本發明專利技術公開一種影像顯示系統。該影像顯示系統包括有機發光裝置，其包括：設置于基底上的陽極層、陰極層以及夾設于陽極層與陰極層之間的有機發光層。陰極層包括：與有機材料層接觸的金屬層、透明導電層以及夾設于金屬層與透明導電層之間的有機緩沖層。有機緩沖層具有載流子遷移率在10-3cm2/(V·s)至10-5cm2/(V·s)的范圍。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種平面顯示器(flat panel display，FPD)技術，特別是涉及一種有機發光裝置(organic light-emitting/electroluminescent device, 0LED/0ELD)
技術介紹
近年來，隨著電子產品發展技術的進步及其日益廣泛的應用，像是移動電話、個人數字助理(PDA)及筆記型電腦等等的問市，使得與傳統顯示器相比具有較小體積及電力消耗特性的平面顯示器(FPD)的需求與日俱增，成為目前重要的電子應用產品之一。在平面顯示器當中，由于有機電致發光裝置具有自發光、高亮度、廣視角、高響應速度及工藝容易等特性，使得有機電致發光裝置無疑的將成為下一世代平面顯示器的最佳選擇。圖1繪示出已知有機電致發光裝置20的剖面示意圖。有機電致發光裝置20包括 形成于基底10上的陽極層12、形成于陽極層12上方的陰極層16以及夾設于陽極層12與陰極層16之間的有機材料層14。通常有機材料層14由空穴注入層、空穴傳輸層、電致發光層、電子傳輸層以及電子注入層依序堆疊而成(未繪示)。再者，陰極層16包括薄金屬層以及位于上方的透明導電層(未繪示)。透明導電層，例如銦錫氧化物(indium tin oxide, IT0)通常是透過濺鍍工藝(sputtering)而形成。然而，濺鍍工藝中的等離子體容易損害下方的有機材料層14而破壞其發光特性 (light-emitting characteristics) 0再者，形成透明導電層(如，銦錫氧化物)的濺鍍工藝中所加入的氧氣也容易造成薄金屬層氧化而破壞電子注入能力(electron injection ability)。因此，有必要尋求一種新的有機電致發光裝置結構，其能夠解決或改善上述的問題。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術實施例提供一種影像顯示系統。此系統包括有機發光裝置，其包括陽極層，設置于基底上；有機材料層，設置于陽極層上；以及陰極層，設置于有機發光層上。其中，陰極層包括金屬層，與有機材料層接觸；透明導電層，設置于金屬層上方；以及有機緩沖層，夾設于金屬層與透明導電層之間，而有機緩沖層具有載流子遷移率在IO-3Cm2/ (V · s)至 10_5cm7(V · s)的范圍。附圖說明圖1繪示出已知有機發光顯示裝置剖面示意圖；圖2繪示出根據本專利技術實施例的具有有機發光顯示裝置的影像顯示系統剖面示意圖；圖3繪示出圖2中有機發光裝置的制作方法流程圖。圖4繪示出有機發光裝置的發光效率(cd/A)與電流密度(mA/cm2)的關系曲線圖。圖5繪示出有機發光裝置的亮度(cd/m2)與驅動電壓(V)的關系曲線圖。圖6繪示出有機發光裝置的電流密度(mA/cm2)與驅動電壓(V)的關系曲線圖。圖7繪示出有機發光裝置的光譜圖；圖8繪示出根據本專利技術另一實施例的具有影像顯示系統方塊示意圖。附圖標記說明已知10 基底；12 陽極層；14 有機材料層；16 陰極層；20 有機發光裝置。實施例100 -、基底；102 -、陽極層；104 -、空穴注入層；106廣、空穴傳輸層；108 -、電致發光層；110廣、電子傳輸層；112 -、電子注入層；114廣、有機發光層；117 -、金屬層；119廣、有機緩沖層；121 -HS明導電層；122廣、陰極層；200 -、有機發光裝置；300 --平面顯示器；400 -、輸入單元；500 -、電子裝置；A、B、C 曲線； S1、S2、S3、S4 步驟。具體實施例方式以下說明本專利技術實施例的制作與使用。