一種氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板、顯示裝置制造方法及圖紙

一種氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板、顯示裝置。該氧化物薄膜晶體管制造方法包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源/漏電極層；從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理，以使所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率低于所述有源層與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率，其中，所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分與所述源/漏電極層電連接。本發明專利技術實施例提供的方案，減少了有源層和源/漏電極層間的搭接電阻，提升了氧化物薄膜晶體管的開態電流，遷移率和開關比。

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device. Including the oxide thin film transistor manufacturing method: providing a substrate; a gate metal layer, a gate insulating layer, an active layer, source / drain layer are sequentially formed on the substrate; the laser annealing process from the substrate to the back of the substrate, so that the resistivity of the active layer and the gate metal layer does not overlap the part below the active layer and the gate metal layer overlaps the resistivity, wherein, the active layer and the gate metal layer overlaps with the source / drain electrode layer is electrically connected. The embodiment of the invention reduces the lap resistance between the active layer and the source / drain layer, and improves the open state current, mobility, and switching ratio of the oxide film transistors.

【技術實現步驟摘要】
一種氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板、顯示裝置
本專利技術涉及顯示技術，尤指一種氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板、顯示裝置。
技術介紹
隨著顯示器件的越發成熟，氧化物有源層的需求越來越高。氧化物半導體作為有源層材料，相比傳統的非晶硅(a-Si)材料具有載流子遷移率高、制備溫度低、大面積均勻性優良、光學透過率高等優勢，這些優勢也決定了氧化物薄膜晶體管(OxideTFT)適用于制備高分辨率的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)、有源矩陣有機發光二極體面板(AM-OLED)、柔性顯示、透明顯示等新型顯示器件。
技術實現思路
為了解決上述技術問題，本專利技術至少一實施例提供了一種氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板、顯示裝置，提高了氧化物薄膜晶體管的電學性能。本專利技術一實施例提供了一種種氧化物薄膜晶體管的制造方法，包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源/漏電極層；從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理，以使所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率低于所述有源層與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率，其中，所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分與所述源/漏電極層電連接。在本專利技術一可選實施例中，所述方法還包括：在形成所述源漏極電極層之前，在所述有源層上形成刻蝕阻擋層。在本專利技術一可選實施例中，所述激光退火工藝為準分子激光退火工藝。在本專利技術一可選實施例中，所述從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理在形成所述源/漏電極層上的絕緣層后執行。在本專利技術一可選實施例中，所述從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理在形成所述有源層后且形成所述源/漏電極層前執行。在本專利技術一可選實施例中，所述從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理在形成所述刻蝕阻擋層后且形成所述源/漏電極層前執行。在本專利技術一可選實施例中，所述從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理在形成所述源/漏電極層后執行。本專利技術一實施例提供一種氧化物薄膜晶體管，包括：依次設置在襯底基板上的柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源/漏電極層，其中：所述有源層包括被從所述襯底基板背面進行的激光退火工藝處理形成的兩個部分：與所述柵極金屬層重疊的第一部分，未與所述柵極金屬層重疊的第二部分，且所述第二部分的電阻率低于所述第一部分的電阻率，且所述第二部分與所述源/漏電極層電連接。在本專利技術一可選實施例中，所述氧化物薄膜晶體管還包括：設置在所述有源層上的刻蝕阻擋層。本專利技術一實施例提供一種陣列基板，包括上述氧化物薄膜晶體管。本專利技術一實施例提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。本專利技術實施例中，對氧化物半導體形成的有源層進行激光退火處理，提升了氧化物薄膜晶體管的開態電流，遷移率和開關比。本專利技術的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。附圖說明附圖用來提供對本專利技術技術方案的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本專利技術的技術方案，并不構成對本專利技術技術方案的限制。