半導體裝置的制造方法制造方法及圖紙

提供一種特性的不均勻小的半導體裝置。形成第一絕緣體，在第一絕緣體上形成導電體，在導電體上形成第二絕緣體，在第二絕緣體上形成第三絕緣體，在第三絕緣體上形成氧化物，進行第一加熱處理，以及在進行第一加熱處理之后，接著進行第二加熱處理，其中第一加熱處理的溫度低于第二加熱處理的溫度。度低于第二加熱處理的溫度。度低于第二加熱處理的溫度。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】半導體裝置的制造方法


[0001]本專利技術的一個方式涉及一種金屬氧化物的制造方法。此外，本專利技術的一個方式涉及一種晶體管、半導體裝置以及電子設備。此外，本專利技術的一個方式涉及一種半導體裝置的制造方法。此外，本專利技術的一個方式涉及一種半導體晶片及模塊。
[0002]注意，在本說明書等中，半導體裝置是指能夠通過利用半導體特性而工作的所有裝置。除了晶體管等的半導體元件之外，半導體電路、運算裝置或存儲裝置也是半導體裝置的一個方式。顯示裝置(液晶顯示裝置、發光顯示裝置等)、投影裝置、照明裝置、電光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、半導體電路、攝像裝置、電子設備等有時包括半導體裝置。
[0003]注意，本專利技術的一個方式不局限于上述
本說明書等所公開的專利技術的一個方式涉及一種物體、方法或制造方法。此外，本專利技術的一個方式涉及一種工序(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。

技術介紹

[0004]近年來，已對半導體裝置進行開發，主要將LSI、CPU及存儲器等用于半導體裝置。CPU是包括通過加工半導體晶片而實現芯片化的半導體集成電路(至少包括晶體管及存儲器)且形成有作為連接端子的電極的半導體元件的集合體。
[0005]LSI、CPU及存儲器等的半導體電路(IC芯片)安裝在例如印刷線路板等電路板上，并被用作各種電子設備的部件之一。
[0006]此外，通過使用形成在具有絕緣表面的襯底上的半導體薄膜構成晶體管的技術受到矚目。該晶體管被廣泛地應用于集成電路(IC)或圖像顯示裝置(也簡單地記載為顯示裝置)等電子設備。作為可以應用于晶體管的半導體薄膜，硅類半導體材料被廣泛地周知。作為其他材料，氧化物半導體受到矚目。
[0007]此外，已知使用氧化物半導體的晶體管的泄漏電流在非導通狀態下極低。例如，專利文獻1已公開了應用使用氧化物半導體的晶體管的泄漏電流低的特性的低功耗CPU等。此外，例如，專利文獻2已公開了利用使用氧化物半導體的晶體管的泄漏電流低的特性實現存儲內容的長期保持的存儲裝置等。
[0008]近年來，隨著電子設備的小型化和輕量化，對集成電路的進一步高密度化的要求提高。此外，有提高包含集成電路的半導體裝置的生產率的需求。
[0009][先行技術文獻][0010][專利文獻][0011][專利文獻1]日本專利申請公開第2012
?
257187號公報
[0012][專利文獻2]日本專利申請公開第2011
?
151383號公報

