一種電阻測試結(jié)構(gòu)及電阻測試方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種電阻測試結(jié)構(gòu)及電阻測試方法。所述電阻測試結(jié)構(gòu)包括：多個第一測試模塊；每一所述第一測試模塊包括：形成于同一半導(dǎo)體器件有源區(qū)之上的兩個間隔設(shè)置的第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)；相鄰兩所述第一測試模塊中一第一測試模塊的第一接觸結(jié)構(gòu)與另一第一測試模塊的第二接觸結(jié)構(gòu)之間相鄰且電連接，從而多個所述第一測試模塊形成第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端分別電連接一第一測試焊墊；其中，通過在所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)兩端的所述第一測試焊墊上施加測試電壓并測量輸出電流，實(shí)現(xiàn)對所述第一測試模塊相應(yīng)接觸電阻的測試與監(jiān)控。的測試與監(jiān)控。的測試與監(jiān)控。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種電阻測試結(jié)構(gòu)及電阻測試方法


[0001]本專利技術(shù)涉及集成電路制造
，尤其涉及一種電阻測試結(jié)構(gòu)及電阻測試方法。

技術(shù)介紹

[0002]靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)由于其低壓操作、讀寫速度快得到廣泛應(yīng)用，其中以6個晶體管為一個存儲單元的6T
?
SRAM最為常見。在6T
?
SRAM布局中，因?yàn)槭褂酶嗟木w管占據(jù)了更多的面積。為了減少SRAM在集成電路中的面積，在更為先進(jìn)的工藝中引入了共享接觸孔(shared CT)結(jié)構(gòu)。與普通接觸孔(CT)結(jié)構(gòu)相比，共享接觸孔工作環(huán)境更加復(fù)雜，套刻精度、金屬硅化物(Salicide)與柵極(例如采用多晶硅)的形貌問題等都會對共享接觸孔的接觸造成影響，進(jìn)而增大整個體系的電阻。
[0003]如圖1中示出了兩種可能的共享接觸孔的接觸問題，標(biāo)號A對應(yīng)區(qū)域示出了套刻出現(xiàn)偏差，標(biāo)號B對應(yīng)區(qū)域示出了金屬硅化物損失，這些都會造成共享接觸孔的接觸問題，進(jìn)而增大整個體系的電阻。
[0004]因此，如何實(shí)現(xiàn)對共享接觸孔的接觸情況進(jìn)行準(zhǔn)確的測試，進(jìn)而避免整個體系的電阻增大，是目前亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0005]本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是，提供一種電阻測試結(jié)構(gòu)及電阻測試方法，以實(shí)現(xiàn)對待測組件的接觸電阻以及接觸情況進(jìn)行準(zhǔn)確的測試及監(jiān)控。
[0006]為解決上述問題，本專利技術(shù)一實(shí)施例提供了一種電阻測試結(jié)構(gòu)，包括：多個第一測試模塊；每一所述第一測試模塊包括：形成于同一半導(dǎo)體器件有源區(qū)之上的兩個間隔設(shè)置的第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)；相鄰兩所述第一測試模塊中一第一測試模塊的第一接觸結(jié)構(gòu)與另一第一測試模塊的第二接觸結(jié)構(gòu)之間相鄰且電連接，從而多個所述第一測試模塊形成第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端分別電連接一第一測試焊墊；其中，通過在所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)兩端的所述第一測試焊墊上施加測試電壓并測量輸出電流，實(shí)現(xiàn)對所述第一測試模塊相應(yīng)接觸電阻的測試與監(jiān)控。
[0007]在一些實(shí)施例中，所述有源區(qū)為第一摻雜類型的重?fù)絽^(qū)；所述第一接觸結(jié)構(gòu)為接觸孔結(jié)構(gòu)，所述接觸孔結(jié)構(gòu)與所述重?fù)絽^(qū)之間形成第一接觸電阻；所述第二接觸結(jié)構(gòu)為共享接觸孔結(jié)構(gòu)，所述共享接觸孔結(jié)構(gòu)與所述重?fù)絽^(qū)之間形成共享接觸孔接觸電阻；通過在所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)兩端的所述第一測試焊墊上施加測試電壓并測量輸出電流，基于所述重?fù)絽^(qū)的電阻、所述第一接觸電阻，實(shí)現(xiàn)對所述共享接觸孔接觸電阻的測試與監(jiān)控。
