一種基于無機薄膜的器件封裝方法技術

本發明專利技術公開一種基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，包括步驟：控制有機前驅物的反應用量，在器件表面生成一無機薄膜；將所述無機薄膜放入HHIC反應器中并通入H2，所述H2電離后形成H等離子，通過所述H等離子使所述有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間相互交聯，在所述器件表面形成一層封裝薄膜層；通過本發明專利技術方法可以極大地提高封裝薄膜的致密性，減小封裝薄膜內部的空隙和水氧通過途徑，從而提升封裝薄膜的水氧阻隔效果。

A Device Packaging Method Based on Inorganic Thin Film

The invention discloses a device packaging method based on an inorganic film, which includes steps: controlling the reaction amount of organic precursors, forming an inorganic film on the surface of the device; putting the inorganic film into the HHIC reactor and feeding into H2, forming H plasma after ionization of the H2, and using the H plasma to make the organic precursors or between the organic precursors or the inorganic precursors. The method of the invention can greatly improve the compactness of the packaging film, reduce the voids in the packaging film and the water-oxygen passage way, thereby improving the water-oxygen barrier effect of the packaging film.

【技術實現步驟摘要】
一種基于無機薄膜的器件封裝方法
本專利技術涉及器件封裝
，尤其涉及一種基于無機薄膜的器件封裝方法。
技術介紹
半導體量子點（Quantumdot,QDs）具有熒光量子效率高、可見光波段發光可調、色域覆蓋度寬廣等特點。以量子點為發光材料的發光二極管被稱為量子點發光二極管（Quantumdotlight-emittingdiode,QLED）器件，其具有色彩飽和、能效更高、色溫更佳、壽命長等優點，有望成為下一代固態照明和平板顯示的主流技術。QLED器件在制備完各種功能層和量子點發光層后，還需對其進行薄膜封裝處理；由于封裝薄膜在微觀上不是致密的，因此需要采用多層不同材料的薄膜堆疊來提高封裝薄膜的水氧阻隔效果；然而，簡單的通過多層薄膜堆疊并不能完全去除薄膜不致密導致的空洞，并且多層薄膜之間的應力阻礙了QLED器件的可撓性等。因此，現有技術還有待于改進和發展。
技術實現思路
鑒于上述現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種基于無機薄膜的器件封裝方法，旨在解決現有器件封裝工藝水氧阻隔效果差的問題。本專利技術的技術方案如下：一種基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，包括步驟：A、控制有機前驅物的反應用量，在器件表面生成一無機薄膜；B、將所述無機薄膜放入HHIC反應器中并通入H2，所述H2電離后形成H等離子，通過所述H等離子使所述有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間相互交聯，在所述器件表面形成一層封裝薄膜層。所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，所述有機前驅物為CH4、SiH4、HDMSO、乙酸鋅二水中的一種或多種。所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，所述步驟A具體包括：控制有機前驅物的反應用量，使所述有機前驅物在生成無機薄膜后，剩余的有機前驅物占無機薄膜重量的比例為1：99-99：1。所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，所述H等離子的能量為1-100eV。所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，所述H等離子的能量為20-60eV。所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，所述交聯反應時間為1-30min。所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，所述交聯反應時間為10-20min。所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，所述封裝薄膜層的厚度為10-100nm。所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，所述封裝薄膜層的厚度為30-80nm。所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其中，所述器件為QLED器件。有益效果：本專利技術提供一種基于無機薄膜的器件封裝方法，通過控制有機前驅物的反應用量，在器件表面生成一無機薄膜；采用H等離子使有機前驅物之間或有機前驅物與無機薄膜之間相互交聯，從而在器件表面形成一層封裝薄膜層；通過本專利技術方法可以極大地提高封裝薄膜的致密性，減小封裝薄膜內部的空隙和水氧通過途徑，從而提升封裝薄膜的水氧阻隔效果。附圖說明圖1為本專利技術一種基于無機薄膜的器件封裝方法較佳實施例的流程圖。具體實施方式本專利技術提供一種基于無機薄膜的器件封裝方法，為使本專利技術的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本專利技術進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。