一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法和裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術實施例公開了一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法和裝置。其中，所述方法包括：獲得材料片的性能參數的測量值，根據所述性能參數的測量值確定所述材料片的均勻性參數；其中，所述材料片用于形成所述薄膜器件，所述均勻性參數反應所述薄膜器件的性能指標。本發明專利技術實施例提供的技術方案，根據材料片的均勻性參數可以清楚地了解目前薄膜材料或者集成器件處于產業化工藝制程開發的哪個階段，為產品的開發提供指導方向。也可根據均勻性參數判斷薄膜材料和集成器件的產業化可行性，為電子產品從核心技術開發到產業化開發提供了指標參數，利于更加科學和準確判定電子薄膜材料和集成器件產業化的可行性。

【技術實現步驟摘要】
一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法和裝置
本專利技術實施例涉及電子材料和器件制造領域，尤其涉及一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法和裝置。
技術介紹
電子薄膜材料與集成電子產品涉及電子行業的諸多領域，在當今國民生活中占有極其重要的比重。具體來說，集成電路芯片、薄膜太陽能電池、LED和OLED發光芯片、TFT等光電器件在內的諸多產品都屬于這類產品。這類產品在制造過程中均涉及薄膜加工制程，即薄膜制備制程、離子注入等薄膜干預制程以及蝕刻等薄膜剝離制程。近年來，包括寬禁帶半導體材料，新型二維導電材料石墨烯等新型電子薄膜材料也在不斷研究發展中，推動集成薄膜器件產業不斷發展。為了滿足應用市場的實際需求，在制備電子薄膜材料與集成電子產品過程中必須滿足產業化大規模生產、降低成本、提高產品良率及生產速度、產品滿足環境可靠性測試等要求。各類新型電子薄膜材料和新穎的集成器件設備制程技術從開發階段向大規模產業化應用推進過程中，需要確定各類新型電子薄膜材料和新穎的集成器件是否適合產業化生產。
技術實現思路
本專利技術提供一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法和裝置，以獲得薄膜器件產業化生產可行性參數，指導薄膜器件開發和生產，利于準確判斷薄膜器件的產業化可行性。第一方面，本專利技術實施例提供了一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法，該方法包括：獲得材料片的性能參數的測量值；根據所述性能參數的測量值確定所述材料片的均勻性參數；其中，所述材料片用于形成所述薄膜器件，所述均勻性參數反應所述薄膜器件的性能指標。進一步的，所述獲得材料片的性能參數的測量值，包括：隨機抽取n批材料片；從每批中選取m片材料片；隨機測量所述m片中每片材料片上的k個點得到同一種性能參數的測量值；其中，n、m和k均為大于等于1的整數。進一步的，所述材料片的性能參數包括且不限于如下需要在產業化制造過程中保持一致性的重要指標：所述材料片的膜厚、薄膜翹曲度及內部應力、透射率、反射率、折射率、摻雜濃度、刻蝕深度、線寬和導電性中的至少一種。進一步的，所述均勻性參數包括：片內均勻性、片間均勻性、批間均勻性、制程維護間均勻性、設備間均勻性和整體均勻性中的至少一種；其中，所述整體均勻性為所述片內均勻性、所述片間均勻性、所述批間均勻性、所述制程維護間均勻性和所述設備間均勻性中的至少兩個的乘積。進一步的，所述片內均勻性的計算公式為：A＝[1-(Max1-Min1)/(Max1+Min1)]*100％；其中，A表示片內均勻性，Max1為對一片材料片測量得到的同一性能參數的最大值，Min1為對所述材料片測量得到的同一性能參數的最小值。進一步的，所述片間均勻性的計算公式如下：B＝[1-(Max2-Min2)/(Max2+Min2)]*100％；其中，B表示片間均勻性，Max2為對一批材料片中隨機抽取的m1片材料片測量得到的同一性能參數的最大值，Min2對所述每批m1片材料片測量得到的同一性能參數的最小值，m1為大于等于1的整數。進一步的，所述批間均勻性的計算公式如下：C＝[1-(Max3-Min3)/(Max3+Min3)]*100％；其中，C表示批間均勻性，Max3為對至少兩批材料片中測量得到的同一性能參數的最大值，Min3對所述至少兩批材料片測量得到的同一性能參數的最小值。進一步的，所述制程維護間均勻性的計算公式如下：D＝[1-(Max4-Min4)/(Max4+Min4)]*100％；其中，D表示制程維護間均勻性，Max4為隨機抽取生產設備維護前和維護后生產的兩個批次的材料片，測量所述兩個批次的材料片得到的同一性能參數的最大值，Min4為測量所述兩個批次的材料片測量得到的同一性能參數的最小值。進一步的，所述設備間均勻性的計算公式如下：E＝[1-(Max5-Min5)/(Max5+Min5)]*100％；其中，E表示設備間均勻性，Max5為抽取至少兩臺(套)生產設備，隨機選取所述至少兩臺(套)設備生產設備中每臺(套)生產設備生產的一批材料片，測量選取的各批材料片得到的同一性能參數的最大值，Min5對測量所述各批材料片得到的同一性能參數的最小值。進一步的，根據所述性能參數的測量值確定所述材料片的均勻性參數之后，還包括：判斷所述均勻性參數是否滿足預設指標。第二方面，本專利技術實施例還提供了一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取裝置，該裝置包括：性能參數值獲取單元，用于獲得材料片的性能參數的測量值；均勻性參數確定單元，用于根據所述性能參數的測量值確定所述材料片的均勻性參數；其中，所述材料片用于形成所述薄膜器件，所述均勻性參數反應所述薄膜器件的性能指標。