薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法、顯示面板技術

一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法、顯示面板。該薄膜晶體管包括：襯底基板、設置于所述襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極以及至少設置于所述有源層的所述溝道區表面上的由導電材料制備的線柵，所述有源層包括源極區、漏極區以及位于所述源極區和所述漏極區之間的溝道區，所述線柵包括多個彼此間隔的線柵段，并且在所述源極區至所述漏極區的方向上，所述溝道區的長度大于所述線柵段的長度。線柵段可以縮短溝道區的有效長度，可提高薄膜晶體管的開態電流。

Thin film transistor, method for producing the same, array substrate, method for producing the same, display panel

A thin film transistor, a preparation method thereof, an array substrate, a preparation method thereof, and a display panel. The thin film transistor includes: a substrate, the substrate is arranged on the substrate, a gate electrode, a gate insulating layer, an active layer, a source electrode and a drain electrode and at least arranged on the active layer of the channel region on the surface of a conductive material prepared by wire grid, the active layer includes a source region and in the drain region and the source region and the drain region between the channel region and the gate line segment includes a plurality of gate lines spaced, and drain regions in the source region to the direction, the channel region is larger than the length of the wire grid length. The gate section can shorten the effective length of the channel region, and can improve the open state current of the thin film transistor.

【技術實現步驟摘要】
薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法、顯示面板
本公開涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法、顯示面板。
技術介紹
當前消費者對顯示產品分辨率的要求越來越高，具有高分辨率的產品逐漸成為市場的主流，而高分辨率意味著對設備中每一行像素的充電時間要縮短，對應的開關元件(例如薄膜晶體管)需要增大開態電流，以在更短的時間內對像素電極完成充放電。公開內容本公開至少一個實施例提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法、顯示面板以解決上述技術問題。本公開至少一個實施例提供一種薄膜晶體管，包括：襯底基板；設置于所述襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極，所述有源層包括源極區、漏極區以及位于所述源極區和所述漏極區之間的溝道區；至少設置于所述有源層的所述溝道區表面上的由導電材料制備的線柵，所述線柵包括多個彼此間隔的線柵段；其中，在所述源極區至所述漏極區的方向上，所述溝道區的長度大于所述線柵段的長度。例如，在本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管中，所述線柵可以設置于所述有源層的面向所述柵電極的一側；或所述線柵可以設置于所述有源層的背離所述柵電極的一側；或所述線柵可以同時設置于所述有源層的面向所述柵電極的一側以及所述有源層的背離所述柵電極的一側。例如，在本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管中，所述線柵可以分布于所述有源層的面向所述襯底基板的整個表面；和/或所述線柵可以分布于所述有源層的背離所述襯底基板的整個表面。例如，在本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管中，所述線柵段的長度方向可以與所述源極區至所述漏極區的方向相同。例如，在本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管可以包括頂柵型薄膜晶體管、底柵型薄膜晶體管和雙柵型薄膜晶體管中的一種。例如，在本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管中，所述線柵的材料可以包括金屬材料或透明導電材料。本公開至少一個實施例提供一種陣列基板，包括上述任一實施例中的薄膜晶體管。例如，在本公開至少一個實施例提供的陣列基板，其中，所述陣列基板可以包括多個子像素，每個子像素包括顯示區和位于所述顯示區外圍的非顯示區，所述薄膜晶體管位于所述非顯示區中，并且所述線柵還至少設置在所述子像素的所述顯示區中，以及所述線柵配置為使得從所述顯示區透過的光具有第一偏振方向。例如，在本公開至少一個實施例提供的陣列基板，其中，所述線柵的厚度范圍為50～200納米，周期范圍為100～200納米，占空比的范圍為0.3～0.7，同一延長線上的相鄰所述線柵段之間的間隔距離為30～140納米，所述線柵段的長寬比不小于10。本公開至少一個實施例提供一種顯示面板，包括上述任一實施例中的陣列基板。本公開至少一個實施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上形成柵電極、柵絕緣層、有源層及線柵、源電極和漏電極；其中，所述有源層包括源極區、漏極區以及位于所述源極區和所述漏極區之間的溝道區，所述線柵至少與所述溝道區部分重疊，并且所述線柵包括多個彼此間隔的線柵段，在所述源極區至所述漏極區的方向上，所述溝道區的長度大于所述線柵段的長度。例如，在本公開至少一個實施例提供的制備方法中，形成所述線柵的方法可以包括納米壓印。本公開至少一個實施例提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板可以包括多個子像素，所述子像素每個包括顯示區和位于所述顯示區外圍的非顯示區，所述方法包括：提供襯底基板；在所述非顯示區中形成薄膜晶體管的柵電極、柵絕緣層、有源層及源電極和漏電極；形成線柵；其中，所述有源層包括源極區、漏極區以及位于所述源極區和所述漏極區之間的溝道區，所述線柵至少與所述溝道區部分重疊，并且所述線柵包括多個彼此間隔的線柵段，在所述源極區至所述漏極區的方向上，所述溝道區的長度大于所述線柵段的長度，并且所述線柵還至少在所述子像素的顯示區中，以及所述線柵配置為使得從所述顯示區透過的光具有第一偏振方向。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本專利技術的一些實施例，而非對本專利技術的限制。圖1a為本公開一個實施例提供的一種薄膜晶體管的截面圖；圖1b為圖1a所示薄膜晶體管的有源層的局部放大示意圖；圖1c為圖1a所示薄膜晶體管的俯視圖；圖2a為本公開一個實施例提供的另一種薄膜晶體管的截面圖；圖2b為本公開一個實施例提供的另一種薄膜晶體管的截面圖圖3為本公開一個實施例提供的一種陣列基板的截面圖；圖4a為本公開一個實施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；圖4b為圖4a所示陣列基板的A區域的截面圖；圖4c為圖4a所示陣列基板的局部示意圖；圖4d為圖4c所示陣列基板的B區域的截面圖；圖5a～圖5f為本公開一個實施例提供的一種薄膜晶體管的制備方法的過程圖；以及圖6a～圖6c為本公開一個實施例提供的一種陣列基板的制備方法的過程圖。附圖標記：1-柵線；2-數據線；100-襯底基板；110-緩沖層；200-柵電極；300-柵絕緣層；400-線柵；410-線柵段；411-第一柵線段；412-第二柵線段；413-第三柵線段；414-第四柵線段；500-有源層；510-源極區；520-漏極區；530-溝道區；600-絕緣層；610-第一過孔；620-第二過孔；700-源漏電極層；710-源電極；720-漏電極；800-鈍化層；810-第三過孔；900-第二柵電極；1000-第一電極層。具體實施方式為使本公開實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本公開實施例的附圖，對本公開實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本公開的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本公開的實施例，本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本公開保護的范圍。除非另外定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本公開所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。業界在持續提高顯示設備的分辨率，例如分辨率4K甚至8K顯示設備，則需要縮短對設備中每一行像素的充電時間，即增加其開關元件例如薄膜晶體管的開態電流。最直接的增加例如薄膜晶體管的開關元件開態電流的方法，就是增大薄膜晶體管的有源層的溝道區的W/L(寬長比)。受當前工藝條件的限制，有源層的溝道區的長度難以進一步縮短，所以通常通過增加有源層的溝道區的寬度以實現更大的W/L。然而，此方法會使得薄膜晶體管在每個像素區域中的占用空間增加，導致像素區域開口率降低。本公開至少一個實施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法、顯示面板以解決上述技術問題。該薄膜晶體管包括：襯底基板、設置于所述本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種薄膜晶體管，包括：襯底基板；設置于所述襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極，所述有源層包括源極區、漏極區以及位于所述源極區和所述漏極區之間的溝道區；至少設置于所述有源層的所述溝道區表面上的由導電材料制備的線柵，所述線柵包括多個彼此間隔的線柵段；其中，在所述源極區至所述漏極區的方向上，所述溝道區的長度大于所述線柵段的長度。

