發(fā)光裝置以及投影儀制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供發(fā)光裝置以及投影儀，該發(fā)光裝置是SLD，能減少增益飽和，實現(xiàn)高輸出化。在本發(fā)明專利技術(shù)的發(fā)光裝置中，脊部具有寬度隨著從中心位置朝第一光射出面?zhèn)榷鴶U大的第一錐形部、及寬度隨著從上述中心位置朝第二光射出面?zhèn)榷鴶U大的第二錐形部，連接區(qū)域具有寬度隨著從上述中心位置朝第一光射出面?zhèn)榷鴶U大的第三錐形部、及寬度隨著從上述中心位置朝第二光射出面?zhèn)榷鴶U大的第四錐形部，規(guī)定第三錐形部的寬度的連接區(qū)域的外緣相對于光波導(dǎo)路的中心線的角度比規(guī)定第一錐形部的寬度的脊部的外緣相對于中心線的角度大，規(guī)定第四錐形部的寬度的連接區(qū)域的外緣相對于上述中心線的角度比規(guī)定第二錐形部的寬度的脊部的外緣相對于上述中心線的角度大。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及發(fā)光裝置以及投影儀。
技術(shù)介紹
半導(dǎo)體激光器、超輻射發(fā)光二極管(SuperLuminescentDiode，以下也稱為“SLD”)等半導(dǎo)體發(fā)光裝置例如被作為投影儀的光源使用。在半導(dǎo)體激光器、SLD的光波導(dǎo)路中，光朝向射出光的光射出面被放大。因此，在光射出面附近，存在由于轉(zhuǎn)換為光的載流子的量不足而產(chǎn)生增益飽和導(dǎo)致輸出降低的情況。例如在專利文獻1中記載有如下內(nèi)容：在半導(dǎo)體激光器中，使用波導(dǎo)路的寬度在諧振器方向緩緩擴大的錐形條構(gòu)造，由此，抑制光的電場強度產(chǎn)生諧振器方向上的極端的偏差，減少空間的燒孔效應(yīng)，而能夠抑制增益飽和。并且，在專利文獻1中記載有如下內(nèi)容：將接觸層的寬度設(shè)為比脊形條的寬度小，由此，朝向脊形條的水平方向兩端部的電流的注入量減少，抑制水平方向的載流子產(chǎn)生空間燒孔效應(yīng)，而能夠抑制增益飽和。專利文獻1：國際公開第2013/171950號然而，在專利文獻1中，在半導(dǎo)體激光器中優(yōu)化了電流注入量，對于SLD而言，被優(yōu)化的電流注入量的分布是不同的。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的幾個方式的目的之一在于提供一種是SLD且能夠減少增益飽和實現(xiàn)高輸出化的發(fā)光裝置。另外，本專利技術(shù)的幾個方式的目的之一在于提供一種包括上述發(fā)光裝置的投影儀。本專利技術(shù)的發(fā)光裝置包括：層疊體，其具有能夠被注入電流而產(chǎn)生光的活性層、及夾著上述活性層的第一包覆層和第二包覆層；以及向上述活性層注入電流的第一電極和第二電極，上述第二包覆層具有厚度比上述第二包覆層的其它部分大的脊部，上述活性層構(gòu)成對光進行波導(dǎo)的光波導(dǎo)路，上述光波導(dǎo)路具有射出光的第一光射出面和第二光射出面，上述光波導(dǎo)路沿相對于上述第一光射出面的法線和上述第二光射出面的法線傾斜的方向延伸，上述層疊體具有連接區(qū)域，該連接區(qū)域從上述活性層和上述第一包覆層的層疊方向觀察與上述脊部重疊并且與上述第二電極連接，從上述層疊方向觀察，上述脊部具有寬度隨著從到上述第一光射出面和上述第二光射出面的距離相等的中心位置朝向上述第一光射出面?zhèn)榷鴶U大的第一錐形部、以及寬度隨著從上述中心位置朝向上述第二光射出面?zhèn)榷鴶U大的第二錐形部，從上述層疊方向觀察，上述連接區(qū)域具有寬度隨著從上述中心位置朝向上述第一光射出面?zhèn)榷鴶U大的第三錐形部、以及寬度隨著從上述中心位置朝向上述第二光射出面?zhèn)榷鴶U大的第四錐形部，從上述層疊方向觀察，規(guī)定上述第三錐形部的寬度的上述連接區(qū)域的外緣相對于上述光波導(dǎo)路的中心線的角度比規(guī)定上述第一錐形部的寬度的上述脊部的外緣相對于上述中心線的角度大，從上述層疊方向觀察，規(guī)定上述第四錐形部的寬度的上述連接區(qū)域的外緣相對于上述中心線的角度比規(guī)定上述第二錐形部的寬度的上述脊部的外緣相對于上述中心線的角度大。在這樣的發(fā)光裝置中，不增加向光波導(dǎo)路整體注入的電流量，就能夠減少載流子多余的中心位置處的電流量，能夠增加載流子不足的部分的電流量。