排出單元、使用該排出單元的排出方法以及包括該排出單元的基底制程裝置制造方法及圖紙

一種基底制程裝置，包括：一個腔室，其具有一內部空間，在該內部中間中相對于一個基底實施一個制程；以及一個排出單元，其用于將內部空間中的物質排出到外部。所述排出單元包括：一個第一排出板，其位于物質的排出路徑的上游，該第一排出板具有第一排出孔；以及一個第二排出板，其位于排出路徑的下游，該第一排出板具有第二排出孔。所述第一排出板排布在一個支撐構件的外側，而第二排出板排布在第一排出板下方，且大致平行于第一排出板。所述排出單元還包括：第一覆蓋物，其用于選擇性地打開和封閉所述第一排出孔；以及第二覆蓋物，其用于選擇性地打開和封閉所述第二排出孔。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種排出單元(exhaust unit)、一種使用該排出單元的排出方法以及一種包括該排出單元的基底制程裝置(substrat印rocessing apparatus)，更具體地，涉及 一種包括排出板的排出單元、一種使用該排出單元的排出方法、以及一種包括該排出單元 的基底制程裝置。
技術介紹
半導體器件具有在硅基底上的多個層。這些層通過沉積制程而沉積在基底上。所 述沉積制程具有多個重要的問題，這些問題在評價沉積膜和選擇沉積方法時是很重要的。其中一個重要問題是沉積膜的質量。該質量包括成分、污染水平、缺陷密度以及機 械和電氣特性。膜的成分可根據沉積條件改變，這對于獲得一個特定的成分是很重要的。另一個重要問題是在晶片上的均勻厚度。具體而言，在具有一個階梯的非平面圖 案頂部處沉積的膜的厚度是非常重要的。沉積膜的厚度是否均勻可由一個階梯覆蓋率來確 定，所述階梯覆蓋率被限定為一個將沉積在階梯部分的膜的最小厚度除以沉積在圖案頂部 的膜的厚度而獲得的值。另一個相關于沉積的問題是空間填充(space filling)，其包括用包括氧化膜的 絕緣膜來填充金屬線之間所限定間隙的間隙填充(gapfilling)。這些間隙設置用于將金屬 線物理地和電氣地絕緣。在上述問題中，均勻性是與沉積制程相關的重要問題之一。非均勻膜導致在金屬 線上的高電阻，而這增加了機械故障的可能性。
技術實現思路
技術問題本專利技術的一個目的是提供一種能夠確保制程均勻性的排出單元、一種使用該排出 單元的排出方法、以及一種包括該排出單元的基底制程裝置。根據下文對本專利技術的詳細描述和附圖，本專利技術的其他目的將變得更加明了。技術方案根據本專利技術的一個方面，一種基底制程裝置包括一個腔室，其限定一內部空間， 在該內部空間中相對于一個基底實施一個制程；以及一個排出單元，其用于將所述內部空 間中的物質排出到外部。所述排出單元包括一個第一排出板，其位于物質的排出路徑的 上游，該第一排出板具有多個第一排出孔；以及一個第二排出板，其位于所述排出路徑的下 游，該第一排出板具有多個第二排出孔。優選地，所述排出單元還包括用于選擇性地打開和封閉所述第一排出孔的多個第 一覆蓋物，以及用于選擇性地打開和封閉所述第二排出孔的多個第二覆蓋物。優選地，所述基底制程裝置還包括一個支撐構件，其排布在所述腔室中用于支撐所述基底。所述第一排出板排布在支撐構件的外側，所述第二排出板排布在第一排出板下 方，大致平行于第一排出板。優選地，所述第一排出孔包括第一內側排出孔，其布置在繞第一排出板中心的一個同心圓上；以及第一外側排出孔，其排布在第一內側排出孔的外側，所述第一外側排出 孔布置在繞第一排出板中心的另一個同心圓上；并且所述第二排出孔包括第二內側排出 孔，其布置在繞第二排出板中心的一個同心圓上；以及第二外側排出孔，其排布在第二內側 排出孔的外側，所述第二外側排出孔布置在繞第二排出板中心的另一個同心圓上。