(jìn)而，保護(hù)層在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值。該峰值位于第1金屬氧化物的X射線衍射分析中的第1峰值和第2金屬氧化物的X射線衍射分析中的第2峰值之間。第1峰值及第2峰值表示與所述峰值所表示的面方位相同的面方位。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
在此被公開的技術(shù)涉及被利用于顯示器件等中的。
技術(shù)介紹
等離子顯示面板(以下稱作rop)由前面板與背面板構(gòu)成。前面板由玻璃基板、形成于玻璃基板的一個(gè)主面上的顯示電極、覆蓋顯示電極且發(fā)揮作為電容器的作用的電介質(zhì)層以及形成于電介質(zhì)層上且由氧化鎂(MgO)組成的保護(hù)層來構(gòu)成。為了使來自保護(hù)層的初始電子釋放數(shù)增加，例如正在進(jìn)行在保護(hù)層的MgO中添加硅(Si)或鋁(Al)等的嘗試(例如參照專利文獻(xiàn)1、2、3、4、5等)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I JP特開2002-260535號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 JP特開平11-339665號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 JP特開2006-59779號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 JP特開平8-236028號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 JP特開平10-334809號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
是具有放電空間和面向放電空間的保護(hù)層的。通過向所述放電空間導(dǎo)入包含還原性有機(jī)氣體的氣體，從而使保護(hù)層暴露在還原性有機(jī)氣體中。接著，從放電空間中排出還原性有機(jī)氣體。接著，將放電氣體封入放電空間。保護(hù)層至少包含第I金屬氧化物與第2金屬氧化物。進(jìn)而，保護(hù)層在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值。該峰值位于第I金屬氧化物的X射線衍射分析中的第I峰值和第2金屬氧化物的X射線衍射分析中的第2峰值之間。第I峰值及第2峰值表示與所述峰值所表示的面方位相同的面方位。第I金屬氧化物及第2金屬氧化物是從氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇組成的群之中選擇的2種。附圖說明圖I是表示實(shí)施方式涉及的rop的構(gòu)造的立體圖。圖2是表示實(shí)施方式涉及的前面板的構(gòu)成的剖視圖。圖3是表示實(shí)施方式涉及的rop的制造流程的圖。圖4是表示第I溫度分布(temperature profile)例的圖。圖5是表示第2溫度分布例的圖。圖6是表示第3溫度分布例的圖。圖7是表示實(shí)施方式涉及的基底膜表面的X射線衍射分析結(jié)果的圖。圖8是表示實(shí)施方式涉及的其他基底膜表面的X射線衍射分析結(jié)果的圖。圖9是實(shí)施方式涉及的凝集粒子的放大圖。圖 ο是表示rop的放電延遲與基底膜中的鈣濃度的關(guān)系的圖。圖11是表示rop的電子釋放性能與Vscn點(diǎn)亮電壓的圖。圖12是凝集粒子的平均粒徑與電子釋放性能的關(guān)系的圖。具體實(shí)施例方式 PDP的基本構(gòu)造是一般的交流面放電型rop。如圖I及圖2所示，PDPl將前面玻璃基板3等構(gòu)成的前面板2和背面玻璃基板11等構(gòu)成的背面板10對(duì)置配置。前面板2與背面板 ο的外周部被玻璃料等組成的密封材料進(jìn)行氣密密封。在被密封的ropi內(nèi)部的放電空間16中以53kPa(400Torr) 80kPa(600Torr)的壓力封入氖(Ne)及氙(Xe)等放電氣體。在前面玻璃基板3上，掃描電極4及維持電極5構(gòu)成的一對(duì)帶狀的顯示電極6和黑條7互相平行地分別配置有多列。在前面玻璃基板3上，按照覆蓋顯示電極6與黑條7的方式，形成發(fā)揮作為電容器的作用的電介質(zhì)層8。進(jìn)而，在電介質(zhì)層8的表面上形成有由氧化鎂(MgO)等組成的保護(hù)層9。其中，關(guān)于保護(hù)層9，在后面詳細(xì)敘述。掃描電極4及維持電極5分別在銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)等導(dǎo)電性金屬氧化物組成的透明電極上層疊有由Ag組成的總線電極。在背面玻璃基板11上，在與顯示電極6正交的方向上互相平行地配置著由以銀(Ag)為主成分的導(dǎo)電性材料組成的多個(gè)數(shù)據(jù)電極12。數(shù)據(jù)電極12被基底電介質(zhì)層13覆蓋。進(jìn)而，在數(shù)據(jù)電極12間的基底電介質(zhì)層13上形成有劃分放電空間16的規(guī)定高度的隔壁14。在隔壁14間的溝槽中，按照每個(gè)數(shù)據(jù)電極12，依次涂敷并形成借助紫外線而以紅色發(fā)光的突光體層15、以綠色發(fā)光的突光體層15及以藍(lán)色發(fā)光的突光體層15。