技術實現思路

[0013]專利技術所要解決的技術問題
[0014]本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種晶體管的電特性的不均勻小的半導體
裝置。此外，本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種具有良好的可靠性的半導體裝置。此外，本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種具有良好的電特性的半導體裝置。此外，本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種通態電流高的半導體裝置。此外，本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種能夠實現微型化或高集成化的半導體裝置。此外，本專利技術的一個方式的目的之一是提供一種低功耗的半導體裝置。
[0015]注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。注意，本專利技術的一個方式并不需要實現所有上述目的。除上述目的外的目的從說明書、附圖、權利要求書等的描述中是顯而易見的，并且可以從所述描述中抽出。
[0016]解決技術問題的手段
[0017]本專利技術的一個方式是一種半導體裝置的制造方法，該制造方法包括：形成第一絕緣體；在第一絕緣體上形成導電體；在導電體上形成第二絕緣體；在第二絕緣體上形成第三絕緣體；在第三絕緣體上形成氧化物；進行第一加熱處理；以及在進行第一加熱處理之后，接著進行第二加熱處理，其中第一加熱處理的溫度低于第二加熱處理的溫度。
[0018]此外，本專利技術的一個方式是一種半導體裝置的制造方法，該制造方法包括：形成第一絕緣體；在第一絕緣體上形成導電體；在導電體上形成第二絕緣體；在第二絕緣體上形成第三絕緣體；在第三絕緣體上形成氧化物；進行第一加熱處理；在進行第一加熱處理之后，接著進行第二加熱處理；通過進行第一加熱處理，氧化物及第三絕緣體所包含的氫遷移到第二絕緣體并被第二絕緣體吸收；以及通過進行第二加熱處理，第二絕緣體所包含的氫遷移到第一絕緣體并被第一絕緣體吸收，其中第一加熱處理的溫度低于第二加熱處理的溫度。
[0019]在上述制造方法中，優選的是，在250℃以上且450℃以下的范圍內進行第一加熱處理，并且在450℃以上且600℃以下的范圍內進行第二加熱處理。
[0020]在上述制造方法中，優選的是，第一絕緣體使用包含鋁的濺射靶材及包含氧的氣體而形成，第二絕緣體是通過ALD法而形成的包含鉿的金屬氧化物。
[0021]在上述制造方法中，優選的是，氧化物通過濺射法而形成并包含銦、鎵以及鋅。
[0022]專利技術效果
[0023]根據本專利技術的一個方式可以提供一種晶體管特性的不均勻小的半導體裝置。此外，根據本專利技術的一個方式可以提供一種可靠性良好的半導體裝置。此外，根據本專利技術的一個方式可以提供一種具有良好的電特性的半導體裝置。此外，根據本專利技術的一個方式可以提供一種通態電流高的半導體裝置。此外，根據本專利技術的一個方式可以提供一種能夠實現微型化或高集成化的半導體裝置。此外，根據本專利技術的一個方式可以提供一種低功耗的半導體裝置。
[0024]注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。注意，本專利技術的一個方式并不需要實現所有上述效果。除上述效果外的效果從說明書、附圖、權利要求書等的描述中是顯而易見的，并且可以從所述描述中抽出。
附圖說明
[0025]圖1A至圖1E是示出本專利技術的一個方式的電容器的制造方法的截面圖。
[0026]圖2A是本專利技術的一個方式的半導體裝置的俯視圖，圖2B至圖2D是本專利技術的一個方
式的半導體裝置的截面圖。
[0027]圖3A及圖3B是本專利技術的一個方式的半導體裝置的截面圖。
[0028]圖4A是說明IGZO的結晶結構的分類的圖，圖4B是說明CAAC
?
IGZO膜的XRD譜的圖，圖4C是說明CAAC
?
IGZO膜的納米束電子衍射圖案的圖。
[0029]圖5A是本專利技術的一個方式的半導體裝置的俯視圖，圖5B至圖5D是本專利技術的一個方式的半導體裝置的截面圖。
[0030]圖6A是本專利技術的一個方式的半導體裝置的俯視圖，圖6B至圖6D是本專利技術的一個方式的半導體裝置的截面圖。
[0031]圖7A是本專利技術的一個方式的半導體裝置的俯視圖，圖7B至圖7D是本專利技術的一個方式的半導體裝置的截面圖。
[0032]圖8A是示出本專利技術的一個方式的半導體裝置的制造方法的俯視圖，圖8B至圖8D是示出本專利技術的一個方式的半導體裝置的制造方法的截面圖。
[0033]圖9A是示出本專利技術的一個方式的半導體裝置的制造方法本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種半導體裝置的制造方法，包括：形成第一絕緣體；在所述第一絕緣體上形成導電體；在所述導電體上形成第二絕緣體；在所述第二絕緣體上形成第三絕緣體；在所述第三絕緣體上形成氧化物；進行第一加熱處理；以及在進行所述第一加熱處理之后，接著進行第二加熱處理，其中，所述第一加熱處理的溫度低于所述第二加熱處理的溫度。2.一種半導體裝置的制造方法，包括：形成第一絕緣體；在所述第一絕緣體上形成導電體；在所述導電體上形成第二絕緣體；在所述第二絕緣體上形成第三絕緣體；在所述第三絕緣體上形成氧化物；進行第一加熱處理；在進行所述第一加熱處理之后，接著進行第二加熱處理；通過進行所述第一加熱處理，所述氧化物及所述第三絕緣體所包含的氫遷移到所述第二絕緣體并...

【專利技術屬性】
技術研發人員：山崎舜平，伊藤俊一，小松良寬，川口忍，笹川慎也，
申請(專利權)人：株式會社半導體能源研究所，
類型：發明
國別省市：