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本技術(shù)公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)至少包括：襯底；有源區(qū)，多個所述有源區(qū)并列設(shè)置在所述襯底上，且相鄰所述有源區(qū)之間設(shè)置淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；多個柵極結(jié)構(gòu)，多個所述柵極結(jié)構(gòu)并列設(shè)置在所述有源區(qū)上，單個所述柵極結(jié)構(gòu)橫跨多個...該專利屬于合肥晶合集成電路股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過合肥晶合集成電路股份有限公司授權(quán)不得商用。