【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、一次可編程存儲(chǔ)器(one?time?programable，otp)是常見的存儲(chǔ)器之一，在otp中寫入信息后，信息將不可再次更改。由于otp的制造工藝較為簡單、成本較低，同時(shí)otp還具有一定的靈活性，因此otp的應(yīng)用較為廣泛。
2、隨著半導(dǎo)體器件的特征尺寸(critical?dimension，cd)進(jìn)入深亞微米階段，在otp制備過程中，金屬硅化物管狀缺陷(silicide?piping)是造成otp漏電以及電路功能異常的重要失效模式。現(xiàn)行監(jiān)測silicide?piping方法主要是依據(jù)晶圓接受測試(waferacceptance?test，wat)的電性測量以及亮電壓襯度檢測(bright?voltage?contrastinspection，bvc?inspection)，但在otp的特殊結(jié)構(gòu)處，難以準(zhǔn)確檢測到bvc。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)的目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，能夠監(jiān)控不同柵極結(jié)構(gòu)間距下金屬硅化物管狀延伸缺陷狀況，從而提高特殊半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電性缺陷檢測準(zhǔn)確性，從而提高產(chǎn)品良率。
2、為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，至少包括：
3、襯底；
4、有源區(qū)，多個(gè)所述有源區(qū)并列設(shè)置在所述襯底上，且相鄰所述有源區(qū)之間設(shè)置淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；
5、多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述柵極結(jié)構(gòu)并列設(shè)置在所述有源區(qū)上，單個(gè)所述柵極結(jié)構(gòu)橫跨多個(gè)所述有源區(qū)，且相鄰所述柵極結(jié)構(gòu)之
6、檢測圖形，設(shè)置在所述襯底的中心，且位于相鄰所述柵極結(jié)構(gòu)之間；
7、源漏極，設(shè)置在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)；
8、第一接觸孔，設(shè)置在所述有源區(qū)和所述柵極結(jié)構(gòu)的兩端；以及
9、檢測接觸孔，間隔設(shè)置在相鄰所述柵極結(jié)構(gòu)之間的所述有源區(qū)上。
10、在本技術(shù)的一實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)的形狀為長條形，且多個(gè)所述柵極對稱設(shè)置在所述檢測圖形的兩側(cè)。
11、在本技術(shù)的一實(shí)施例中，所述檢測圖形的形狀與所述柵極結(jié)構(gòu)的形狀相同，且橫跨多個(gè)所述有源區(qū)設(shè)置。
12、在本技術(shù)的一實(shí)施例中，所述檢測圖形的數(shù)量至少為1個(gè)，且所述檢測圖形的兩端設(shè)置有第一接觸孔。
13、在本技術(shù)的一實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵極，所述第一柵極遠(yuǎn)離所述檢測圖形設(shè)置。
14、在本技術(shù)的一實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括第三柵極，所述第三柵極靠近所述檢測圖形設(shè)置。
15、在本技術(shù)的一實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括第二柵極，所述第二柵極設(shè)置在所述第一柵極和所述第三柵極之間。
16、在本技術(shù)的一實(shí)施例中，所述第一柵極和所述第二柵極之間設(shè)置有第一間隔，所述第二柵極和所述第三柵極之間設(shè)置有第二間隔，所述第三柵極和所述檢測圖形之間設(shè)置有第三間隔。
17、在本技術(shù)的一實(shí)施例中，所述第一間隔的寬度大于或等于所述第二間隔的寬度，所述第二間隔的寬度大于或等于所述第三間隔的寬度。
18、在本技術(shù)的一實(shí)施例中，所述檢測接觸孔設(shè)置在所述檢測圖形一側(cè)的所述第一間隔和所述第二間隔上，以及所述檢測圖形另一側(cè)的第二間隔上。
19、本技術(shù)提供的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中加入檢測圖形，能夠直接檢測柵極結(jié)構(gòu)間距較小時(shí)源漏極上的金屬硅化物層的管狀延伸缺陷。且不增加光罩，不造成工藝變動(dòng)，排除了接觸孔接觸多晶硅造成短路對源漏極電壓襯度檢測的影響，實(shí)現(xiàn)直接監(jiān)控工藝波動(dòng)造成的不同柵極結(jié)構(gòu)間距下源漏極上的金屬硅化物層的管狀延伸缺陷狀況。同時(shí)，還可以通過設(shè)計(jì)一系列不同柵極結(jié)構(gòu)的分布，收集半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的bvc數(shù)據(jù)，確定金屬硅化物工藝的制程窗口以及小間距的長條形柵極結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)規(guī)則，從而提高產(chǎn)品良率。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)的形狀為長條形，且多個(gè)所述柵極對稱設(shè)置在所述檢測圖形的兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述檢測圖形的形狀與所述柵極結(jié)構(gòu)的形狀相同，且橫跨多個(gè)所述有源區(qū)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述檢測圖形的數(shù)量至少為1個(gè)，且所述檢測圖形的兩端設(shè)置有第一接觸孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵極，所述第一柵極遠(yuǎn)離所述檢測圖形設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括第三柵極，所述第三柵極靠近所述檢測圖形設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括第二柵極，所述第二柵極設(shè)置在所述第一柵極和所述第三柵極之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵極和所述第二柵極之間設(shè)置有第一間隔，所述第二柵極和所述第三柵極之間設(shè)置有第二間隔，所述第三柵極和所述檢
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一間隔的寬度大于或等于所述第二間隔的寬度，所述第二間隔的寬度大于或等于所述第三間隔的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述檢測接觸孔設(shè)置在所述檢測圖形一側(cè)的所述第一間隔和所述第二間隔上，以及所述檢測圖形另一側(cè)的第二間隔上。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)的形狀為長條形，且多個(gè)所述柵極對稱設(shè)置在所述檢測圖形的兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述檢測圖形的形狀與所述柵極結(jié)構(gòu)的形狀相同，且橫跨多個(gè)所述有源區(qū)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述檢測圖形的數(shù)量至少為1個(gè)，且所述檢測圖形的兩端設(shè)置有第一接觸孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵極，所述第一柵極遠(yuǎn)離所述檢測圖形設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括第三柵極，所述第三柵極靠近所述檢測圖...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李寧，韓領(lǐng)，丁賢林，馮玲，鄭曉，
申請(專利權(quán))人：合肥晶合集成電路股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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