一種閘電極結(jié)構(gòu)及其制造方法和顯示裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種閘電極結(jié)構(gòu)及其制造方法包括：在基板的一側(cè)表面上形成緩沖層；在緩沖層上形成凹槽，凹槽貫穿緩沖層；在凹槽中形成閘電極，且閘電極的上表面與緩沖層的上表面位于同一平面上；在閘電極的上表面及緩沖層的上表面上形成絕緣層；在絕緣層的上表面形成與閘電極相對而置的半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層的上表面和/或絕緣層的上表面上形成與半導(dǎo)體層部分交疊的數(shù)據(jù)線。還公開了一種顯示裝置，該顯示裝置包括了閘電極結(jié)構(gòu)。由于絕緣層可以在一個平面上形成。消除了閘電極因自身高度、形狀或者閘電極輪廓角等問題對絕緣層在閘電極邊緣處覆蓋率的影響，大大降低了數(shù)據(jù)線成膜時在閘電極和數(shù)據(jù)線交叉處產(chǎn)生斷線的情況。

Gate electrode structure, manufacturing method thereof and display device

The invention discloses a display technology field, including a gate electrode structure and manufacturing method thereof: a buffer layer is formed on the side surface of the substrate; a groove is formed on the buffer layer, the groove through the buffer layer; forming a gate electrode and a gate electrode in the groove, and the upper surface of the buffer layer on the surface in the same plane in the upper surface of the gate electrode; and a buffer layer formed on the upper surface of the insulating layer; a semiconductor layer and the gate electrode is formed on the surface of the insulating layer opposite the data line; the semiconductor layer on the surface and / or insulating layer is formed on the upper surface of the semiconductor layer and the part overlapping. A display device including a gate electrode structure is also disclosed. Because the insulating layer can form on a plane. Eliminate the gate electrode due to its height, shape or gate electrode contour angle on the effect of insulation layer coverage in the edge of the gate electrode, greatly reducing the data line when forming the cross in the gate electrode and the data line is generated at the break.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種閘電極結(jié)構(gòu)及其制造方法和顯示裝置
本專利技術(shù)涉及顯示
，尤其涉及一種閘電極結(jié)構(gòu)及其制造方法和顯示裝置。
技術(shù)介紹
隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品越來越普及，尤其是電腦電視走進了千家萬戶。這些各類電子產(chǎn)品上安裝了大量的電子顯示設(shè)備，電子顯示設(shè)備在各個領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。目前，薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,簡稱TFT-LCD)顯示屏使用的越來越廣泛，其中用于TFT-LCD顯示屏的薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，簡稱TFT)玻璃基板上的電路布局通常有閘電極(又稱掃描線或GATE)與數(shù)據(jù)線(又稱DATA)，有相互交叉的情況。當形成閘電極的過程中出現(xiàn)異常，尤其是閘電極輪廓角度過大，使后續(xù)形成絕緣層的時候，很容易在閘電極輪廓角度過大的地方覆蓋率不佳。從而使得后續(xù)數(shù)據(jù)線成膜的時候，在閘電極和數(shù)據(jù)線交叉處非常容易出現(xiàn)斷線，如此以來數(shù)據(jù)線中傳輸?shù)挠嵦枌袛啵瑖乐赜绊懥水a(chǎn)品的合格率。