一種濕法腐蝕方法技術

本發明專利技術公開了一種應用于高Al組分AlGaAs?GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法，其采用的腐蝕液配比為H

【技術實現步驟摘要】
一種濕法腐蝕方法
本專利技術涉及一種濕法腐蝕方法，尤其涉及一種應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法。
技術介紹
理想半導體激光器的脊臺形貌為90°，然而當半導體激光器采用GaAs作為P面歐姆接觸曾，高Al組分AlGaAs材料作為電子阻擋層和波導層時，由于高Al組分AlGaAs在一般腐蝕液中的側向腐蝕速率大于GaAs，容易在腐蝕后形成GaAs凸出、AlGaAs凹陷的屋檐狀形貌。這樣的屋檐狀脊臺形貌將影響SiO2鈍化保護，易造成漏電短路等異常情況，如申請號為CN201310406295.8，申請日為2013-09-09，公告號為CN103531458A，公告日為2014-01-22的《一種利用兩步法對GaAs基材料進行濕法刻蝕的方法》。提高H3PO4:H2O2腐蝕液中的H3PO4濃度，可以減緩AlGaAs側向凹陷情況，但是H3PO4濃度提高后，腐蝕液非常粘稠，不利于大尺寸waf的腐蝕深度均勻性控制。
技術實現思路
為了能夠達到消除AlGaAs層凹陷的效果，同時解決腐蝕液粘稠導致的腐蝕深度均勻性不易控制的技術問題，本專利技術提供一種應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法。本專利技術的解決方案是：一種應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法，其采用的腐蝕液配比為H3PO4:H2O2:H2O＝1:10:1，且用于GaAs/Al0.7Ga0.3As脊臺材料腐蝕中；在室溫環境下完成腐蝕。作為上述方案的進一步改進，腐蝕速率為120～160nm/s。本專利技術選取H3PO4:H2O2腐蝕液，采用本專利技術的H2O2濃度，同樣能夠達到消除AlGaAs層凹陷的效果，而且這個濃度的H2O2不會帶來腐蝕液粘稠導致的腐蝕深度均勻性不易控制的問題。附圖說明圖1為采用常規腐蝕液腐蝕H2SO4:H2O2:H2O＝1:1:20時，腐蝕后的側壁形貌示意圖。圖2為采用本專利技術的應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法腐蝕后的側壁形貌示意圖。具體實施方式為了使本專利技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本專利技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。在GaAs半導體激光器脊臺濕法腐蝕工藝中，半導體脊臺采用上層0.3～0.5μmGaAs材料、以及下層0.6～1μm的Al0.7Ga0.3As材料時，使用常規腐蝕液腐蝕，如H2SO4:H2O2:H2O＝1:1:20時，腐蝕后側壁形貌如圖1所示，Al0.7Ga0.3As材料相對GaAs材料側向鉆蝕情況嚴重，脊臺整體呈屋檐狀。本專利技術應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法，采用的腐蝕液配比為H3PO4:H2O2:H2O＝1:10:1，且用于GaAs/Al0.7Ga0.3As脊臺材料腐蝕中，在室溫環境下完成腐蝕。H3PO4:H2O2:H2O＝1:10:1的配比也得到了試驗的驗證，在室溫環境下，腐蝕速率約為120～160nm/s，腐蝕完成后，脊臺側壁形貌如圖2所示，GaAs側壁垂直，Al0.7Ga0.3As側壁呈正臺面，GaAs材料和Al0.7Ga0.3As材料的側向腐蝕量基本一致，這樣的脊臺形貌對SiO2鈍化無影響，極大減小漏電短路等異常發生。需要說明的是，H3PO4:H2O2:H2O＝1:10:1的配比并非是通過無限次試驗就能輕而易舉的得到，因為不同的配比，整體表現的性能差異很大，沒辦法從試驗數據上簡單歸納與總結。以上所述僅為本專利技術的較佳實施例而已，并不用以限制本專利技術，凡在本專利技術的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種應用于高Al組分AlGaAs?GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法，其特征在于：其采用的腐蝕液配比為H

【技術特征摘要】
1.一種應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法，其特征在于：其采用的腐蝕液配比為H3PO4:H2O2:H2O＝1:10:1，且用于GaAs/Al0.7Ga...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周立，潘之煒，吳濤，李瑞彬，譚少陽，
申請(專利權)人：蘇州長光華芯光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇,32