一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板技術

本發明專利技術實施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，涉及顯示技術領域，可以在形成源極和漏極的過程中，避免刻蝕液對氧化物有源層的表面造成損傷，進而影響薄膜晶體管的特性和信賴穩定性。一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在襯底上形成氧化物有源層、源極和漏極；源極和漏極均包括第一透明導電層，第一透明導電層覆蓋氧化物有源層；源極還包括位于第一透明導電層遠離襯底一側的第一金屬層、第二透明導電層；第二透明導電層覆蓋第一金屬層；漏極還包括位于第一透明導電層遠離襯底一側的第二金屬層、第三透明導電層；第三透明導電層覆蓋第二金屬層；其中，第一透明導電層位于源極和漏極之間的部分的導電性小于等于氧化物有源層的導電性。

Thin film transistor, method for producing the same, and array substrate

The embodiment of the invention provides a thin film transistor array substrate and a preparation method thereof, and relates to the technical field of display, can be in the process of forming the source and drain, to avoid damage to the surface of the etching liquid on the oxide active layer, thereby affecting the properties and stability of thin film transistor Lai letter. The preparation method includes a thin film transistor: oxide active layer, a source electrode and a drain electrode formed on the substrate; a source electrode and a drain electrode includes a first transparent conductive layer, a first transparent conductive oxide layer covering the active layer; the source also comprises a first transparent conductive layer from the substrate side of the first metal layer, second the transparent conductive layer; the second transparent conductive layer covers the first metal layer; drain also comprises a first transparent conductive layer from the substrate side of the second metal layer and the third transparent conductive layer; the third transparent conductive layer covers the second metal layer; wherein the first transparent conductive layer of conductive is located between the source and drain part is less than or equal to a conductive oxide active layer.

