透明導電性膜制造技術

本發明專利技術涉及透明導電性膜。本發明專利技術的透明導電性膜(X)具備：透明基材(10)和透明導電層(20)。透明基材(10)具有第一面(10a)和與該第一面(10a)相對的第二面(10b)。透明導電層(20)位于透明基材(10)的第一面(10a)上。第一面(10a)具有1.50nm以上的表面粗糙度Ra。透明導電層(20)含有原子序數大于氬的稀有氣體原子。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及透明導電性膜。

技術介紹

1、以往，已知在厚度方向上依次具備樹脂制的透明基材和透明的導電層(透明導電層)的透明導電性膜。透明導電層例如用作用于形成顯示面板、觸摸面板以及太陽能電池等各種設備中的透明電極的導體膜。透明導電層例如通過利用濺射法在透明基材上使透明導電材料成膜來形成(濺射成膜)。在濺射成膜中，以往使用氬作為濺射氣體(惰性氣體)。關于與這樣的透明導電性膜相關的技術，例如記載于下述的專利文獻1中。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2004－213990號公報

5、對于透明導電性膜要求透明導電層對透明基材的密合性良好，以免透明導電層從透明基材剝離。另一方面，在智能手機用途或平板終端用途中，正在推進能反復折彎(可折疊)的顯示面板的開發。例如對于可折疊顯示面板用途的透明導電性膜強烈要求透明導電層對透明基材的密合性高。

技術實現思路

1、本專利技術提供適合于實現透明導電層對透明基材的高密合性的透明導電性膜。

2、本專利技術[1]包括一種透明導電性膜，其具備：透明基材，具有第一面和與該第一面相對的第二面；以及所述第一面上的透明導電層，其中，所述第一面具有1.50nm以上的表面粗糙度ra，所述透明導電層含有原子序數大于氬的稀有氣體原子。

3、本專利技術[2]包括上述[1]所述的透明導電性膜，其中，所述稀有氣體原子為氪。

4、本專利技術[3]包括上述[1]或[2]所述的透明導電性膜，其中，所述透明導電層為晶體膜。

5、本專利技術[4]包括上述[1]至[3]中任一項所述的透明導電性膜，其中，所述表面粗糙度ra為2.50nm以下。

6、本專利技術[5]包括上述[1]至[4]中任一項所述的透明導電性膜，其中，所述透明基材具有形成所述第一面的易粘接層(easy?adhesive?layer)，該易粘接層具有50nm以下的平均厚度。

7、專利技術效果

8、在本專利技術的透明導電性膜中，如上所述，透明基材的第一面的表面粗糙度ra為1.50nm以上，在該第一面上形成有透明導電層。這樣的構成適合于確保第一面對透明導電層的高錨固效果，有助于提高透明導電層對透明基材的密合性。此外，在本專利技術的透明導電性膜中，如上所述，透明導電層含有原子序數大于氬的稀有氣體原子。這樣的透明導電層可以通過透明導電材料在第一面上的濺射成膜來形成。在該濺射成膜中，使用原子序數大于氬的稀有氣體原子作為濺射氣體。在這樣的濺射成膜中，與使用氬作為濺射氣體的濺射成膜相比，能使透明導電材料以高能量碰撞透明基材而在該基材上沉積。這種情況有助于提高透明導電層對透明基材的密合性。因此，本專利技術的透明導電性膜適合于實現透明導電層對透明基材的高密合性。

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【技術保護點】

1.一種透明導電性膜，其具備：

2.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其中，

3.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其中，

4.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其中，

5.根據權利要求1至4中任一項所述的透明導電性膜，其中，

【技術特征摘要】

1.一種透明導電性膜，其具備：

2.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其中，

3.根據權利要求1所述的透明導電性膜...

【專利技術屬性】
技術研發人員：田邊凌祐，鴉田泰介，藤野望，
申請(專利權)人：日東電工株式會社，
類型：發明
國別省市：