磁盤基板用研磨液組合物制造技術

本發明專利技術提供一種能夠在不損害生產率的情況下減少研磨后的基板的劃痕和表面粗糙度的磁盤基板用研磨液組合物、以及使用了該研磨液組合物的磁盤基板的制造方法。本發明專利技術涉及一種磁盤基板用研磨液組合物，其含有ΔＣＶ值為０～１０％的膠體二氧化硅和水，所述ΔＣＶ值是ＣＶ３０與ＣＶ９０之差的值（ΔＣＶ＝ＣＶ３０－ＣＶ９０），所述ＣＶ３０是將從采用動態光散射法在３０°的檢測角測得的散射強度分布得到的標準偏差除以根據所述散射強度分布得到的平均粒徑再乘以１００后得到的值，所述ＣＶ９０是將從在９０°的檢測角測得的散射強度分布得到的標準偏差除以根據所述散射強度分布得到的平均粒徑再乘以１００后得到的值。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及磁盤基板用研磨液組合物以及使用了該研磨液組合物的磁盤基板的制造方法。
技術介紹
近年來，磁盤驅動器向著小型化和大容量化發展，要求高記錄密度化。為了實現高記錄密度化，需要縮小單位記錄面積，提高變弱的磁信號的檢測靈敏度，為此，用于進一步降低磁頭的浮起高度的技術開發正在進展。為了應對磁頭的低浮起化和確保記錄面積，對于磁盤基板在平滑性和平坦性的提高(表面粗糙度、波紋、端面下垂的減少)和缺陷減少 (劃痕、突起、凹坑等的減少)方面的要求變得嚴格。針對上述要求，提出了對作為研磨粒子的膠體二氧化硅的粒徑分布進行規定的研磨液組合物以及含有膠體二氧化硅和陰離子性高分子的研磨液組合物(參照例如專利文獻1 6)。在專利文獻1中公開了一種使用了具有特定的粒徑分布的膠體二氧化硅的研磨液組合物，其中記載了 根據該研磨液組合物，通過減小膠體二氧化硅的粒徑，使其粒徑分布變窄，可以減少存儲硬盤用基板的表面粗糙度。在專利文獻2中公開了一種具有磺酸基的聚合物玻璃基板用研磨液組合物，其中記載了 根據該研磨液組合物，通過添加具有磺酸基的聚合物，可以改善玻璃基板的表面粗糙度和基板污染。在專利文獻3中公開了一種由作為研磨材的膠體二氧化硅、作為研磨阻力減少劑的聚丙烯酸銨鹽、作為研磨促進劑的EDTA-Fe鹽以及水構成的研磨用組合物，其能夠防止研磨時的振動引起的倒角部的損傷和減少缺陷(劃痕、凹坑)。在專利文獻4中公開了一種含有具有特定粒度分布的圓球狀的研磨粒子的研磨液組合物，其中記載了 根據該研磨液組合物，通過使用圓球狀粒子，可以改善磁盤基板的表面粗糙度和表面波紋。在專利文獻5和6中公開了一種含有金平糖狀二氧化硅系微粒的研磨用組合物， 其中記載了 根據該研磨液組合物，通過使用金平糖狀二氧化硅微粒，可以改善磁盤基板的生產率(研磨速度)。現有技術文獻專利文獻1 日本特開2004-204151號公報專利文獻2 日本特開2006-167817號公報專利文獻3 日本特開2001-155332號公報專利文獻4 日本特開2008-93819號公報 專利文獻5 日本特開2008-137822號公報專利文獻6 日本特開2008-169102號公報
技術實現思路
專利技術所要解決的課題但是，為了實現更大的容量化，以往的研磨液組合物還不充分，需要在維持生產率的情況下(不會引起研磨速度下降)進一步減小研磨后的基板的劃痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。進而，伴隨著大容量化，磁盤的記錄方式從水平磁記錄方式轉向垂直磁記錄方式。 水平磁記錄方式中為了使磁化方向一致所必需的織構工序在垂直磁記錄方式的磁盤制造工序中是不需要的，為了在研磨后的基板表面直接形成磁性層，對基板表面品質的要求特性變得更加嚴格。以往的研磨液組合物不能充分滿足垂直磁記錄方式的基板表面所要求的劃痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。專利文獻1的研磨液組合物盡管能夠減少基板的表面粗糙度，但不能充分滿足垂直磁記錄方式的基板表面所要求的劃痕和表面粗糙度。專利文獻4的研磨液組合物盡管能夠減少基板的表面粗糙度，但研磨速度不夠充分，不能滿足生產率。專利文獻5和6的研磨液組合物盡管能夠改善生產率，但不能充分減少垂直磁記錄方式的基板表面所要求的表面粗糙度(特別是表面粗糙度的最大高度Rmax)和劃痕。因此，本專利技術提供一種能夠在不損害生產率的情況下實現研磨后的基板的劃痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)的減少的磁盤基板用研磨液組合物、以及使用了該研磨液組合物的磁盤基板的制造方法。