[0008]在一些實(shí)施例中，所述有源區(qū)為第一摻雜類型的重?fù)絽^(qū)，所述第一接觸結(jié)構(gòu)與所述第二接觸結(jié)構(gòu)均為共享接觸孔結(jié)構(gòu)，所述共享接觸孔結(jié)構(gòu)與所述重?fù)絽^(qū)之間形成共享接觸孔接觸電阻；通過在所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端所述第一測試焊墊上施加測試電壓并測量輸出電流，基于所述重?fù)絽^(qū)的電阻，實(shí)現(xiàn)對所述共享接觸孔接觸電阻的測試與監(jiān)控。
[0009]為解決上述問題，本專利技術(shù)一實(shí)施例還提供了一種電阻測試方法，包括：提供多個相互隔離的半導(dǎo)體器件有源區(qū)；于每一所述有源區(qū)之上形成一第一測試模塊的兩個間隔設(shè)置的第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)，其中，相鄰兩所述第一測試模塊中一第一測試模塊的第一接觸結(jié)構(gòu)與另一第一測試模塊的第二接觸結(jié)構(gòu)之間相鄰且電連接，從而多個所述第一測試模塊形成第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端分別電連接一第一測試焊墊；在所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)兩端的所述第一測試焊墊上施加測試電壓并測量輸出電流，以對所述第一測試模塊相應(yīng)接觸電阻進(jìn)行測試與監(jiān)控。
[0010]本專利技術(shù)通過設(shè)計(jì)一種接觸結(jié)構(gòu)的串聯(lián)結(jié)構(gòu)，并將有源區(qū)作為串聯(lián)結(jié)構(gòu)的一部分，通過在該串聯(lián)結(jié)構(gòu)兩端施加測試電壓并測量輸出電流，可以對接觸結(jié)構(gòu)相應(yīng)接觸電阻進(jìn)行精準(zhǔn)的測試，進(jìn)而根據(jù)測試結(jié)果對接觸情況進(jìn)行監(jiān)控。進(jìn)一步將包括其它測試模塊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)電連接至該串聯(lián)結(jié)構(gòu)并分步測試，可以實(shí)現(xiàn)對相應(yīng)結(jié)構(gòu)電阻的測試與監(jiān)控功能。
附圖說明
[0011]為了更清楚地說明本專利技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅是本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0012]圖1為共享接觸孔存在接觸問題示意圖；
[0013]圖2為本專利技術(shù)一實(shí)施例提供的電阻測試結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0014]圖3為沿圖2中A
?
A
’
線的膜層剖視圖；
[0015]圖4為本專利技術(shù)另一實(shí)施例提供的電阻測試結(jié)構(gòu)的膜層剖視圖；
[0016]圖5為本專利技術(shù)再一實(shí)施例提供的電阻測試結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0017]圖6為本專利技術(shù)一實(shí)施例提供的電阻測試方法的步驟示意圖。
[0018]圖中標(biāo)號說明：
[0019]101、P型襯底
????
102、N阱
??????
103、氧化層
[0020]104、STI
?????????
105、有源區(qū)106、金屬硅化物
[0021]107、SiC
?????????
108、SiN
??????
109、柵極
[0022]110、Ti/TiN
??????
111、W
[0023]401、P型襯底402、N阱
???
403、氧化層
[0024]404、STI
?????????
201、有源區(qū)406、金屬硅化物
[0025]407、SiC
?????????
408、SiN
??????
409、柵極
[0026]410、Ti/TiN
??????
411、W
具體實(shí)施方式
[0027]下面將結(jié)合附圖，對本專利技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本專利技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。
[0028]為清楚說明本專利技術(shù)，以下給出本專利技術(shù)中部分技術(shù)名詞的定義。
[0029]接觸孔(CT)：是第一層金屬與有源區(qū)(AA)或多晶硅之間的絕緣層上的開孔，用于使第一層金屬與有源區(qū)或多晶硅之間形成接觸。
[0030]共享接觸孔(Share CT)：是接觸孔的一種，共享接觸孔同時(shí)作為兩個及以上部件(例如柵極和源極或柵極和漏極)共用的接觸孔。
[0031]通孔(VIA)：是金屬層之間的絕緣層上的開孔，用于連接相應(yīng)的金屬層。
[0032]P型襯底(P
?
