一種芯片轉(zhuǎn)移裝置、方法和顯示面板制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種芯片轉(zhuǎn)移裝置、方法和顯示面板。芯片轉(zhuǎn)移裝置包括載樣臺，用于放置芯片載板；轉(zhuǎn)移膜，設(shè)于載樣臺的一側(cè)，轉(zhuǎn)移膜靠近載樣臺的一側(cè)包括粘附層，粘附層用于粘附芯片；轉(zhuǎn)移膜具有彈性，能夠在外力作用下形變至接觸到芯片載板并在外力消失后恢復(fù)形狀；轉(zhuǎn)移頭，轉(zhuǎn)移頭正對載樣臺設(shè)置，轉(zhuǎn)移頭包括第一位移模塊，第一位移模塊用于控制轉(zhuǎn)移頭向靠近或遠離載樣臺的方向移動；轉(zhuǎn)移頭用于對轉(zhuǎn)移膜的部分區(qū)域施加外力，以使轉(zhuǎn)移膜的部分區(qū)域向靠近載樣臺的方向形變。能夠?qū)崿F(xiàn)有效的選擇性轉(zhuǎn)移。能夠?qū)崿F(xiàn)有效的選擇性轉(zhuǎn)移。能夠?qū)崿F(xiàn)有效的選擇性轉(zhuǎn)移。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種芯片轉(zhuǎn)移裝置、方法和顯示面板


[0001]本專利技術(shù)涉及芯片轉(zhuǎn)移領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片轉(zhuǎn)移裝置、方法和顯示面板。

技術(shù)介紹

[0002]在Micro
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LED(Micro Light
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Dmitting Diode，微型發(fā)光二極管)制備工藝中，全彩化技術(shù)一直是從業(yè)人員的研究重點，相比色彩轉(zhuǎn)換(QDs)和透鏡合成，RGB(Red、Green、Blue，紅/綠/藍三原色)LED(Light
?
Emitting Diode，發(fā)光二極管)方案要轉(zhuǎn)移三種不同顏色的LED芯片，由于不同顏色的芯片的轉(zhuǎn)移工藝條件有所不同，這對轉(zhuǎn)移工藝的穩(wěn)定性和精度要求較高；對RGB LED芯片進行轉(zhuǎn)移的傳統(tǒng)方案的過程中，轉(zhuǎn)移的工藝復(fù)雜性高，難以進行選擇性轉(zhuǎn)移。
[0003]因此，如何實現(xiàn)有效的選擇性轉(zhuǎn)移是亟需解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

[0004]鑒于上述相關(guān)技術(shù)的不足，本申請的目的在于提供芯片轉(zhuǎn)移裝置，旨在解決芯片進行轉(zhuǎn)移的傳統(tǒng)方案的過程中，難以實現(xiàn)選擇性轉(zhuǎn)移。
[0005]一種芯片轉(zhuǎn)移裝置，包括：
[0006]載樣臺，用于放置芯片載板；
[0007]轉(zhuǎn)移膜，設(shè)于所述載樣臺的一側(cè)，所述轉(zhuǎn)移膜靠近所述載樣臺的一側(cè)包括粘附層，所述粘附層用于粘附芯片；所述轉(zhuǎn)移膜能夠在外力作用下形變至接觸到所述芯片載板并在所述外力消失后恢復(fù)形狀；
[0008]轉(zhuǎn)移頭，所述轉(zhuǎn)移頭正對所述載樣臺設(shè)置，所述轉(zhuǎn)移頭包括第一位移模塊，所述第一位移模塊用于控制所述轉(zhuǎn)移頭向靠近或遠離所述載樣臺的方向移動；所述轉(zhuǎn)移頭用于對所述轉(zhuǎn)移膜的至少部分區(qū)域施加外力，以使所述轉(zhuǎn)移膜的至少部分區(qū)域向靠近所述載樣臺的方向形變。
[0009]上述芯片轉(zhuǎn)移裝置，可通過轉(zhuǎn)移頭將暫態(tài)基板上的芯片轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移膜上，通過轉(zhuǎn)移膜將芯片轉(zhuǎn)移至電路基板。在一些芯片轉(zhuǎn)移過程中，轉(zhuǎn)移頭能夠使轉(zhuǎn)移膜的部分區(qū)域接觸芯片載板并拾取芯片，可以通過轉(zhuǎn)移頭配合轉(zhuǎn)移膜實現(xiàn)芯片的選擇性轉(zhuǎn)移。
[0010]可選地，所述轉(zhuǎn)移頭還包括第二位移模塊，所述第二位移模塊用于控制所述轉(zhuǎn)移頭在平行于所述載樣臺的平面內(nèi)移動。
[0011]可以理解的是，通過使轉(zhuǎn)移頭的可移動，可實現(xiàn)轉(zhuǎn)移頭向轉(zhuǎn)移膜施加外力的區(qū)域的變換，在芯片轉(zhuǎn)移的過程中，能夠?qū)⑿酒O(shè)置到轉(zhuǎn)移膜的不同區(qū)域，有利于芯片的轉(zhuǎn)移。能夠在不影響轉(zhuǎn)移膜上已有的芯片的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)在轉(zhuǎn)移膜的不同區(qū)域轉(zhuǎn)移上其他芯片，在后續(xù)將芯片向電路基板轉(zhuǎn)移時，可一次實現(xiàn)多種芯片的轉(zhuǎn)移，這些芯片可一次性實現(xiàn)與電路基板的鍵合，避免多種芯片分別鍵合?？梢?，本實施例的芯片轉(zhuǎn)移裝置在一些實施過程中，能夠有利于減少鍵合次數(shù)，降低轉(zhuǎn)移的工藝復(fù)雜性，因而有利于減少鍵合過程中芯片的受損，提升芯片轉(zhuǎn)移的良率，且選擇性的拾取也利于轉(zhuǎn)移修補。