因此，這樣的發(fā)光裝置能夠減少增益飽和，實現(xiàn)高輸出化。在本專利技術(shù)的發(fā)光裝置中，可以構(gòu)成為：上述層疊體具有設(shè)置于上述第二包覆層與上述第二電極之間的接觸層，上述接觸層與上述第二電極連接。在這樣的發(fā)光裝置中，能夠減少層疊體與第二電極的接觸電阻。在本專利技術(shù)的發(fā)光裝置中，可以構(gòu)成為：從上述層疊方向觀察，上述連接區(qū)域的形狀相對于上述中心位置對稱，從上述層疊方向觀察，上述脊部的形狀相對于上述中心位置對稱。在這樣的發(fā)光裝置中，能夠減小從第一光射出面射出的光的強度與從第二光射出面射出的光的強度的差。在本專利技術(shù)的發(fā)光裝置中，可以構(gòu)成為：在上述第一光射出面以及上述第二光射出面設(shè)置有防反射膜。在這樣的發(fā)光裝置中，能夠抑制第一光射出面以及第二光射出面處的光的反射，能夠高效地從第一光射出面以及第二光射出面射出光。在本專利技術(shù)的發(fā)光裝置中，可以構(gòu)成為：上述光波導(dǎo)路排列有多個。在這樣的發(fā)光裝置中，能夠?qū)崿F(xiàn)高輸出化。本專利技術(shù)的投影儀包括：本專利技術(shù)的發(fā)光裝置；根據(jù)圖像信息對從上述發(fā)光裝置射出的光進行調(diào)制的光調(diào)制裝置；以及對通過上述光調(diào)制裝置形成的圖像進行投影的投影裝置。在這樣的投影儀中，由于包括本專利技術(shù)的發(fā)光裝置，所以能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度化。附圖說明圖1是示意性地表示本實施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。圖2是示意性地表示本實施方式的發(fā)光裝置的剖視圖。圖3是示意性地表示本實施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。圖4是示意性地表示本實施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。圖5是示意性地表示參考例的發(fā)光裝置的俯視圖。圖6是用于對光波導(dǎo)路的延伸方向的位置與寬度的關(guān)系進行說明的圖表。圖7是示意性地表示參考例的發(fā)光裝置的俯視圖。圖8是用于對光波導(dǎo)路的延伸方向的位置與寬度的關(guān)系進行說明的圖表。圖9是用于對光波導(dǎo)路的延伸方向的位置與光強度的關(guān)系進行說明的圖表。圖10是用于對光波導(dǎo)路的延伸方向的位置與寬度的關(guān)系進行說明的圖表。圖11是用于對電流量與光輸出的關(guān)系進行說明的圖表。圖12是示意性地表示本實施方式的發(fā)光裝置的制造工序的剖視圖。圖13是示意性地表示本實施方式的發(fā)光裝置的制造工序的剖視圖。圖14是示意性地表示本實施方式的變形例的發(fā)光裝置的俯視圖。圖15是示意性地表示本實施方式的投影儀的圖。具體實施方式以下，使用附圖對本專利技術(shù)所優(yōu)選的實施方式進行詳細(xì)地說明。此外，以下說明的實施方式并未不當(dāng)?shù)叵薅?quán)利要求書所記載的本專利技術(shù)的內(nèi)容。另外，以下說明的結(jié)構(gòu)未必全是本專利技術(shù)的必要構(gòu)成要件。1.發(fā)光裝置首先，參照附圖對本實施方式的發(fā)光裝置進行說明。圖1是示意性地表示本實施方式的發(fā)光裝置100的俯視圖。圖2是示意性地表示本實施方式的發(fā)光裝置100的圖1的II-II線剖視圖。如圖1以及圖2所示，發(fā)光裝置100包括層疊體101、絕緣層112、第一電極120、第二電極122、以及防反射膜140。層疊體101具有基板102、第一包覆層104、活性層106、第二包覆層108、以及接觸層110。此外，為了方便，在圖1中省略第二電極122。基板102例如是第一導(dǎo)電型(例如n型)的GaAs基板。第一包覆層104設(shè)置于基板102上。第一包覆層104例如是n型的InGaAlP層。此外，雖然未圖示，但也可以在基板102與第一包覆層104之間形成有緩沖層。緩沖層例如是n型的GaAs層、AlGaAs層、InGaP層等。緩沖層能夠提高形成于其上方的層的結(jié)晶品質(zhì)。活性層106設(shè)置于第一包覆層104上。活性層106例如具有將由InGaP阱層與InGaAlP阻擋層構(gòu)成的量子阱構(gòu)造重疊三個而得的多重量子阱(MQW)構(gòu)造。