金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法包括：第一步驟：形成金屬阻擋層；第二步驟：執(zhí)行第一金屬層的沉積；第三步驟：在第一金屬層上依次形成抗反射層和抗反射層光刻膠；第四步驟：在抗反射層光刻膠上形成ARF光刻膠；第五步驟：對(duì)抗反射層光刻膠和ARF光刻膠進(jìn)行圖案化處理；第六步驟：利用圖案化的抗反射層光刻膠對(duì)抗反射層執(zhí)行刻蝕；第七步驟：利用圖案化的ARF光刻膠對(duì)金屬層執(zhí)行刻蝕。本發(fā)明專利技術(shù)提供了提供一種能夠適用于90nm閃存器件的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)。

Metal structure photoetching etching method and metal structure photoetching etching structure

The invention provides a metal structure photoetching etching method and a metal structure photoetching etching structure. According to the structure including a metal etching lithography method of the invention is: the first step of forming a metal barrier layer; second steps: performing a first metal layer is deposited; the third step: the anti reflection layer and anti reflective layer photoresist are formed on the first metal layer; the fourth step: in the anti reflection layer is formed on the photoresist ARF photoresist the fifth step: the anti reflective layer; the photoresist and ARF photoresist patterning process; sixth steps: using the patterned photoresist layer anti reflection antireflection layer performs etching; seventh steps: performing etching of the metal layer using ARF photoresist patterning. The invention provides a metal structure photoetching etching method suitable for 90nm flash memory device, and a metal structure photoetching etching structure.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本專利技術(shù)涉及一種金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
閃存以其便捷，存儲(chǔ)密度高，可靠性好等優(yōu)點(diǎn)成為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中研究的熱點(diǎn)。從二十世紀(jì)八十年代第一個(gè)閃存產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái)，隨著技術(shù)的發(fā)展和各類電子產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)的需求，閃存被廣泛用于手機(jī)，筆記本，掌上電腦和U盤(pán)等移動(dòng)和通訊設(shè)備中。閃存為一種非易變性存儲(chǔ)器，其運(yùn)作原理是通過(guò)改變晶體管或存儲(chǔ)單元的臨界電壓來(lái)控制門(mén)極通道的開(kāi)關(guān)以達(dá)到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的目的，使存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)不會(huì)因電源中斷而消失，而閃存為電可擦除且可編程的只讀存儲(chǔ)器的一種特殊結(jié)構(gòu)。如今閃存已經(jīng)占據(jù)了非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的大部分市場(chǎng)份額，成為發(fā)展最快的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。另一方面，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，一般都需要對(duì)金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行光刻刻蝕，金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造的常見(jiàn)工藝。在具體應(yīng)用中，例如，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法包括：形成金屬阻擋層(一般是100A的TI或者200A的TIN)，執(zhí)行第一金屬層的沉積(一般是1500A的AL或者90A的TI或者250A的200ATIN)，在第一金屬層上依次形成抗反射層(DARC，dielectricanti-reflectivecoating)(一般是的280A的SION和50A的氧化層)和光刻膠(一般是4200A的深紫外光刻膠)，對(duì)光刻膠進(jìn)行圖案化處理，利用圖案化的光刻膠對(duì)金屬層執(zhí)行刻蝕，隨后執(zhí)行蝕刻后的清洗步驟，此后執(zhí)行蝕刻后的外觀檢查步驟。但是，隨著90nm閃存器件的尺寸縮小，金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻工藝不再使用深紫外(DUV)光刻膠，從而改用比深紫外光刻膠更軟而且更薄的ARF光刻膠。這樣，后續(xù)的工藝結(jié)構(gòu)也需要做出修改。因此，希望提供一種適用于90nm閃存器件的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠適用于90nm閃存器件的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本專利技術(shù)，提供了一種金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法，包括：第一步驟：形成金屬阻擋層；第二步驟：執(zhí)行第一金屬層的沉積；第三步驟：在第一金屬層上依次形成抗反射層和抗反射層光刻膠；第四步驟：在抗反射層光刻膠上形成ARF光刻膠；第五步驟：對(duì)抗反射層光刻膠和ARF光刻膠進(jìn)行圖案化處理；第六步驟：利用圖案化的抗反射層光刻膠對(duì)抗反射層執(zhí)行刻蝕；第七步驟：利用圖案化的ARF光刻膠對(duì)金屬層執(zhí)行刻蝕。優(yōu)選地，所述的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法中還包括：第八步驟：隨后執(zhí)行蝕刻后的清洗步驟；第九步驟：此后執(zhí)行蝕刻后的外觀檢查步驟。優(yōu)選地，在所述的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法中，所述金屬阻擋層是厚度為100A的TI或者厚度為100A的TIN。優(yōu)選地，在所述的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法中，所述第一金屬層是厚度為1000A的AL或者厚度為90A的TI或者250A的TIN。優(yōu)選地，在所述的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法中，所述抗反射層是厚度為700A的SION以及厚度為50A的氧化層。