請參閱圖1，圖1為本專利技術一種基于無機薄膜的器件封裝方法較佳實施例的流程圖，如圖所示，其中，包括步驟：S100、控制有機前驅物的反應用量，在器件表面生成一無機薄膜；S200、將所述無機薄膜放入HHIC反應器中并通入H2，所述H2電離后形成H等離子，通過所述H等離子使所述有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間相互交聯，在所述器件表面形成一層封裝薄膜層；具體來說，現有光電器件在采用封裝薄膜進行封裝的過程中，由于封裝薄膜在微觀上不是致密的，其內部依然存在空隙和水氧通過途徑，因此現有技術中封裝薄膜的水氧阻隔效果較差；為解決上述問題，本專利技術通過控制有機前驅物的反應用量，采用PECVD方法在器件表面生成一無機薄膜；采用H等離子使所述有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間相互交聯，從而在所述器件表面形成一層致密的封裝薄膜層；通過本專利技術提供的基于無機薄膜的器件封裝方法,可以在光電器件表面制備出一種具有高致密性的封裝薄膜，所述封裝薄膜內部不存在空隙和水氧通過途徑，從而提升封裝薄膜的水氧阻隔效果。本專利技術所采用的PEVCD（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）-等離子體增強化學氣相沉積法，在器件上生成無機薄膜，所述PEVCD是借助微波或射頻等有機前驅物的氣體電離，在局部形成等離子體，由于等離子體化學活性很強，使成膜反應在低溫下容易發生，從而在基片上沉積出所期望的無機薄膜。具體來說，在本專利技術中，所述有機前驅物為CH4、SiH4、HDMSO（六甲基二硅醚）、乙酸鋅二水（Zincacetatedihydrate）中的一種或多種；所述步驟S100具體為通過控制有機前驅物的反應用量，使所述有機前驅物在反應生成無機薄膜后，剩余的有機前驅物占無機薄膜重量的比例為1：99-99：1；也就是說，在制備無機薄膜的過程中，所述有機前驅物的反應用量為過量。在所述步驟S100中，在真空條件下，將所述QLED器件放置在低氣壓輝光放電的電極上，通入所述有機前驅物中的一種或多種，所述有機前驅物在QLED器件表面生成一無機薄膜；進一步，在所述步驟S200中，將所述無機薄膜放入HHIC反應器中并通入H2，所述H2電離后形成H等離子，通過所述H等離子使有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間相互交聯，在所述器件表面形成一層致密的封裝薄膜層；所述封裝薄膜層的厚度為10-100nm，若封裝薄膜層的厚度小于10nm，則難以保證封裝薄膜層的水氧阻隔效果，若封裝薄膜層的厚度大于100nm，則不僅會影響制程時間，同時還會影響QLED器件的透光性；因此，本專利技術優選所述封裝薄膜層的厚度為30-80nm，在該數值范圍內，既能夠保證其水氧阻隔效果，同時還能夠簡化制備工藝，提升QLED器件的透光率。具體地，本專利技術是采用HHIC（Hyperthermalhydrogeninducedcross-linking）技術來實現有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間相互交聯；所述HHIC技術是通過H2作為起始反應劑，然后使H2轉變成H等離子，接著以適合能量的H等離子打開C-H，H-O，S-H，H-N等化學鍵；之后這些打開的化學鍵重新接合，從而把化學物質交聯在一起。進一步地，在有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間相互交聯的過程中，控制所述H等離子的能量為1~100eV，若能量低于1eV，則H等離子不能夠斷裂有機前驅物與無機薄膜中的化學鍵（如C-H，H-O或H-N），不能夠產生自由基，則無法進行交聯反應；若能量高于100eV，則會對有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間的交聯過程形成損傷，從而破壞生成的無機薄膜；因此，本專利技術優選H等離子的能量為20-60eV，在該數值范圍內，能夠保證在不損傷無機薄膜的前提下高效地實現交聯。更進一步地，在本專利技術中，控制所述交聯處理的時間為1~30min，若時間過短（例如小于1min），則無法保證有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間充分交聯，只會局部完成交聯，不利于形成完整本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種基于無機薄膜的器件封裝方法，其特征在于，包括步驟：A、控制有機前驅物的反應用量，在器件表面生成一無機薄膜；B、將所述無機薄膜放入HHIC反應器中并通入H2，所述H2電離后形成H等離子，通過所述H等離子使所述有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間相互交聯，在所述器件表面形成一層封裝薄膜層。

【技術特征摘要】
1.一種基于無機薄膜的器件封裝方法，其特征在于，包括步驟：A、控制有機前驅物的反應用量，在器件表面生成一無機薄膜；B、將所述無機薄膜放入HHIC反應器中并通入H2，所述H2電離后形成H等離子，通過所述H等離子使所述有機前驅物之間或所述有機前驅物與所述無機薄膜之間相互交聯，在所述器件表面形成一層封裝薄膜層。2.根據權利要求1所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其特征在于，所述有機前驅物為CH4、SiH4、HDMSO、乙酸鋅二水中的一種或多種。3.根據權利要求1所述的基于無機薄膜的器件封裝方法，其特征在于，所述步驟A具體包括：控制有機前驅物的反應用量，使所述有機前驅物在生成無機薄膜后，剩余的有機前驅物占無機薄膜重量的比例為1：99-99：1。4.根據權利要求1所述的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：向超宇，錢磊，曹蔚然，楊一行，
申請(專利權)人：TCL集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44