優選地，所述基底制程裝置還包括一個支撐構件，其排布在所述腔室中用于支撐 所述基底；一個氣體供應單元，其用于將源氣體供應至所述內部空間；以及一個線圈，其用 于在所述內部空間中感生電場，以由源氣體生成等離子體。優選地，所述基底制程裝置還包括一個引導管，其排布在所述支撐構件上方，用于 將在內部空間中生成的等離子體集中在所述支撐構件上。優選地，所述引導管具有的截面形狀大致相應于所述基底的形狀。優選地，所述腔室包括一個制程腔室，所述支撐構件排布在該制程腔室中，該制 程腔室被配置為使得所述制程在制程腔室中通過等離子體來實施；以及一個生成腔室，其 排布在制程腔室上方，該生成腔室被配置為使得等離子體通過線圈在生成腔室中生成。在 這種情況下，所述引導管從制程腔室的頂壁延伸至制程腔室的底壁?；蛘撸銮皇铱砂ㄒ粋€制程腔室，所述支撐構件排布在該制程腔室中，該制 程腔室被配置為使得所述制程在制程腔室中通過等離子體來實施；以及一個生成腔室，其 從制程腔室的頂壁向上延伸，該生成腔室被配置為使得等離子體通過線圈在生成腔室中生 成。在這種情況下，所述引導管從生成腔室的側壁延伸至制程腔室的底壁。優選地，所述基底制程裝置還包括一個支撐構件，其排布在所述腔室中用于支撐 所述基底；一個氣體供應單元，其用于將源氣體供應至所述內部空間；一個線圈，其用于在 所述內部空間中感生電場，以由源氣體生成等離子體；一個噴淋頭，其排布在支撐構件上方 且平行于支撐構件，用于向放置在支撐構件上的基底供應等離子體；以及一個支撐框架，其 用于將噴淋頭固定至支撐構件的頂部。優選地，所述第一排出板排布在支撐構件的外側，以及所述支撐框架安裝在第一 排出板上。根據本專利技術的另一個方面，一種排出單元包括一個第一排出板，其位于排出路徑 的上游，該第一排出板具有多個第一排出孔；以及一個第二排出板，其位于排出路徑的下 游，該第一排出板具有多個第二排出孔。根據本專利技術的再一個方面，一種用于將一腔室中的物質排出到外部的排出方法， 包括將具有多個第一排出孔的第一排出板安裝在物質的排出路徑的上游；以及將具有多 個第二排出孔的第二排出板安裝在排出路徑的下游。優選地，所述排出方法還包括使用第一覆蓋物選擇性地打開和封閉所述第一排 出孔，以及使用第二覆蓋物選擇性地打開和封閉所述第二排出孔。優選地，所述排出方法還包括將第一和第二排出板中的一個相對于第一和第二 排出板中的另一個旋轉一個預定角度。有益效果根據本專利技術，可控制排出，由此確保制程均勻性。 附圖說明附圖被包括用于提供對本專利技術的進一步理解且被包含在本申請中以及組成本申請的一部分，這些附圖示出了本專利技術的實施方案且與描述一起用于說明本專利技術的原理。在 附圖中圖1是示意性圖解了根據本專利技術第一實施方案的基底制程裝置的視圖；圖2是示意性圖解了圖1中的第一排出板的視圖；圖3和4是圖解了選擇性地封閉在圖1中的第一排出板處形成的排出孔的視圖；圖5是圖解了使用圖1中的第一排出板和第二排出板控制制程均勻性的視圖；圖6是示意性圖解了根據本專利技術第二實施方案的基底制程裝置的視圖；圖7是示意性圖解了根據本專利技術第三實施方案的基底制程裝置的視圖；圖8-10是圖解了圖6中的噴淋頭的視圖；以及圖11和12是圖解了圖1中的擴散板的視圖。本專利技術的最佳實施方式在下文中，將參考附圖——即，圖1-12——更加詳細地描述本專利技術的示例性實施 方案。本專利技術的實施方案可以用各種形式改型，因此本專利技術的范圍不應被理解為受到以下 將要描述的實施方案的限制。這些實施方案被提供用于向本專利技術所屬
