頻率可重構偶極子天線的GaAs基等離子pin二極管的制備方法技術
Method for preparing GaAs based plasma PIN diode of Frequency Reconfigurable dipole antenna
Preparation method of GaAs based plasma PIN diode of the invention relates to a frequency reconfigurable dipole antenna, the GaAs based plasma PIN diode for reconfigurable manufacturing frequency dipole antenna, including the GaAs based plasma PIN diode manufacturing method: select a GeOI substrate crystal orientation; GaAs layer is deposited on the GeOI substrate, forming an isolation through the lithography process; etching the GeOI substrate to form P type and N type groove groove; ion formed by the active region and the active region of N type P type injection in type P and type N groove groove; the active region and the active region of N type P type P type lithography, the formation of contact zone and contact Zone in P N; the contact area and the N type contact lithography to form a lead wire hole, to complete the GaAs PIN diode based plasma preparation. The reconfigurable antenna provided by the invention has the advantages of light weight, simple structure, low cost and fast frequency hopping.
【技術實現步驟摘要】
頻率可重構偶極子天線的GaAs基等離子pin二極管的制備方法
本專利技術涉及天線
，特別涉及一種頻率可重構偶極子天線的GaAs基等離子pin二極管的制備方法。
技術介紹
科學技術的迅猛發展使現代社會步入了信息社會，信息的快速、廣泛地傳遞是信息社會的重要標志。天線是無線電波傳輸信息的重要組成部件，負擔著有效接收和發送電磁波的重任，天線性能的好壞直接影響通信質量和通信距離。目前，各種綜合信息系統發展的重要方向之一是：大容量、多功能、超寬帶，通過提高系統容量、增加系統功能、擴展系統帶寬，一方面可以滿足日益膨脹的需求，另一方面可以降低系統成本。但是現代大容量、多功能綜合信息系統飛速發展，使得在同一平臺搭載的信息子系統數量增加，從而天線數量也迅速增加。成為制約綜合系統進一步向大容量、多功能、超寬帶方向發展和應用的重大瓶頸。為了克服這一瓶頸，“可重構天線”的概念被提出并且獲得了國內外研究人員的青睞。頻率可重構天線為可重構天線的一種類型，目前的頻率可重構微帶天線的各部分互耦影響，頻率跳變慢，饋源結構復雜，隱身性能不佳，剖面高，集成加工的難度高。
技術實現思路
因此，為解決現有技術存在的技術缺陷和不足，本專利技術提出一種頻率可重構偶極子天線的GaAs基等離子pin二極管的制備方法。該GaAs基等離子pin二極管用于制造頻率可重構偶極子天線，具體地，該頻率可重構偶極子天線包括：GaAs基GeOI半導體基片(1)；采用半導體工藝固定在所述GaAs基GeOI半導體基片(1)上的第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)和第一直流偏置線(5)、第二直流偏置線(6)、第三...
【技術保護點】
一種頻率可重構偶極子天線的GaAs基等離子pin二極管的制備方法，所述GaAs基等離子pin二極管用于制造所述頻率可重構偶極子天線，其特征在于，所述頻率可重構偶極子天線包括：GaAs基GeOI半導體基片(1)；采用半導體工藝固定在所述GaAs基GeOI半導體基片(1)上的第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)和第一直流偏置線(5)、第二直流偏置線(6)、第三直流偏置線(7)、第四直流偏置線(8)、第五直流偏置線(9)、第六直流偏置線(10)、第七直流偏置線(11)、第八直流偏置線(12)；其中，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)分別設置于所述同軸饋線(4)的兩側且包括多個GaAs基等離子pin二極管串，在天線處于工作狀態時，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)根據所述多個GaAs基等離子pin二極管串的導通與關斷實現天線臂長度的調節；所述第一直流偏置線(5)，所述第二直流偏置線(6)，所述第三直流偏置線(7)，所述第四直流偏置線(8)，所述第五直流偏置線(9)，所述第六直流偏置線(10)，所述第七直流偏置線(11)，所述第八直流偏置線(12)采用化學氣相淀積的...
【技術特征摘要】
1.一種頻率可重構偶極子天線的GaAs基等離子pin二極管的制備方法，所述GaAs基等離子pin二極管用于制造所述頻率可重構偶極子天線，其特征在于，所述頻率可重構偶極子天線包括：GaAs基GeOI半導體基片(1)；采用半導體工藝固定在所述GaAs基GeOI半導體基片(1)上的第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)和第一直流偏置線(5)、第二直流偏置線(6)、第三直流偏置線(7)、第四直流偏置線(8)、第五直流偏置線(9)、第六直流偏置線(10)、第七直流偏置線(11)、第八直流偏置線(12)；其中，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)分別設置于所述同軸饋線(4)的兩側且包括多個GaAs基等離子pin二極管串，在天線處于工作狀態時，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)根據所述多個GaAs基等離子pin二極管串的導通與關斷實現天線臂長度的調節；所述第一直流偏置線(5)，所述第二直流偏置線(6)，所述第三直流偏置線(7)，所述第四直流偏置線(8)，所述第五直流偏置線(9)，所述第六直流偏置線(10)，所述第七直流偏置線(11)，所述第八直流偏置線(12)采用化學氣相淀積的方法固定于所述GaAs基GeOI半導體基片(1)上，其材料為銅、鋁或經過摻雜的多晶硅中的任意一種；其中，所述GaAs基等離子pin二極管的制備方法包括：選取某一晶向的GeOI襯底；在所述GeOI襯底上淀積GaAs層，通過光刻工藝形成隔離區；刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；在所述P型溝槽和所述N型溝槽內采用離子注入形成P型有源區和N型有源區；光刻所述P型有源區和所述N型有源區，形成P型接觸區和N型接觸區；在所述P型接觸區和所述N型接觸區光刻引線孔以形成引線，以完成所述GaAs基等離子pin二極管的制備。2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述GeOI襯底表面利用MOCVD淀積GaAs層。3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，通過光刻工藝形成隔離區，包括：在所述GaAs表面形成第一保護層；利用光刻工藝在所述第一保護層上形成第一隔離區圖形；利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護層及所述GeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述襯底的頂層Ge的厚度；填充所述隔離槽以形成所述隔離區。4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第一保護層包括第一SiO2層和第一SiN層；相應地，在所述GaAs表面形成第一保護層，包括：在所述GaAs表面生成SiO2材料以形成第一SiO2層；在所述第一SiO2層表面生成SiN材料以形成第一SiN層。5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽，包括：在所述GeOI襯底表面形成第二保護層；利用光刻工藝在所述第二保護層上形成第二隔離區圖形；利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護層及所述GeOI襯底以形成...
【專利技術屬性】
技術研發人員：尹曉雪，張亮，
申請(專利權)人：西安科銳盛創新科技有限公司，
類型：發明
國別省市：陜西,61
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