過溫檢測電路、線性穩壓器、芯片以及電子設備制造技術

本申請公開一種過溫檢測電路、線性穩壓器、芯片以及電子設備，涉及集成電路技術領域，該電路包括第一輸入模塊，用于獲取第一偏置信號，產生正壓信號；第二輸入模塊，用于獲取第二偏置信號，產生負壓信號，負壓信號隨溫度變大而減小；比較模塊，分別與第一輸入模塊和第二輸入模塊連接，用于比較正壓信號和負壓信號，當正壓信號大于負壓信號時，輸出過溫信號。通過第一輸入模塊和第二輸入模塊獲取正壓信號和負壓信號，將正壓信號和負壓信號送入比較模塊確定出電壓差值，之后根據電壓差值確定出過溫信號，能夠利用第一輸入模塊、第二輸入模塊及比較模塊進行電路布局，從而減小電路布局面積，以便于滿足用戶對電路或IC布局微型化的要求。求。求。

【技術實現步驟摘要】
過溫檢測電路、線性穩壓器、芯片以及電子設備


[0001]本申請涉及集成電路
，具體涉及一種過溫檢測電路、線性穩壓器、芯片以及電子設備。

技術介紹

[0002]現有過溫保護電路包括過溫檢測子電路和過溫保護子電路，其中過溫檢測電路是通過雙極性三極管、電阻及PMOS管組合得到的第一支路獲得正向電流，通過多個雙極性三極管、電阻及NMOS管組合得到的第二支路獲得反向電流，之后將正向電流和反向電流送入反相器中，利用反相器對正向電流和反向電流的電平狀態進行判斷，當反相器的輸出為高電平時，則與反相器連接的過溫保護子電路截止或關斷，完成對電路的過溫保護。
[0003]雖然在現有技術中，通過多種元件組合能夠實現電路的過溫檢測，但由于過溫檢測子電路使用的是多種元件組合，造成電路或IC布局面積大，無法滿足用戶對電路或IC布局微型化的要求。