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種閘電極結(jié)構(gòu)及其制造方法和顯示面板，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中，數(shù)據(jù)線很容易在閘電極與數(shù)據(jù)線的交叉處出現(xiàn)斷線的問題。本專利技術(shù)提供了一種閘電極結(jié)構(gòu)制造方法，包括如下步驟：提供一基板，在所述基板的一側(cè)表面上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成凹槽，所述凹槽貫穿所述緩沖層；在所述凹槽中形成閘電極，且所述閘電極的上表面與所述緩沖層的上表面位于同一平面上；在所述閘電極的上表面及所述緩沖層的上表面上形成絕緣層；在所述絕緣層的上表面形成與所述閘電極相對而置的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層的上表面和/或所述絕緣層的上表面上形成與所述半導(dǎo)體層部分交疊的數(shù)據(jù)線?？蛇x地，所述凹槽通過光刻工藝形成。進一步地，所述光刻的步驟包括：在所述緩沖層的上表面涂布光阻；在所述光阻的上方設(shè)置光罩和光源；開啟所述光源，所述光源發(fā)出光線透過所述光罩將部分所述光阻曝光；將被曝光后的所述光阻顯影；腐蝕被曝光的所述光阻，并腐蝕位于被曝光的所述光阻與所述基板之間的緩沖層；清洗所述基板，將所述光阻和所述緩沖層清除干凈。進一步地，所述閘電極結(jié)構(gòu)制造方法還包括如下步驟：在所述光阻和所述凹槽的上表面沉積形成閘電極導(dǎo)電層；剝離所述光阻?？蛇x地，剝離所述光阻的方法為：使用去光阻液腐蝕所述光阻?？蛇x地，所述緩沖層、所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層的形成方法為化學(xué)氣相沉積工藝。可選地，所述緩沖層和所述絕緣層采用的材料包括：氮化硅?？蛇x地，所述閘電極和所述數(shù)據(jù)線采用的材料包括：鋁或鉬。本專利技術(shù)還提供了一種閘電極結(jié)構(gòu)，包括：基板；緩沖層，形成于所述基板的側(cè)表面上，所述緩沖層上設(shè)置有貫穿于所述緩沖層的凹槽；閘電極，形成于所述凹槽內(nèi)，且所述緩沖層的上表面與所述閘電極的上表面位于同一平面；絕緣層，形成于所述緩沖層的上表面和所述閘電極的上表面；半導(dǎo)體層，形成于所述絕緣層的上表面且與所述閘電極相對而置；數(shù)據(jù)線，形成于所述絕緣層的上表面和/或者所述半導(dǎo)體層的上表面上，且與所述半導(dǎo)體層部分交疊。本專利技術(shù)還提供了一種顯示裝置，包括所述閘電極結(jié)構(gòu)及多個像素，所述閘電極結(jié)構(gòu)電性連接于所述多個像素?；谏鲜黾夹g(shù)方案，本專利技術(shù)中提出的閘電極結(jié)構(gòu)及其制造方法和顯示裝置，在基板上形成有緩沖層，在所述緩沖層上形成有凹槽，在所述凹槽中形成有閘電極，且閘電極的上表面與緩沖層的上表面在同一平面上。在閘電極的上表面和緩沖層的上表面上再形成絕緣層，在絕緣層上再形成半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線，如此，絕緣層是在一個平面上形成的，而不再受到閘電極輪廓角度的影響，從而大大降低了數(shù)據(jù)線與閘電極交叉處的斷線概率，從而提升了產(chǎn)品的合格率。附圖說明圖1為本專利技術(shù)實施例提出的緩沖層示意圖；圖2為本專利技術(shù)實施例提出涂布光阻的示意圖；圖3為本專利技術(shù)實施例提出光刻的示意圖；圖4為本專利技術(shù)實施例提出形成閘電極的示意圖；圖5為本專利技術(shù)實施例提出去除光阻的示意圖；圖6為本專利技術(shù)實施例提出形成絕緣層的示意圖；圖7為本專利技術(shù)實施例提出的閘電極結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本專利技術(shù)提出的閘電極結(jié)構(gòu)制造方法的實施例的制作流程圖；圖9為本專利技術(shù)提出的光刻方法的實施例的制作流程圖；圖10為本專利技術(shù)提出的形成閘電極方法的實施例的制作流程圖。具體實施方式為了使本專利技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本專利技術(shù)進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術(shù)，并不用于限定本專利技術(shù)。需要說明的是，當元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或可能同時存在居中元件。當一個元件被稱為是“連接于”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。另外，還需要說明的是，本專利技術(shù)實施例中的左、右、上、下等方位用語，僅是互為相對概念或是以產(chǎn)品的正常使用狀態(tài)為參考的，而不應(yīng)該認為是具有限制性的。以下結(jié)合具體實施例對本專利技術(shù)的實現(xiàn)進行詳細的描述。