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本發明提供了一種金屬結構光刻蝕刻方法以及金屬結構光刻蝕刻結構。根據本發明的金屬結構光刻蝕刻方法包括：第一步驟：形成金屬阻擋層；第二步驟：執行第一金屬層的沉積；第三步驟：在第一金屬層上依次形成抗反射層和抗反射層光刻膠；第四步驟：在抗反射層光刻...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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