【技術特征摘要】
1.一種薄膜晶體管，包括：襯底基板；設置于所述襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極，所述有源層包括源極區、漏極區以及位于所述源極區和所述漏極區之間的溝道區；至少設置于所述有源層的所述溝道區表面上的由導電材料制備的線柵，所述線柵包括多個彼此間隔的線柵段；其中，在所述源極區至所述漏極區的方向上，所述溝道區的長度大于所述線柵段的長度。2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述線柵設置于所述有源層的面向所述柵電極的一側；或所述線柵設置于所述有源層的背離所述柵電極的一側；或所述線柵同時設置于所述有源層的面向所述柵電極的一側以及所述有源層的背離所述柵電極的一側。3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其中，所述線柵分布于所述有源層的面向所述襯底基板的整個表面；和/或所述線柵分布于所述有源層的背離所述襯底基板的整個表面。4.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其中，所述線柵段的長度方向與所述源極區至所述漏極區的方向相同。5.根據權利要求1-4任一所述的薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管包括頂柵型薄膜晶體管、底柵型薄膜晶體管和雙柵型薄膜晶體管中的一種。6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述線柵的材料包括金屬材料或透明導電材料。7.一種陣列基板，包括權利要求1-6中任一的薄膜晶體管。8.根據權利要求7所述的陣列基板，其中，所述陣列基板包括多個子像素，每個子像素包括顯示區和位于所述顯示區外圍的非顯示區，所述薄膜晶體管位于所述非顯示區中，并且所述線柵還至少設置在所述子像素的所述顯示區中，以及所述線...

【專利技術屬性】
技術研發人員：呂振華，曲連杰，王延峰，馮鴻博，呂學文，劉建濤，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，北京京東方顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：北京,11