如圖1圖10所示，本專利技術(shù)提供了一種閘電極結(jié)構(gòu)及其制造方法，該閘電極制造方法為：在步驟S1中，準備基板1，在基板1的一基板側(cè)表面11上形成緩沖層2，在步驟S2中，在緩沖層上表面21上形成凹槽3，凹槽3貫穿緩沖層2，在步驟S3中，在凹槽3中形成閘電極5，且閘電極上表面51與緩沖層上表面21在同一平面P，在步驟S4中，在閘電極上表面51與緩沖層上表面21上形成絕緣層6，在步驟S5中，在絕緣層6的絕緣層上表面61上形成與閘電極5相對而置的半導(dǎo)體層8，在步驟S6中，在半導(dǎo)體層8上和/或絕緣層6上形成與閘電極5交叉的數(shù)據(jù)線71。閘電極上表面51與緩沖層上表面21在同一平面P，絕緣層6可以在一個平面P上形成，因此消除了閘電極5因自身高度、形狀或者閘電極5輪廓角等問題對絕緣層6在閘電極5邊緣處覆蓋率造成的影響，大大降低了數(shù)據(jù)線71成膜時在閘電極5和數(shù)據(jù)線71交叉處產(chǎn)生斷線的情況。提高了產(chǎn)品的合格率。在本專利技術(shù)實施例中，上述緩沖層2形成于上述基板1的一個側(cè)表面上，在其他實施例中，緩沖層2還可以在基板1的兩個側(cè)面或者其他位置，此處不作唯一限定。在本專利技術(shù)實施例中，制作上述閘電極5以及閘電極5周邊的上述緩沖層2采用的方法是先形成緩沖層2，然后在緩沖層2上形成上述凹槽3，其中凹槽3貫穿緩沖層2，并在凹槽3中形成閘電極5，在其他實施例中，可以采用其他的順序，比如可以先形成閘電極5，然后再在閘電極5周邊的同側(cè)基板11上形成緩沖層2，或者緩沖層2和閘電極5直接分別單獨分區(qū)域在基板1上形成，此處不作唯一限定。在本專利技術(shù)實施例中，上述閘電極上表面51和上述緩沖層上表面21在同一個平面P，如此，則上述絕緣層6可以形成在一個平面P上，使上述半導(dǎo)體層8和上述數(shù)據(jù)線71可以直接形成于一個平面上，減少了閘電極5的形狀或者輪廓角度對數(shù)據(jù)線71的影響。在其他實施例中，閘電極上表面51和緩沖層上表面21不一定完全在一個平面P上，可以有一定的相對高度差，比如閘電極5的上表面51到基板1的距離小于緩沖層上表面21到基板1的距離，形成一個“凹”字形，半導(dǎo)體層8形成于“凹”字形的凹起(附圖未標示)中，如果半導(dǎo)體層上表面83到上述基板1的距離與上述緩沖層2上的絕緣層上表面61到基板1的距離相同，則會使得半導(dǎo)體層上表面83和緩沖層2上的絕緣層上表面61在一個平面上，如此，則數(shù)據(jù)線71會形成在一個平面上本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
閘電極結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于，包括如下步驟：提供一基板，在所述基板的一側(cè)表面上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成凹槽，所述凹槽貫穿所述緩沖層；在所述凹槽中形成閘電極，且所述閘電極的上表面與所述緩沖層的上表面位于同一平面上；在所述閘電極的上表面及所述緩沖層的上表面上形成絕緣層；在所述絕緣層的上表面形成與所述閘電極相對而置的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層的上表面和/或所述絕緣層的上表面上形成與所述半導(dǎo)體層部分交疊的數(shù)據(jù)線。

【技術(shù)特征摘要】
1.閘電極結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于，包括如下步驟：提供一基板，在所述基板的一側(cè)表面上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成凹槽，所述凹槽貫穿所述緩沖層；在所述凹槽中形成閘電極，且所述閘電極的上表面與所述緩沖層的上表面位于同一平面上；在所述閘電極的上表面及所述緩沖層的上表面上形成絕緣層；在所述絕緣層的上表面形成與所述閘電極相對而置的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層的上表面和/或所述絕緣層的上表面上形成與所述半導(dǎo)體層部分交疊的數(shù)據(jù)線。2.如權(quán)利要求1所述的閘電極結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于，所述凹槽通過光刻工藝形成。3.如權(quán)利要求2所述的閘電極結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于，所述光刻的步驟包括：在所述緩沖層的上表面涂布光阻；在所述光阻的上方設(shè)置光罩和光源；開啟所述光源，所述光源發(fā)出光線透過所述光罩將部分所述光阻曝光；將被曝光后的所述光阻顯影；腐蝕被曝光的所述光阻，并腐蝕位于被曝光的所述光阻與所述基板之間的緩沖層；清洗所述基板，將所述光阻和所述緩沖層清除干凈。4.如權(quán)利要求1所述的閘電極結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于，還包括如下步驟：在所述光阻和所述凹槽的上表面沉積形成閘電極...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：簡重光，
申請(專利權(quán))人：惠科股份有限公司，重慶惠科金渝光電科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東,44