[0012]可選地，所述載樣臺包括加熱裝置，所述加熱裝置用于對所述載樣臺進行加熱以使所述載樣臺上放置的目標載板上設(shè)有的焊料融化，所述目標載板為用于接收轉(zhuǎn)移后的芯片的電路基板。
[0013]可以理解的是，通過在載樣臺設(shè)置加熱裝置，在芯片轉(zhuǎn)移到電路基板后，可以直接實現(xiàn)芯片與電路基板的鍵合，利于簡化鍵合的過程。
[0014]可選地，所述載樣臺包括第三位移模塊，所述第三位移模塊用于控制所述載樣臺在平行于所述轉(zhuǎn)移膜的平面內(nèi)移動。
[0015]可以理解的是，可移動的載樣臺有利于對準將芯片與轉(zhuǎn)移膜的對應(yīng)區(qū)域進行對準。
[0016]可選地，還包括夾具以及第四位移模塊；
[0017]所述第四位移模塊用于控制所述夾具向靠近或遠離所述載樣臺的方向移動；
[0018]所述夾具設(shè)于所述載樣臺以外，與所述第四位移模塊連接，所述夾具用于固定所述轉(zhuǎn)移膜。
[0019]可以理解的是，通過夾具穩(wěn)定設(shè)置轉(zhuǎn)移膜，且可調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)移膜與載樣臺的距離，有利于芯片的轉(zhuǎn)移，保證轉(zhuǎn)移的良率。
[0020]可選地，所述轉(zhuǎn)移頭上包括多個可活動凸塊結(jié)構(gòu)，各個所述可活動凸塊結(jié)構(gòu)可在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換；
[0021]所述可活動凸塊結(jié)構(gòu)在處于所述第一狀態(tài)時比處于所述第二狀態(tài)時更靠近所述載樣臺；處于所述第一狀態(tài)的所述可活動凸塊結(jié)構(gòu)用于對所述轉(zhuǎn)移膜的部分區(qū)域施加外力，以使所述轉(zhuǎn)移膜的部分區(qū)域向靠近所述載樣臺的方向形變。
[0022]可以理解的是，可活動凸塊結(jié)構(gòu)的設(shè)置，在一些實施過程中，有利于實現(xiàn)選擇性的轉(zhuǎn)移，提高轉(zhuǎn)移的靈活性。能夠在不影響轉(zhuǎn)移膜上已有的芯片的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)在轉(zhuǎn)移膜的不同區(qū)域轉(zhuǎn)移上其他芯片，在后續(xù)將芯片向電路基板轉(zhuǎn)移時，可一次實現(xiàn)多種芯片的轉(zhuǎn)移，這些芯片可一次性實現(xiàn)與電路基板的鍵合，避免多種芯片分別鍵合?？梢?，本實施例的芯片轉(zhuǎn)移裝置在一些實施過程中，能夠有利于減少鍵合次數(shù)，降低轉(zhuǎn)移的工藝復(fù)雜性，因而有利于減少鍵合過程中芯片的受損，提升芯片轉(zhuǎn)移的良率，且選擇性的拾取也利于轉(zhuǎn)移修補。
[0023]可選地，所述可活動凸塊結(jié)構(gòu)包括：
[0024]設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移頭內(nèi)部的容置孔；
[0025]磁性材料，設(shè)于所述容置孔內(nèi)；
[0026]彈性膜，設(shè)于所述容置孔靠近所述載樣臺一側(cè)的開口處，所述彈性膜將所述磁性材料封閉在所述容置孔內(nèi)；
[0027]所述磁性材料用于在電磁場的作用下，向靠近所述載樣臺的方向移動，以帶動所述彈性膜形變以使所述可活動凸塊結(jié)構(gòu)切換為所述第一狀態(tài)；所述彈性膜在磁性材料未受到電磁場的作用時恢復(fù)形狀，以使所述可活動凸塊結(jié)構(gòu)切換為所述第二狀態(tài)。
[0028]基于同樣的專利技術(shù)構(gòu)思，本申請還提供一種芯片轉(zhuǎn)移方法，包括：
[0029]提供上述示例的芯片轉(zhuǎn)移裝置；
[0030]將設(shè)有第一組待轉(zhuǎn)移的芯片的芯片載板置于所述載樣臺；
[0031]通過所述第一位移模塊控制所述轉(zhuǎn)移頭向所述轉(zhuǎn)移膜的第一區(qū)域施加外力，并將第一組待轉(zhuǎn)移的所述芯片轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移膜的所述第一區(qū)域上；
[0032]將所述載樣臺上放置的芯片載板替換為目標載板；
[0033]將第一組待轉(zhuǎn)移的所述芯片從所述轉(zhuǎn)移膜轉(zhuǎn)移至所述目標載板。
