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本發明顯示技術領域，公開了一種閘電極結構及其制造方法包括：在基板的一側表面上形成緩沖層；在緩沖層上形成凹槽，凹槽貫穿緩沖層；在凹槽中形成閘電極，且閘電極的上表面與緩沖層的上表面位于同一平面上；在閘電極的上表面及緩沖層的上表面上形成絕緣層；在...該專利屬于惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司授權不得商用。