內的普通技 術人員更清楚地描述本專利技術。因此，附圖中示出的組成元件的形狀可被放大以用于更清楚 的說明。同時，在下文中將描述一個使用等離子體的制程作為實施例，然而，本專利技術的技術 構思和范圍并不受限于該實施例。例如，本專利技術可適用于各種其中在真空狀態下實施制程 的半導體制造裝置。在下文中也將描述一個感應耦合等離子體(ICP)類型的等離子體制程 作為實施例，盡管本專利技術適用于包括電子回旋共振(ECR)類型的等離子體制程的各種等離 子體制程。圖1是示意性圖解了根據本專利技術第一實施方案的基底制程裝置的視圖。該基底制程裝置包括一個限定一內部空間的腔室10，在所述內部空間中相對于一 個基底實施一個制程。腔室10包括一個制程腔室12和本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種基底制程裝置，包括：一個腔室，其具有一內部空間，在該內部空間中相對于一個基底實施一個制程；以及一個排出單元，其用于將內部空間中的物質排出到外部，其中該排出單元包括：一個第一排出板，其位于物質的排出路徑的上游，該第一排出板具有多個第一排出孔；以及一個第二排出板，其位于排出路徑的下游，該第一排出板具有多個第二排出孔。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】KR 2007-9-4 10-2007-0089582一種基底制程裝置，包括一個腔室，其具有一內部空間，在該內部空間中相對于一個基底實施一個制程；以及一個排出單元，其用于將內部空間中的物質排出到外部，其中該排出單元包括一個第一排出板，其位于物質的排出路徑的上游，該第一排出板具有多個第一排出孔；以及一個第二排出板，其位于排出路徑的下游，該第一排出板具有多個第二排出孔。2.根據權利要求1所述的基底制程裝置，其中所述排出單元還包括 多個第一覆蓋物，其用于選擇性地打開和封閉所述第一排出孔；以及 多個第二覆蓋物，其用于選擇性地打開和封閉所述第二排出孔。3.根據權利要求1所述的基底制程裝置，還包括一個支撐構件，其排布在所述腔室中用于支撐所述基底，其中所述第一排出板排布在 支撐構件的外側，而所述第二排出板排布在第一排出板下方，大致平行于第一排出板。4.根據權利要求1-3中任一項所述的基底制程裝置，其中 所述第一排出孔包括第一內側排出孔，其布置在繞第一排出板中心的一個同心圓上；以及 第一外側排出孔，其排布在第一內側排出孔的外側，所述第一外側排出孔布置在繞第 一排出板中心的另一個同心圓上，并且 所述第二排出孔包括第二內側排出孔，其布置在繞第二排出板中心的一個同心圓上；以及 第二外側排出孔，其排布在第二內側排出孔的外側，所述第二外側排出孔布置在繞第 二排出板中心的另一個同心圓上。5.根據權利要求1所述的基底制程裝置，還包括 一個支撐構件，其排布在所述腔室中用于支撐所述基底；一個氣體供應單元，其用于將源氣體供應至所述內部空間；以及一個線圈，其用于在所述內部空間中感生電場，以由所述源氣體生成等離子體。6.根據權利要求5所述的基底制程裝置，還包括一個引導管，其排布在所述支撐構件上方，用于將在內部空間中生成的等離子體集中 在所述支撐構件上。7.根據權利要求6所述的基底制程裝置，其中所述引導管具有的截面形狀大致相應于 基底的形狀。8.根據權利要求5-7中任一項所述的基底制程裝置，其中所述腔室包括一個制程腔室，所述支撐構件排布在該制程腔室中，該制程腔室被配置為使得所述制 程在制程腔室中通過等離子體來實施；以及一個生成腔室，其排布在制程腔室上方，該生成腔室被配置為使得等離子體通過線圈 在該生成腔室中生成，所述引導管從制程腔室的頂壁延伸至制程腔室的底壁。9.根據權利要求5-7中任一項所述的基底...

【專利技術屬性】
技術研發人員：尹松根，宋炳奎，李在鎬，金勁勛，
申請(專利權)人：株式會社EUGENE科技，
類型：發明
國別省市：KR[韓國]