[0034]上述芯片轉(zhuǎn)移方法，利用上述實施例的芯片轉(zhuǎn)移裝置將芯片先轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)移膜上，再從轉(zhuǎn)移膜上轉(zhuǎn)移至目標載板，根據(jù)轉(zhuǎn)移頭的結(jié)構(gòu)，可將芯片轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)移膜的任意區(qū)域，且能夠?qū)崿F(xiàn)選擇性的轉(zhuǎn)移，即使轉(zhuǎn)移膜上的其他區(qū)域已經(jīng)設(shè)有芯片，也能夠在不影響其他芯片的情況下將第一組待轉(zhuǎn)移的芯片轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移膜上，一些過程中既可進行選擇性的轉(zhuǎn)移，且也能夠?qū)崿F(xiàn)將轉(zhuǎn)移膜上所有芯片的一次性轉(zhuǎn)移，可見該芯片轉(zhuǎn)移方法應(yīng)用靈活，且在一些實施過程中有利于減少鍵合次數(shù)，降低轉(zhuǎn)移的工藝復(fù)雜性，因而有利于減少鍵合過程中芯片的受損，提升芯片轉(zhuǎn)移的良率，也利于轉(zhuǎn)移修補。
[0035]可選地，所述將所述載樣臺上放置的芯片載板替換為目標載板之前，還包括：
[0036]將所述載樣臺上放置的設(shè)有第一組待轉(zhuǎn)移的芯片的芯片載板替換為設(shè)有第二組待轉(zhuǎn)移的芯片的芯片載板；
[0037]所述轉(zhuǎn)移頭向所述轉(zhuǎn)移膜的第二區(qū)域施加外力，并將第二組待轉(zhuǎn)移的所述芯片轉(zhuǎn)移本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種芯片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，包括：載樣臺，用于放置芯片載板；轉(zhuǎn)移膜，設(shè)于所述載樣臺的一側(cè)，所述轉(zhuǎn)移膜靠近所述載樣臺的一側(cè)包括粘附層，所述粘附層用于粘附芯片；所述轉(zhuǎn)移膜能夠在外力作用下形變至接觸到所述芯片載板并在所述外力消失后恢復(fù)形狀；轉(zhuǎn)移頭，所述轉(zhuǎn)移頭正對所述載樣臺設(shè)置，所述轉(zhuǎn)移頭包括第一位移模塊，所述第一位移模塊用于控制所述轉(zhuǎn)移頭向靠近或遠離所述載樣臺的方向移動；所述轉(zhuǎn)移頭用于對所述轉(zhuǎn)移膜的至少部分區(qū)域施加外力，以使所述轉(zhuǎn)移膜的至少部分區(qū)域向靠近所述載樣臺的方向形變。2.如權(quán)利要求1所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移頭還包括第二位移模塊，所述第二位移模塊用于控制所述轉(zhuǎn)移頭在平行于所述載樣臺的平面內(nèi)移動。3.如權(quán)利要求1所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述載樣臺包括加熱裝置，所述加熱裝置用于對所述載樣臺進行加熱以使所述載樣臺上放置的目標載板上設(shè)有的焊料融化，所述目標載板為用于接收轉(zhuǎn)移后的芯片的電路基板。4.如權(quán)利要求1所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述載樣臺包括第三位移模塊，所述第三位移模塊用于控制所述載樣臺在平行于所述轉(zhuǎn)移膜的平面內(nèi)移動。5.如權(quán)利要求1所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，還包括夾具以及第四位移模塊；所述第四位移模塊用于控制所述夾具向靠近或遠離所述載樣臺的方向移動；所述夾具設(shè)于所述載樣臺以外，與所述第四位移模塊連接，所述夾具用于固定所述轉(zhuǎn)移膜。6.如權(quán)利要求1
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5任一項所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移頭上包括多個可活動凸塊結(jié)構(gòu)，各個所述可活動凸塊結(jié)構(gòu)可在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換；所述可活動凸塊結(jié)構(gòu)在處于所述第一狀態(tài)時比處于所述第二狀態(tài)時更靠近所述載樣臺；處于所述第一狀態(tài)的所述可活動凸塊結(jié)構(gòu)用于對所述轉(zhuǎn)移膜的部分區(qū)域施加外力，以使所述轉(zhuǎn)移膜的部分區(qū)域向靠近所述載樣臺的方向形變。...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李勛，李欣曈，洪溫振，蔡明達，顧強，
申請(專利權(quán))人：重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：