【技術實現步驟摘要】
一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板
本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板。
技術介紹
薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，簡稱TFT)根據制備工藝的不同，可以分為背溝道刻蝕(BackChannelEtch，簡稱BCE)型和刻蝕阻擋(EtchStopLayer，簡稱ESL)型等。其中，BCE型的TFT因其工藝流程簡單，而被廣泛應用。ESL型與BCE型TFT的區別在于：ESL型TFT的氧化物有源層與源漏間還包括刻蝕阻擋層。在ESL型TFT的制備工藝中，由于刻蝕阻擋層的存在，采用濕法刻蝕對源極和漏極進行刻蝕時，刻蝕液不會直接接觸氧化物有源層，因此，氧化物有源層表面不會被腐蝕損傷。然而，如圖1所示，在BCE型TFT的制備工藝中，采用濕法刻蝕對源極14和漏極15進行刻蝕時，由于刻蝕液直接接觸氧化物有源層13，導致氧化物有源層13中與刻蝕液直接接觸的部分被腐蝕損傷，例如：與刻蝕液直接接觸的氧化物有源層13的表面凹凸不平、失氧、以及被雜質元素污染等，使與刻蝕液直接接觸的氧化物有源層13的表面產生大量缺陷態，從而影響TFT的特性和信賴穩定性。
技術實現思路
本專利技術的實施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，在形成源極和漏極的過程中，避免刻蝕液對氧化物有源層的表面造成損傷，進而影響薄膜晶體管的特性和信賴穩定性。為達到上述目的，本專利技術的實施例采用如下技術方案：第一方面，提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在襯底上形成氧化物有源層、源極和漏極；所述源極和所述漏極均包括第一透明導電層，所述第一透明導電層覆蓋所述氧化物有源層。所述源極還包括位于所述第一透明導電層遠離所述襯底一側的第一金屬層、第二透明導電層；所述第二透明導電層覆蓋所述第一金屬層；所述漏極還包括位于所述第一透明導電層遠離所述襯底一側的第二金屬層、第三透明導電層；所述第三透明導電層覆蓋所述第二金屬層。其中，所述第一透明導電層位于所述源極和所述漏極之間的部分的導電性小于等于所述氧化物有源層的導電性。可選的，形成氧化物有源層、源極和漏極，包括：在所述襯底上，依次形成氧化物半導體薄膜、第一透明導電薄膜、金屬薄膜、以及第二透明導電薄膜，并在所述第二透明導電薄膜上方形成光刻膠；利用半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；所述光刻膠完全保留部分與所述源極和所述漏極對應，所述光刻膠半保留部分與所述源極和所述漏極之間的區域對應，所述光刻膠完全去除部分與其他區域對應。采用刻蝕工藝，對與所述光刻膠完全去除部分對應的所述第二透明導電薄膜、所述金屬薄膜、所述第一透明導電薄膜、以及所述氧化物半導體薄膜進行刻蝕，形成所述氧化物有源層；并采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分。采用刻蝕工藝，對露出的所述第二透明導電薄膜和所述金屬薄膜進行刻蝕，形成所述第二透明導電層、所述第三透明導電層、所述第一金屬層、以及所述第二金屬層；對所述第一透明導電薄膜位于所述源極和所述漏極之間的區域的導電性進行處理，形成所述第一透明導電層。可選的，形成氧化物有源層、源極和漏極，包括：在襯底上，通過一次構圖工藝形成所述氧化物有源層。在形成有所述氧化物有源層的所述襯底上依次形成第一透明導電薄膜、金屬薄膜、以及第二透明導電薄膜，并在所述第二透明導電薄膜上方形成光刻膠；利用半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；所述光刻膠完全保留部分與所述源極和所述漏極對應，所述光刻膠半保留部分與所述源極和所述漏極之間的區域對應，所述光刻膠完全去除部分與其他區域對應。采用刻蝕工藝，對與所述光刻膠完全去除部分對應的所述第二透明導電薄膜、所述金屬薄膜、以及所述第一透明導電薄膜進行刻蝕；并采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分。采用刻蝕工藝，對露出的所述第二透明導電薄膜和所述金屬薄膜進行刻蝕，形成所述第二透明導電層、所述第三透明導電層、所述第一金屬層、以及所述第二金屬層；對所述第一透明導電薄膜位于所述源極和所述漏極之間的區域的導電性進行處理，形成所述第一透明導電層。優選的，所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料均包括銅；所述第一透明導電層、所述第二透明導電層和所述第三透明導電層的材料均包括氧化銦鋅；所述第一透明導電層中鋅與銦的質量比范圍為70：30～90：10，所述第二透明導電層和所述第三透明導電層中鋅與銦的質量比為20：80～25：75。對所述第一透明導電薄膜位于所述源極和所述漏極之間的區域的導電性進行處理，形成所述第一透明導電層，包括：在所述第二透明導電層和所述第三透明導電層上方形成光刻膠；利用掩模板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；所述光刻膠完全去除部分與所述源極和所述漏極之間的區域對應，所述光刻膠完全保留部分與其他區域對應。采用氧氣、笑氣中的至少一種，對與所述光刻膠完全去除部分對應的所述第一透明導電薄膜進行等離子體處理。進一步優選的，采用刻蝕工藝，對露出的所述第二透明導電薄膜和所述金屬薄膜和進行刻蝕，具體包括：采用銅刻蝕速率大于氧化銦鋅刻蝕速率的銅刻蝕液，對露出的所述第二透明導電薄膜和所述金屬薄膜進行刻蝕。優選的，所述第一透明導電層的厚度范圍為20～50nm。第二方面，提供一種薄膜晶體管，包括襯底、依次設置于所述襯底上的氧化物有源層、源極和漏極；所述源極和所述漏極均包括第一透明導電層，所述第一透明導電層覆蓋所述氧化物有源層；其中，所述第一透明導電層位于所述源極和所述漏極之間的部分的導電性小于等于所述氧化物有源層的導電性。優選的，所述源極還包括設置于所述第一透明導電層遠離所述襯底一側的第一金屬層、第二透明導電層；所述第二透明導電層覆蓋所述第一金屬層；所述漏極還包括設置于所述第一透明導電層遠離所述襯底一側的第二金屬層、第三透明導電層；所述第三透明導電層覆蓋所述第二金屬層。所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料均包括銅；所述第一透明導電層、所述第二透明導電層和所述第三透明導電層的材料均包括氧化銦鋅；所述第一透明導電層中鋅與銦的質量比范圍為70：30～90：10，且位于所述源極和所述漏極之間的部分還包括氧化銦和氧化鋅；所述第二透明導電層和所述第三透明導電層中鋅與銦的質量比為20：80～25：75。優選的，所述第一透明導電層的厚度范圍為20～50nm。第三方面，提供一種陣列基板，包括權利要求第二方面所述的薄膜晶體管。本專利技術實施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，通過在形成源極和漏極的過程中，保留第一透明導電層位于源極與漏極之間的部分，使第一透明導電層覆蓋氧化物有源層形成，可以避免刻蝕液接觸氧化物有源層，并對氧化物有源層中與刻蝕液接觸的部分造成腐蝕損傷，進而避免影響薄膜晶體管的特性和信賴穩定性。在此基礎上，覆蓋在氧化物有源層上的第一透明導電層，還可以減輕光對氧化物有源層位于源極和漏極之間的部分的照射，進而起到防止氧化物有源層退化的作用。其中，第一透明導電層位于源極和漏極之間的部分的導電性小于等于氧化物有源層的導電性，可以避免源極和漏極通過第一透明導電層導通。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：在襯底上形成氧化物有源層、源極和漏極；所述源極和所述漏極均包括第一透明導電層，所述第一透明導電層覆蓋所述氧化物有源層；所述源極還包括位于所述第一透明導電層遠離所述襯底一側的第一金屬層、第二透明導電層；所述第二透明導電層覆蓋所述第一金屬層；所述漏極還包括位于所述第一透明導電層遠離所述襯底一側的第二金屬層、第三透明導電層；所述第三透明導電層覆蓋所述第二金屬層；其中，所述第一透明導電層位于所述源極和所述漏極之間的部分的導電性小于等于所述氧化物有源層的導電性。