優(yōu)選地，在所述的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法中，所述抗反射層光刻膠的厚度為800A。優(yōu)選地，在所述的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法中，所述ARF光刻膠的厚度為2850A。為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本專利技術(shù)，還提供了一種金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)，其從下至上包括：金屬阻擋層、第一金屬層的、抗反射層、抗反射層光刻膠以及ARF光刻膠。優(yōu)選地，在所述的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)中，所述金屬阻擋層是厚度為100A的TI或者厚度為100A的TIN；所述第一金屬層是厚度為1000A的AL或者厚度為90A的TI或者250A的TIN；所述抗反射層是厚度為700A的SION以及厚度為50A的氧化層；所述抗反射層光刻膠的厚度為800A；所述ARF光刻膠的厚度為2850A。由此，本專利技術(shù)提供了提供一種能夠適用于90nm閃存器件的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)。具體地說(shuō)，在根據(jù)本專利技術(shù)的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)中，由于ARF光刻膠的厚度比深紫外光刻膠的厚度更薄，從而增加了抗反射層的厚度而且降低了AL的厚度；在抗反射層光刻膠工藝之后，當(dāng)前金屬刻蝕工具無(wú)需用于抗反射層光刻膠的氧氣O2和CF氣體；相應(yīng)地，本專利技術(shù)增加另一刻蝕工藝來(lái)刻蝕打開(kāi)抗反射層光刻膠，從而將一個(gè)刻蝕步驟擴(kuò)展為兩個(gè)刻蝕步驟，從而提供了一種能夠適用于90nm閃存器件的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)。附圖說(shuō)明結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本專利技術(shù)有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：圖1示意性地示出了根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法的第一步驟。圖2示意性地示出了根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法的第二步驟。圖3示意性地示出了根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法的第三步驟。圖4示意性地示出了根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法的第四步驟。圖5示意性地示出了根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法的流程圖。需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本專利技術(shù)，而非限制本專利技術(shù)。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。具體實(shí)施方式為了使本專利技術(shù)的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本專利技術(shù)的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。圖1至圖4至示意性地示出了根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法的第一步驟至第四步驟；而且圖5示意性地示出了根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法的流程圖。具體地，如圖1至圖4以及圖5所示，根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法包括：第一步驟S1：形成金屬阻擋層10；具體地，在優(yōu)選示例中，所述金屬阻擋層是TI或者TIN；而且更具體地，所述金屬阻擋層是厚度為100A的TI或者厚度為100A的TIN。第二步驟S2：執(zhí)行第一金屬層20的沉積；具體地，在優(yōu)選示例中，所述第一金屬層是AL或者TI或者TIN；而且更具體地，所述第一金屬層是厚度為1000A的AL或者厚度為90A的TI或者厚度為250A的TIN。第三步驟S3：在第一金屬層上依次形成抗反射層30和抗反射層光刻膠40；具體地，在優(yōu)選示例中，所述抗反射層是SION以及氧化層的組合；而且更具體地，所述抗反射層是厚度為700A的SION以及厚度為50A的氧化層。具體地，在優(yōu)選示例中，所述抗反射層光刻膠的厚度為800A。第四步驟S4：在抗反射層光刻膠上形成ARF光刻膠50；具體地，在優(yōu)選示例中，所述ARF光刻膠的厚度為2850A。第五步驟S5：對(duì)抗反射層光刻膠和ARF光刻膠進(jìn)行圖案化處理；第六步驟S6：利用圖案化的抗反射層光刻膠對(duì)抗反射層執(zhí)行刻蝕；第七步驟S7：利用圖案化的ARF光刻膠對(duì)金屬層執(zhí)行刻蝕。優(yōu)選地，如圖5所示，根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法還可以包括下述步驟：第八步驟S8：隨后執(zhí)行蝕刻后的清洗步驟；第九步驟S9：此后執(zhí)行蝕刻后的外觀檢查步驟。由此，本專利技術(shù)提供了提供一種能夠適用于90nm閃存器件的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法。具體地說(shuō)，在根據(jù)本專利技術(shù)的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法以及金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻結(jié)構(gòu)中，由于ARF光刻膠的厚度比深紫外光刻膠的厚度更薄，從而增加了抗反本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法，其特征在于包括：第一步驟：形成金屬阻擋層；第二步驟：執(zhí)行第一金屬層的沉積；第三步驟：在第一金屬層上依次形成抗反射層和抗反射層光刻膠；第四步驟：在抗反射層光刻膠上形成ARF光刻膠；第五步驟：對(duì)抗反射層光刻膠和ARF光刻膠進(jìn)行圖案化處理；第六步驟：利用圖案化的抗反射層光刻膠對(duì)抗反射層執(zhí)行刻蝕；第七步驟：利用圖案化的ARF光刻膠對(duì)金屬層執(zhí)行刻蝕。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法，其特征在于包括：第一步驟：形成金屬阻擋層；第二步驟：執(zhí)行第一金屬層的沉積；第三步驟：在第一金屬層上依次形成抗反射層和抗反射層光刻膠；第四步驟：在抗反射層光刻膠上形成ARF光刻膠；第五步驟：對(duì)抗反射層光刻膠和ARF光刻膠進(jìn)行圖案化處理；第六步驟：利用圖案化的抗反射層光刻膠對(duì)抗反射層執(zhí)行刻蝕；第七步驟：利用圖案化的ARF光刻膠對(duì)金屬層執(zhí)行刻蝕。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法，其特征在于還包括：第八步驟：隨后執(zhí)行蝕刻后的清洗步驟；第九步驟：此后執(zhí)行蝕刻后的外觀檢查步驟。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法，其特征在于，所述金屬阻擋層是厚度為100A的TI或者厚度為100A的TIN。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬結(jié)構(gòu)光刻蝕刻方法，其特征在于，所述第一金屬層是厚度為1000A的AL或者厚度為90A的TI或者250A的TIN。...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：沈思杰，李偉峰，沈惠平，肖培，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：上海,31