本專利技術實施例提供的技術方案，通過獲取影響薄膜材料開發和集成器件設備制程技術產業化可行性的均勻性參數，獲得的均勻性參數可代表產品工藝制程的各個階段比較關心的指標，通過計算獲得均勻性參數，根據均勻性參數可以清楚地了解目前薄膜材料或者集成器件處于產業化工藝制程開發的哪個階段，為產品的開發提供指導方向。也可根據均勻性參數判斷薄膜材料和集成器件的產業化可行性，為電子產品從核心技術開發到產業化開發提供了指標參數，利于更加科學和準確判定電子薄膜材料和集成器件產業化的可行性。附圖說明圖1是本專利技術實施例提供的一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法的流程圖示意圖；圖2是本專利技術實施例提供的另一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法的流程圖示意圖；圖3是本專利技術實施例提供的一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取裝置的結構示意圖。具體實施方式下面結合附圖和實施例對本專利技術作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅用于解釋本專利技術，而非對本專利技術的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本專利技術相關的部分而非全部結構。圖1是本專利技術實施例提供的一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法的流程圖示意圖。本實施例可適用于獲取電子薄膜材料或集成器件設備的產業化可行性參數，判斷電子薄膜材料或集成器件設備是否適合產業化生產的情況。參見圖1，本專利技術實施例提供的薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法包括：S110、獲得材料片的性能參數的測量值。材料片可以是一種薄膜材料形成的薄膜片，可用于形成薄膜器件，例如用于形成集成器件。示例性的，可沉積薄膜材料形成一薄膜層，形成的薄膜層為材料片，進一步刻蝕材料片形成薄膜器件。材料片的性能參數可反映該種材料的性能，材料片的性能參數可以是材料片的膜厚、薄膜翹曲度及內部應力、透射率、反射率、折射率、摻雜濃度、刻蝕深度、線寬和導電性等參數。上述舉例并不是對薄膜片性能參數的限制，上述性能參數可以是材料片的任意性能參數，可以是材料片的一種或者兩種及兩種以上的性能參數。材料片的性能參數可以是在制作薄膜器件過程中關注的參數，例如當使用材料片制作薄膜晶體管(TFT)器件時，關注材料片的導電性，可獲得材料片的導電性的測量值，在材料片制作反射電極使用時，關注材料片的反射率，可獲得材料片的反射率的測量值。在本專利技術實施例中，獲得材料片的性能參數的測量值，包括：隨機抽取n批材料片，從每批中選取m片材料片，隨機測量m片中每片材料片上的k個點得到的同一種性能參數的測量值。其中，n、m和k均為大于等于1的整數。n、m和k可以根據不同的材料片進行設置，具體可以根據需本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法，其特征在于，包括：獲得材料片的性能參數的測量值；根據所述性能參數的測量值確定所述材料片的均勻性參數；其中，所述材料片用于形成所述薄膜器件，所述均勻性參數反應所述薄膜器件的性能指標。

【技術特征摘要】
1.一種薄膜器件產業化生產可行性參數獲取方法，其特征在于，包括：獲得材料片的性能參數的測量值；根據所述性能參數的測量值確定所述材料片的均勻性參數；其中，所述材料片用于形成所述薄膜器件，所述均勻性參數反應所述薄膜器件的性能指標。2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲得材料片的性能參數的測量值，包括：隨機抽取n批材料片；從每批中選取m片材料片；隨機測量所述m片中每片材料片上的k個點得到同一種性能參數的測量值；其中，n、m和k均為大于等于1的整數。3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料片的性能參數包括：所述材料片的膜厚、薄膜翹曲度及內部應力、透射率、反射率、折射率、摻雜濃度、刻蝕深度、線寬和導電性中的至少一種。4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述均勻性參數包括：片內均勻性、片間均勻性、批間均勻性、制程維護間均勻性、設備間均勻性和整體均勻性中的至少一種；其中，所述整體均勻性為所述片內均勻性、所述片間均勻性、所述批間均勻性、所述制程維護間均勻性和所述設備間均勻性中的至少兩個的乘積。5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述片內均勻性的計算公式為：A＝[1-(Max1-Min1)/(Max1+Min1)]*100％；其中，A表示片內均勻性，Max1為對一片材料片測量得到的同一性能參數的最大值，Min1為對所述材料片測量得到的同一性能參數的最小值。6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述片間均勻性的計算公式如下：B＝[1-(Max2-Min2)/(Max2+Min2)]*100％；其中，B表示片間均勻性，Max2為對一批材料片中隨機抽取的m1片材料片測量得到的同一性能參數的最大值，Min2對所述m1片材料片測量...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉志斌，徐國剛，陳志聰，嚴志華，
申請(專利權)人：江蘇華弗半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇,32