圖1(a)～1(h)為本專利技術一實施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法過程圖；圖2為本專利技術一實施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法示意圖；圖3為本專利技術一實施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法示意圖；圖4(a)～4(h)為本專利技術一實施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法過程圖；圖5為本專利技術一實施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法示意圖；圖6為本專利技術一實施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法示意圖；圖7為本專利技術一實施例提供的氧化物薄膜晶體管示意圖；圖8為本專利技術一實施例提供的氧化物薄膜晶體管示意圖；圖9為本專利技術一實施例提供的陣列基板示意圖；圖10為本專利技術一實施例提供的陣列基板示意圖。具體實施方式為使本專利技術的目的、技術方案和優點更加清楚明白，下文中將結合附圖對本專利技術的實施例進行詳細說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。本文中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。在用于描述本專利技術的實施例的附圖中，層或區域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實際的比例繪制。本專利技術實施例附圖只涉及到與本專利技術實施例相關的結構，其他結構可參考通常設計。本專利技術一實施例提供一種氧化物薄膜晶體管，包括依次在襯底基板上形成的柵極金屬層，柵極絕緣層，有源層(由氧化物半導體形成)，源/漏電極層。其中，在襯底基板背面進行激光退火工藝處理，使得有源層的結構發生變化，有源層與源/漏極電極層相連的區域的電阻變低，趨于導體化，減少有源層和源/漏電極層間的搭接電阻，從而達到提升氧化物薄膜晶體管的開態電流，遷移率和開關比的技術效果。下面通過幾個實施例進一步說明本專利技術。實施例一本實施例提供一種氧化物薄膜晶體管的制造方法，包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源/漏電極層；從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理，以使所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率低于所述有源層與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率，其中，所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分與所述源/漏電極層電連接。在本專利技術的一可選實施例中，所述激光退火工藝為ELA(ExcimerLaserAnnealing，準分子激光退火)工藝。當然，也可使用其他激光退火工藝。在本專利技術的一可選實施例中，所述從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理在形成所述源/漏電極層上的絕緣層后執行；或者，在形成所述有源層后且形成所述源/漏電極層前執行，或者，在形成所述源/漏電極層后執行。在本專利技術的一可選實施例中，在形成所述源漏極電極層之前，在所述有源層上形成刻蝕阻擋層。所述從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理在形成所述刻蝕阻擋層后且形成所述源/漏電極層前執行，或者，在在形成所述源/漏電極層后執行；或者，在形成所述源/漏電極層上的絕緣層后執行；或者，在形成所述有源層后，所述刻蝕阻擋層之前執行。下面通過如圖1(a)至圖1(g)進一步說明本專利技術實施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法。如圖1(a)所示，在襯底基板1上沉積柵極金屬層薄膜并對該柵極金屬層薄膜進行構圖工藝以形成柵極金屬層2。該襯底基板1可以是一個玻璃基板。該柵極金屬層2的材料可以為銅基金屬，例如，銅(Cu)、銅鉬合金(Cu/Mo)、銅鈦合金(Cu/Ti)、銅鉬鈦合金(Cu/Mo/Ti)、銅鉬鎢合金(Cu/Mo/W)、銅鉬鈮合金(Cu/Mo/Nb)等；該柵極金屬層2的材料也可以為鉻基金屬，例如，鉻鉬合金(Cr/Mo)、鉻鈦合金(Cr/Ti)、鉻鉬鈦合金(Cr/Mo/Ti)等。在本實施例中，構圖工藝例如為本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種氧化物薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源/漏電極層；從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理，以使所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率低于所述有源層與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率，其中，所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分與所述源/漏電極層電連接。

【技術特征摘要】
1.一種氧化物薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源/漏電極層；從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理，以使所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率低于所述有源層與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率，其中，所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分與所述源/漏電極層電連接。2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：在形成所述源漏極電極層之前，在所述有源層上形成刻蝕阻擋層。3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述激光退火工藝為準分子激光退火工藝。4.如權利要求1、2或3所述的制造方法，其特征在于，所述從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理在形成所述源/漏電極層上的絕緣層后執行。5.如權利要求1、2或3所述的制造方法，其特征在于，所述從所述襯底基板背面進行激光退火工藝處理在形成所述有源層后且形成所述源/漏電極層前執行。6.如權利要求...

【專利技術屬性】
技術研發人員：操彬彬，孫林，王超，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，合肥鑫晟光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：北京,11