技術實現思路

[0004]鑒于此，本申請提供一種過溫檢測電路、線性穩壓器、芯片以及電子設備，以解決現有過溫檢測電路中，由于其電路布局面積較大，無法滿足用戶對電路或IC布局微型化的要求的問題。
[0005]本申請提供的一種過溫檢測電路，包括：
[0006]第一輸入模塊，用于獲取第一偏置信號，產生正壓信號；
[0007]第二輸入模塊，用于獲取第二偏置信號，產生負壓信號，所述負壓信號隨溫度變大而減小；
[0008]比較模塊，分別與所述第一輸入模塊和所述第二輸入模塊連接，用于比較所述正壓信號和所述負壓信號，當所述正壓信號大于所述負壓信號時，輸出過溫信號。<br/>[0009]其中，過溫檢測電路還包括偏置模塊，分別與所述第一輸入模塊和所述第二輸入模塊連接，用于為向所述第一輸入模塊提供第一偏置信號，以及用于向所述第二輸入模塊提供第二偏置信號，其中，所述第一偏置信號用于向所述第一輸入模塊提供穩定第一輸入模塊工作狀態的工作電壓及工作電流；所述第二偏置信號用于向所述第二輸入模塊提供穩定第二輸入模塊工作狀態的工作電壓及工作電流；
[0010]供電模塊，與所述偏置模塊連接，用于向所述偏置模塊進行供電，使所述偏置模塊輸出所述第一偏置信號和所述第二偏置信號。
[0011]其中，所述供電模塊包括電流源。
[0012]其中，所述比較模塊包括：
[0013]比較器，所述比較器的第一輸入端與所述第一輸入模塊的輸出端連接，所述比較器的第二輸入端與所述第二輸入模塊的輸出端連接；所述比較器的輸出端用于輸出所述過溫信號。
[0014]其中，所述第一輸入模塊包括：
[0015]第一MOS管，所述第一MOS管的漏極分別與所述比較模塊的第一輸入端、所述偏置模塊的輸出端連接，所述第一MOS管的漏極用于獲取所述第一偏置信號，并向所述比較模塊輸出所述正壓信號，所述第一MOS管的柵極與所述第一MOS管的源極連接，所述第一MOS管的源極接地。
[0016]其中，所述第二輸入模塊包括：
[0017]第二MOS管和第一三極管，所述第二MOS管的漏極分別與所述偏置模塊的輸出端、所述第一三極管的基極連接，所述第一三極管的發射極分別與所述比較模塊的第二輸入端、所述偏置模塊的輸出端連接，所述第一三極管的發射極用于獲取所述第二偏置信號，并向所述比較模塊輸出所述負壓信號，所述第一三極管的發射極用于所述第二MOS管的柵極與所述第二MOS管的源極連接，所述第二MOS管的源極、所述第一三極管的集電極均接地。
[0018]其中，所述偏置模塊包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS；
[0019]所述第三MOS管的漏極、所述第四MOS管的漏極、所述第五MOS管的漏極、所述第六MOS管的漏極均接電源，所述第三MOS管的源極與所述供電模塊連接，所述第三MOS管的源極還分別與所述第三MOS管的柵極、所述第四MOS管的柵極、所述第五MOS管的柵極及所述第六MOS管的柵極連接；所述第四MOS管的源極分別與所述第一輸入模塊、所述比較模塊連接；
[0020]所述第五MOS管的源極與所述第二輸入模塊連接，所述第六MOS管的源極分別與所述第二輸入模塊、所述比較模塊連接。
[0021]其中，所述第一MOS管溝道的寬長比小于所述第二MOS管溝道的寬長比。
[0022]其中，所述正壓信號
[0023]所述負壓信號
[0024]所述第一MOS管、第二MOS管以及第一三極管的參數被設置為滿足：
[0025]當環境溫度等于或小于預設溫度
，
所述正壓信號小于負壓信號時，
[0026][0027][0028]當環境溫度處于大于預設溫度，所述正壓信號大于負壓信號時，
[0029][0030]其中，VTHP表示為PMOS管的閾值電壓；IB1表示為供電模塊提供的偏置電流，up表示為空穴的遷移率；Cox表示為單位面積的柵氧化層電容；W1/L1表示為第一MOS管溝道的寬長比；W2/L2表示為第二MOS管溝道的寬長比；Vbe1表示為第一三極管發射極與基極之間的電壓。
[0031]其中，所述預設溫度的范圍為140℃至160℃。
[0032]其中，比較器為遲滯電壓比較器。
[0033]其中，第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管的電流鏡像比例為1：1：1：1。
[0034]本申請提供的一種線性穩壓器，包括上述所述的過溫檢測電路。
[0035]本申請提供的一種芯片，包括上述所述的過溫檢測電路，或上述所述的線性穩壓器。
[0036]本申請提供的一種電子設備，包括上述所述的過溫檢測電路，或上述所述的線性穩壓器，或上述所述的芯片。
[0037]本申請上述所提供的過溫檢測電路，通過第一輸入模塊和第二輸入模塊獲取正壓信號和負壓信號，將正壓信號和負壓信號送入比較模塊進行比較，判斷正壓信號是否大于所述負壓信號，從而確定出電路中是否存在過溫，在本實施例中利用第一輸入模塊、第二輸入模塊及比較模塊進行電路布局，減小電路布局面積，從而滿足用戶對電路或IC布局微型化的要求。
附圖說明
[0038]為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1為本申請實施例的過溫檢測電路的結構示意圖；
[0040]圖2為本申請可選的實施例的過溫檢測電路的示意圖；
[0041]圖3為本申請實施例的過溫檢測電路的結構示意圖；
[0042]圖4為本申請可選的實施例的過溫檢測電路的示意圖；
[0043]圖5為本申請可選的實施例的過溫檢測電路的示意圖。
具體實施方式
[0044]下面結合附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本申請一部分實施例，而非全部實施例。基于本申請中的實施例，本領域技術人員在沒有本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種過溫檢測電路，其特征在于，包括：第一輸入模塊，用于獲取第一偏置信號，產生正壓信號；第二輸入模塊，用于獲取第二偏置信號，產生負壓信號，所述負壓信號隨溫度變大而減小；比較模塊，分別與所述第一輸入模塊和所述第二輸入模塊連接，用于比較所述正壓信號和所述負壓信號，當所述正壓信號大于所述負壓信號時，輸出過溫信號。2.根據權利要求1所述的過溫檢測電路，其特征在于，還包括：偏置模塊，分別與所述第一輸入模塊和所述第二輸入模塊連接，用于為向所述第一輸入模塊提供第一偏置信號，以及用于向所述第二輸入模塊提供第二偏置信號，其中，所述第一偏置信號用于向所述第一輸入模塊提供穩定第一輸入模塊工作狀態的工作電壓及工作電流；所述第二偏置信號用于向所述第二輸入模塊提供穩定第二輸入模塊工作狀態的工作電壓及工作電流；供電模塊，與所述偏置模塊連接，用于向所述偏置模塊進行供電，使所述偏置模塊輸出所述第一偏置信號和所述第二偏置信號。3.根據權利要求2所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述供電模塊包括電流源。4.根據權利要求2所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述比較模塊包括：比較器，所述比較器的第一輸入端與所述第一輸入模塊的輸出端連接，所述比較器的第二輸入端與所述第二輸入模塊的輸出端連接；所述比較器的輸出端用于輸出所述過溫信號。5.根據權利要求2所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述第一輸入模塊包括：第一MOS管，所述第一MOS管的漏極分別與所述比較模塊的第一輸入端、所述偏置模塊的輸出端連接，所述第一MOS管的漏極用于獲取所述第一偏置信號，并向所述比較模塊輸出所述正壓信號，所述第一MOS管的柵極與所述第一MOS管的源極連接，所述第一MOS管的源極接地。6.根據權利要求5所述的過溫檢測電路，其特征在于，所述第二輸入模塊包括：第二MOS管和第一三極管，所述第二MOS管的漏極分別與所述偏置模塊的輸出端、所述第一三極管的基極連接，所述第一三極管的發射極分別與所述比較模塊的第二輸入端、所述偏置模塊的輸出端連接，所述第一三極管的發射極用于獲取所述第二偏置信號，并向所述比較模塊輸出所述負壓信號，所述第一三極管的發射極用于所述第二MOS管的柵極與所述第二MOS管的源極連接，所述第二MOS管的源極、所述第一三極管的集電極均接地。7.根據權利要求6所述的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李念龍，余東升，劉珍超，
申請(專利權)人：上海艾為電子技術股份有限公司，
類型：新型
國別省市：