【技術特征摘要】
1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：在襯底上形成氧化物有源層、源極和漏極；所述源極和所述漏極均包括第一透明導電層，所述第一透明導電層覆蓋所述氧化物有源層；所述源極還包括位于所述第一透明導電層遠離所述襯底一側的第一金屬層、第二透明導電層；所述第二透明導電層覆蓋所述第一金屬層；所述漏極還包括位于所述第一透明導電層遠離所述襯底一側的第二金屬層、第三透明導電層；所述第三透明導電層覆蓋所述第二金屬層；其中，所述第一透明導電層位于所述源極和所述漏極之間的部分的導電性小于等于所述氧化物有源層的導電性。2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成氧化物有源層、源極和漏極，包括：在所述襯底上，依次形成氧化物半導體薄膜、第一透明導電薄膜、金屬薄膜、以及第二透明導電薄膜，并在所述第二透明導電薄膜上方形成光刻膠；利用半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；所述光刻膠完全保留部分與所述源極和所述漏極對應，所述光刻膠半保留部分與所述源極和所述漏極之間的區域對應，所述光刻膠完全去除部分與其他區域對應；采用刻蝕工藝，對與所述光刻膠完全去除部分對應的所述第二透明導電薄膜、所述金屬薄膜、所述第一透明導電薄膜、以及所述氧化物半導體薄膜進行刻蝕，形成所述氧化物有源層；采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分；采用刻蝕工藝，對露出的所述第二透明導電薄膜和所述金屬薄膜進行刻蝕，形成所述第二透明導電層、所述第三透明導電層、所述第一金屬層、以及所述第二金屬層；對所述第一透明導電薄膜位于所述源極和所述漏極之間的區域的導電性進行處理，形成所述第一透明導電層。3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成氧化物有源層、源極和漏極，包括：在襯底上，通過一次構圖工藝形成所述氧化物有源層；在形成有所述氧化物有源層的所述襯底上依次形成第一透明導電薄膜、金屬薄膜、以及第二透明導電薄膜，并在所述第二透明導電薄膜上方形成光刻膠；利用半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；所述光刻膠完全保留部分與所述源極和所述漏極對應，所述光刻膠半保留部分與所述源極和所述漏極之間的區域對應，所述光刻膠完全去除部分與其他區域對應；采用刻蝕工藝，對與所述光刻膠完全去除部分對應的所述第二透明導電薄膜、所述金屬薄膜、以及所述第一透明導電薄膜進行刻蝕；采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分；采用刻蝕工藝，對露出的所述第二透明導電薄膜和所述金屬薄膜進行刻蝕，形成所述第二透明導電層、所述第三透明導電層、所述第一金屬層、以及所述第二金屬層；...

【專利技術屬性】
技術研發人員：邸云萍，楊維，王利忠，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：北京,11