在顯不電極6與數(shù)據(jù)電極12交叉的位置上形成有放電單元。具有排列在顯示電極6方向上的紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體層15的放電單元成為用于彩色顯示的像素。另外，在本實(shí)施方式中，封入放電空間16中的放電氣體包含10體積％以上、30%體積以下的Xe。如圖3所示，本實(shí)施方式涉及的I3DPl的制造方法具有前面板制作工序Al、背面板制作工序BI、玻璃料涂敷工序B2、密封工序Cl、還原性氣體導(dǎo)入工序C2、排氣工序C3及放電氣體供給工序C4。在前面板制作工序Al中，通過光刻法而在前面玻璃基板3上形成掃描電極4及維持電極5、與黑條7。掃描電極4及維持電極5具有包含用于確保導(dǎo)電性的銀(Ag)的金屬總線電極4b、5b。再有,掃描電極4及維持電極5具有透明電極4a、5a。金屬總線電極4b層疊于透明電極4a上。金屬總線電極5b層疊于透明電極5a上。在透明電極4a、5a的材料中，為了確保透明度與電導(dǎo)而利用銦錫氧化物(ITO)等。首先，通過濺射法等，在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。然后，通過平版印刷法形成規(guī)定圖案的透明電極4a、5a。金屬總線電極4b、5b的材料，利用的是包含銀(Ag)、用于使銀粘結(jié)的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等的電極膏劑。首先，通過絲網(wǎng)印刷法等，在前面玻璃基板3上涂敷電極膏齊U。接著，利用干燥爐除去電極膏劑中的溶劑。接著，隔著規(guī)定圖案的光掩模對(duì)電極膏劑進(jìn)行曝光。接著，電極膏劑被顯影而形成金屬總線電極圖案。最后，利用燒成爐在規(guī)定溫度下燒成金屬總線電極圖案。也就是說，除去金屬總線電極圖案中的感光性樹脂。再有，金屬總線電極圖案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上的工序形成金屬總線電極4b、5b。黑條7是利用包含黑色顏料的材料來形成的。接著，形成電介質(zhì)層8。接著，形成電介質(zhì)層8及保護(hù)層9。后述電介質(zhì)層8及保護(hù)層9的細(xì)節(jié)。通過以上的工序，在前面玻璃基板3上具有規(guī)定的構(gòu)成部件的前面板2完成。 通過光刻法，在背面玻璃基板11上形成數(shù)據(jù)電極12。數(shù)據(jù)電極12的材料利用的是包含用于確保導(dǎo)電性的銀(Ag)、用于使銀粘結(jié)的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等的數(shù)據(jù)電極膏劑。首先，通過絲網(wǎng)印刷法等，以規(guī)定的厚度在背面玻璃基板11上涂敷數(shù)據(jù)電極膏劑。接著，利用干燥爐除去數(shù)據(jù)電極膏劑中的溶劑。接著，隔著規(guī)定圖案的光掩模對(duì)數(shù)據(jù)電極膏劑進(jìn)行曝光。接著，數(shù)據(jù)電極膏劑被顯影而形成數(shù)據(jù)電極圖案。最后，利用燒成爐在規(guī)定溫度下燒成數(shù)據(jù)電極圖案。也就是說，除去數(shù)據(jù)電極圖案中的感光性樹脂。再有，數(shù)據(jù)電極圖案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上的工序形成數(shù)據(jù)電極12。在此，除了對(duì)數(shù)據(jù)電極膏劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以利用濺射法、蒸鍍法等。接著，形成基底電介質(zhì)層13。基底電介質(zhì)層13的材料，利用的是包含電介質(zhì)玻璃料、樹脂和溶劑等的基底電介質(zhì)膏劑。首先，通過絲網(wǎng)印刷法等，在已形成數(shù)據(jù)電極12的背面玻璃基板11上，按照覆蓋數(shù)據(jù)電極12的方式以規(guī)定的厚度涂敷基底電介質(zhì)膏劑。接著，利用干燥爐來除去基底電介質(zhì)膏劑中的溶劑。最后，利用燒成爐在規(guī)定的溫度下燒成基底電介質(zhì)膏劑。也就是說，除去基底電介質(zhì)膏劑中的樹脂。再有，電介質(zhì)玻璃料熔融。熔融后的電介質(zhì)玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上的工序來形成基底電介質(zhì)層13。在此，除了對(duì)基底電介質(zhì)膏劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以利用壓模涂敷法(die coatingmethod)、旋轉(zhuǎn)涂敷法等。還有，也可以不利用基底電介質(zhì)膏劑，而是通過CVD(ChemicalVapor Deposition)法等來形成成為基底電介質(zhì)層本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：后藤真志，辻田卓司，河原崎秀司，堀河敬司，小鹽千春，奧村加奈子，三浦正范，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社，
類型：
國別省市：