type Sub)：是在本征半導(dǎo)體中摻入元素周期表中的第III族元素得內(nèi)部可流動的正電粒子(空穴)數(shù)量大于負(fù)電粒子(電子)，形成P型半導(dǎo)體，P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat)。
[0033]淺溝道隔離(shallow trench isolation，簡稱STI)：通常用于0.25um以下工藝，通過利用氮化硅掩膜經(jīng)過本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種電阻測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：多個第一測試模塊；每一所述第一測試模塊包括：形成于同一半導(dǎo)體器件有源區(qū)之上的兩個間隔設(shè)置的第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)；相鄰兩所述第一測試模塊中一第一測試模塊的第一接觸結(jié)構(gòu)與另一第一測試模塊的第二接觸結(jié)構(gòu)之間相鄰且電連接，從而多個所述第一測試模塊形成第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端分別電連接一第一測試焊墊；其中，通過在所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)兩端的所述第一測試焊墊上施加測試電壓并測量輸出電流，實(shí)現(xiàn)對所述第一測試模塊相應(yīng)接觸電阻的測試與監(jiān)控。2.如權(quán)利要求1所述的電阻測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源區(qū)為第一摻雜類型的重?fù)絽^(qū)；所述第一接觸結(jié)構(gòu)為接觸孔結(jié)構(gòu)，所述接觸孔結(jié)構(gòu)與所述重?fù)絽^(qū)之間形成第一接觸電阻；所述第二接觸結(jié)構(gòu)為共享接觸孔結(jié)構(gòu)，所述共享接觸孔結(jié)構(gòu)與所述重?fù)絽^(qū)之間形成共享接觸孔接觸電阻；通過在所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)兩端的所述第一測試焊墊上施加測試電壓并測量輸出電流，基于所述重?fù)絽^(qū)的電阻、所述第一接觸電阻，實(shí)現(xiàn)對所述共享接觸孔接觸電阻的測試與監(jiān)控。3.如權(quán)利要求1所述的電阻測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源區(qū)為第一摻雜類型的重?fù)絽^(qū)，所述第一接觸結(jié)構(gòu)與所述第二接觸結(jié)構(gòu)均為共享接觸孔結(jié)構(gòu)，所述共享接觸孔結(jié)構(gòu)與所述重?fù)絽^(qū)之間形成共享接觸孔接觸電阻；通過在所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端所述第一測試焊墊上施加測試電壓并測量輸出電流，基于所述重?fù)絽^(qū)的電阻，實(shí)現(xiàn)對所述共享接觸孔接觸電阻的測試與監(jiān)控。4.如權(quán)利要求1所述的電阻測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰兩所述第一測試模塊中一第一測試模塊的第一接觸結(jié)構(gòu)與另一第一測試模塊的第二接觸結(jié)構(gòu)之間相鄰且通過遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的第一金屬結(jié)構(gòu)電連接，所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端分別通過遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的第二金屬結(jié)構(gòu)電連接相應(yīng)的第一測試焊墊。5.如權(quán)利要求4所述的電阻測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬結(jié)構(gòu)、第二金屬結(jié)構(gòu)通過對遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的同一金屬層進(jìn)行圖案化形成。6.如權(quán)利要求1所述的電阻測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括至少一第二串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述第二串聯(lián)結(jié)構(gòu)包括多個串聯(lián)的第二測試模塊；所述第二串聯(lián)結(jié)構(gòu)一端電連接至所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，另一端電連接一第二測試焊墊；其中，通過在所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)一端的第一測試焊墊以及所述第二測試焊墊上施加測試電壓并測量輸出電流，實(shí)現(xiàn)對所述第二測試模塊相應(yīng)電阻的測試與監(jiān)控。7.一種電阻測試方法，其特征在于，包括：提供多個相互隔離的半導(dǎo)體器件有源區(qū)；于每一所述有源區(qū)之上形成一第一測試模塊的兩個間隔設(shè)置的第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)，其中，相鄰兩所述第一測試模塊中一第一測試模塊的第一接觸結(jié)構(gòu)與另一第一測試模塊的第二接觸結(jié)構(gòu)之間相鄰且電連接，從而多個所述第一測試模塊形成第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端分別電連接一第一測試焊墊；
在所述第一串聯(lián)結(jié)構(gòu)兩端的所述第一測試焊墊上施加測試電壓并測量輸出電流，以對所述第一測試模塊相應(yīng)接觸電阻進(jìn)行測試與監(jiān)控。8.如權(quán)利要求7所述的電阻測試方法，其特征在于，所述有源區(qū)為第一摻雜類型的重?fù)絽^(qū)，所述第一接觸結(jié)構(gòu)為接觸孔結(jié)構(gòu)，所述接觸孔結(jié)構(gòu)與所述重...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李留洋，谷東光，常建光，
申請(專利權(quán))人：上海積塔半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：