然而，可輕易了解本專利技術所提供的實施例僅用于說明以特定方法制作及使用本專利技術，并非用以局限本專利技術的范圍。以下說明本專利技術實施例的影像顯示系統。圖2繪示出根據本專利技術實施例的影像顯示系統，特別是一種具有有機發光裝置200的影像顯示系統。在本實施例中，有機發光裝置 200包括陽極層102、陰極層122以及夾設于陽極層102與陰極層122之間的有機發光層 114。陽極層102，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(indium zinc oxide, ΙΖ0)，設置于基底100上。基底100可由玻璃、石英、或其他透明材料所構成。在其他實施例中，基底100也可由非透明材料所構成。有機發光層114可包括依序堆疊的空穴注入層(hole injection layer, HIL))104、空穴傳輸層(hole transporting layer， HTL)106、電致發光層 (electroluminescent layer, EML) 108、電子傳輸層(electron transporting layer, ETL) 110 及電子注入層(electron injection layer, EIL) 112。陰極層122包括金屬層117、有機緩沖層119以及透明導電層121。金屬層117 與有機材料層114接觸，而透明導電層121位于金屬層117上方，且有機緩沖層119夾設于金屬層117與透明導電層121之間。在本實施例中，有機緩沖層119是于形成透明導電層 121期間，用以保護下方的有機發光層114，同時防止下方的金屬層117發生氧化。特別的是，為了進一步增加載流子注入能力，有機緩沖層119具有載流子遷移率，例如電子遷移率，其在IO-3Cm2/(V · s)至IO-5Cm2/(V · s)的范圍。再者，有機緩沖層119具有最低未占據分子軌道(LUMO)在3.5eV至6』eV的范圍。再者，有機緩沖層119可具有玻璃轉換溫度不小于110°C，以避免在高溫形成透明導電層121期間，造成對有機緩沖層119 的損害。另外，在制作陽極層102及有機發光層114期間所產生的不必要的顆粒(未繪示)，會降低透明導電層121的階梯覆蓋性(st印coverage)而容易造成透明導電層121發生破裂，導致有機發光裝置200的可靠度降低。因此，位于透明導電層121與金屬層117的有機緩沖層119可有效提升透明導電層121的階梯覆蓋性而增加有機發光裝置200的可靠度。需注意的是，若有機緩沖層119的厚度太薄，則無法在形成透明導電層121期間，保護下方的有機發光層114。反之，若有機緩沖層119的厚度太厚，則容易增加有機發光裝置200的驅動電壓且容易發生嚴重色偏。因此，在本實施例中，有機緩沖層119可具有厚度在10埃(Λ) 至500埃的范圍，而優選的厚度在50埃至300埃的范圍。再者，為了維持有機發光裝置200的光學特性，有機緩沖層119具有透光度不小于70%，且具有反射率在1. 5至2. 0的范圍。在實施例中，有機緩沖層119可包括六氰六氮聯三伸苯(hexaazatriphenylene hexacarbonitrile, HAT-CN)。在其他實施例中，有機緩沖層119可進一步包括另一有機材料，例如雙(10-羥基苯并喹啉)鈹(bis (10-hydroxybenzo quinolinato) beryllium, BeBq2)。請參照圖3，其繪示出圖2中有機發光裝置的制作方法流程圖。首先，進行步驟Si， 提供基底100，例如玻璃基底。接著，進行步驟S2，在基底100上形成透明導電層，例如通過濺鍍工藝沉積而成的銦錫氧化物(ITO)，其厚度約在700埃至110本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
...
【專利技術屬性】
技術研發人員：西川龍司，徐湘倫，
申請(專利權)人：奇美電子股份有限公司，群康科技深圳有限公司，
類型：發明
國別省市：
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