用于解決課題的手段本專利技術涉及一種磁盤基板用研磨液組合物，其含有膠體二氧化硅和水，其中，所述膠體二氧化硅的Δ CV值為0 10%，這里，八(^值是(^30與CV90的差值(Δ CV = CV30-CV90)，所述CV30是將從采用動態光散射法在30°的檢測角測得的散射強度分布得到的標準偏差除以根據所述散射強度分布得到的平均粒徑再乘以100后得到的值，所述 CV90是將從在90°的檢測角測得的散射強度分布得到的標準偏差除以根據所述散射強度分布得到的平均粒徑再乘以100后得到的值，所述膠體二氧化硅的CV90值為1 35%，并且所述膠體二氧化硅的從采用動態光散射法在90°的檢測角測得的散射強度分布得到的平均粒徑為1 40nm。另外，本專利技術的另一個方案涉及一種磁盤基板的制造方法，其包含使用本專利技術的磁盤基板用研磨液組合物對被研磨基板進行研磨的工序。專利技術效果根據本專利技術的磁盤基板用研磨液組合物，可以優選地起到如下效果能夠在不會大幅損害生產 率和表面粗糙度的情況下，制造劃痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)得以減少的磁盤基板、特別是垂直磁記錄方式的磁盤基板。具體實施例方式本專利技術是基于以下認識而完成的在含有膠體二氧化硅的磁盤基板用研磨液組合物中，通過使用特定的膠體二氧化硅，可以將研磨速度維持在不會損害生產率的水平，能夠減少研磨后的基板的劃痕、表面粗糙度，能夠滿足記錄容量的大容量化的要求。具體地發現，除了以往作為控制對象的平均粒徑以外，還著眼于表示粒徑分布范圍的變異系數的值(CV值)、以及不同的2個檢測角下的CV值之差(△ CV值)，通過使用這三個參數來控制膠體二氧化硅，可以大幅減少研磨后的基板的劃痕。S卩，本專利技術的一個方案涉及一種磁盤基板用研磨液組合物(以下也稱作本專利技術的研磨液組合物)，其含有膠體二氧化硅和水，其中，所述膠體二氧化硅的Δ CV值為0 10%,這里，Δ CV值是CV30與CV90的差值(Δ CV = CV30-CV90)，所述CV30是將從采用動態光散射法在30°的檢測角測得的散射強度分布得到的標準偏差除以根據所述散射強度分布得到的平均粒徑再乘以100后得到的值，所述CV90是將從在90°的檢測角測得的散射強度分布得到的標準偏差除以根據所述散射強度分布得到的平均粒徑再乘以100后得到的值，所述膠體二氧化硅的CV90值為1 35%，并且所述膠體二氧化硅的采用動態光散射法在90°的檢測角測得的平均粒徑為1 40nm。另外，本專利技術的另一個方案是基于以下認識而得到的通過并用滿足上述三個參數(平均粒徑、CV90、以及ACV)的規定的膠體二氧化硅和陰離子性聚合物(具有陰離子性基團的水溶性高分子)，可以在維持研磨中的研磨速度的情況下，進一步減少研磨后的基板的劃痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。即，本專利技術的另一個方案涉及一種磁盤基板用研磨液組合物，其含有膠體二氧化硅、具有陰離子性基團的水溶性高分子和水，所述膠體二氧化硅的Δ CV值為0 10%，所述膠體二氧化硅的CV90值為1 35%，并且所述膠體二氧化硅的從采用動態光散射法在90°的檢測角測得的散射強度分布得到的平均粒徑為 1 40nm。可以推測通過少量添加具有陰離子性基團的水溶性高分子(優選為低分子量的水溶性高分子)，可以抑制研磨中產生的上述二氧化硅凝聚物的生成，并且可以減少研磨時的摩擦振動，從而防止二氧化硅凝聚物從研磨墊的開孔部脫落，由此可以顯著減少研磨后的基板的劃痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。不過，本專利技術不受上述推測機理的限定。再者，本專利技術的又一個方案是基于以下認識而得到的除了 ACV值以外，通過著眼于圓球率、表面粗糙度、以及通過透射型電子顯微鏡觀察而測定的平本文檔來自技高網...

【技術保護點】
１．一種磁盤基板用研磨液組合物，其含有膠體二氧化硅和水，其中，所述膠體二氧化硅的ΔＣＶ值為０～１０％，這里，ΔＣＶ值是ＣＶ３０與ＣＶ９０之差的值即ΔＣＶ＝ＣＶ３０－ＣＶ９０，所述ＣＶ３０是將從采用動態光散射法在３０°的檢測角測得的散射強度分布得到的標準偏差除以根據所述散射強度分布得到的平均粒徑再乘以１００后得到的值，所述ＣＶ９０是將從在９０°的檢測角測得的散射強度分布得到的標準偏差除以根據所述散射強度分布得到的平均粒徑再乘以１００后得到的值，所述膠體二氧化硅的ＣＶ９０值為１～３５％，并且所述膠體二氧化硅的從采用動態光散射法在９０°的檢測角測得的散射強度分布得到的平均粒徑為１～４０ｎｍ。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：大島良曉，
申請(專利權)人：花王株式會社，
類型：發明
國別省市：JP