如圖1所示，活性層106具有第一側(cè)面106a、第二側(cè)面106b、第三側(cè)面106c、以及第四側(cè)面106d。側(cè)面106a、106b是相互朝向相反方向的面(在圖示的例子中為平行的面)。側(cè)面106c、106d是相互朝向相反方向的面(在圖示的例子中為平行的面)，是連接于側(cè)面106a、106b的面。側(cè)面106a、106b、106c、106d是不與包覆層104、108呈面狀接觸的面。側(cè)面106a、106b也可以是由解理而形成的解理面。活性層106是能夠被注入電流而產(chǎn)生光的層。活性層106構(gòu)成對光進行波導(dǎo)的光波導(dǎo)路160。在光波導(dǎo)路160進行波導(dǎo)的光能夠在光波導(dǎo)路160接受增益。光波導(dǎo)路160從活性層106以及第一包覆層104的層疊方向觀察(也稱為“在俯視時”)，從第一側(cè)面106a延伸至第二側(cè)面106b。光波導(dǎo)路160具有射出光本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：層疊體，其具有能夠被注入電流而產(chǎn)生光的活性層、及夾著所述活性層的第一包覆層和第二包覆層；以及向所述活性層注入電流的第一電極和第二電極，所述第二包覆層具有厚度比所述第二包覆層的其它部分大的脊部，所述活性層構(gòu)成對光進行波導(dǎo)的光波導(dǎo)路，所述光波導(dǎo)路具有射出光的第一光射出面和第二光射出面，所述光波導(dǎo)路沿相對于所述第一光射出面的法線和所述第二光射出面的法線傾斜的方向延伸，所述層疊體具有連接區(qū)域，該連接區(qū)域從所述活性層和所述第一包覆層的層疊方向觀察與所述脊部重疊并且與所述第二電極連接，從所述層疊方向觀察，所述脊部具有寬度隨著從到所述第一光射出面和所述第二光射出面的距離相等的中心位置朝向所述第一光射出面?zhèn)榷鴶U大的第一錐形部、以及寬度隨著從所述中心位置朝向所述第二光射出面?zhèn)榷鴶U大的第二錐形部，從所述層疊方向觀察，所述連接區(qū)域具有寬度隨著從所述中心位置朝向所述第一光射出面?zhèn)榷鴶U大的第三錐形部、以及寬度隨著從所述中心位置朝向所述第二光射出面?zhèn)榷鴶U大的第四錐形部，從所述層疊方向觀察，規(guī)定所述第三錐形部的寬度的所述連接區(qū)域的外緣相對于所述光波導(dǎo)路的中心線的角度比規(guī)定所述第一錐形部的寬度的所述脊部的外緣相對于所述中心線的角度大，從所述層疊方向觀察，規(guī)定所述第四錐形部的寬度的所述連接區(qū)域的外緣相對于所述中心線的角度比規(guī)定所述第二錐形部的寬度的所述脊部的外緣相對于所述中心線的角度大。...

【技術(shù)特征摘要】
2015.08.17 JP 2015-1603401.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：層疊體，其具有能夠被注入電流而產(chǎn)生光的活性層、及夾著所述活性層的第一包覆層和第二包覆層；以及向所述活性層注入電流的第一電極和第二電極，所述第二包覆層具有厚度比所述第二包覆層的其它部分大的脊部，所述活性層構(gòu)成對光進行波導(dǎo)的光波導(dǎo)路，所述光波導(dǎo)路具有射出光的第一光射出面和第二光射出面，所述光波導(dǎo)路沿相對于所述第一光射出面的法線和所述第二光射出面的法線傾斜的方向延伸，所述層疊體具有連接區(qū)域，該連接區(qū)域從所述活性層和所述第一包覆層的層疊方向觀察與所述脊部重疊并且與所述第二電極連接，從所述層疊方向觀察，所述脊部具有寬度隨著從到所述第一光射出面和所述第二光射出面的距離相等的中心位置朝向所述第一光射出面?zhèn)榷鴶U大的第一錐形部、以及寬度隨著從所述中心位置朝向所述第二光射出面?zhèn)榷鴶U大的第二錐形部，從所述層疊方向觀察，所述連接區(qū)域具有寬度隨著從所述中心位置朝向所述第一光射出面?zhèn)榷鴶U大的第三錐形部、以及寬度隨著從所述中心位置朝向所述第二光射出面?zhèn)榷鴶U大的第四錐形部，從所述層疊方向觀察，規(guī)定所述第三錐形部的寬度的所述連接區(qū)域的外緣相對于所述光波導(dǎo)路的中心線的角度比規(guī)定所述第一錐形部的...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：西岡大毅，
申請(專利權(quán))人：精工愛普生株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP