晶片的加工方法技術

本發明專利技術的課題在于提供晶片的加工方法，當在形成了由脈沖激光光線形成的改質層和裂痕之后執行磨削工序而分割成各個器件的情況下，不會導致器件的品質降低。為了解決上述課題，將在本發明專利技術的晶片的加工方法的改質層形成工序中設定的脈沖激光光線的功率設定為按照如下的方式形成改質層以及裂痕的功率：通過按照在背面磨削工序中設定的規定的磨削條件進行磨削，從而能夠在達到完工厚度之前將晶片分割成各個器件芯片，而且在分割成各個器件芯片之后，直到達到完工厚度為止的時間是不存在各個器件芯片彼此磨擦而產生損傷的情況的時間。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及晶片的加工方法，對在正面呈格子狀形成有多條間隔道(分割預定線)并且在由該多條間隔道劃分的多個區域內形成有器件的晶片沿著間隔道進行分割。
技術介紹
在半導體器件制造工藝中，通過在大致圓板形狀的半導體晶片的正面呈格子狀排列的稱為間隔道的分割預定線來劃分出多個區域，在該劃分出的區域內形成IC、LSI等器件。并且，通過沿著間隔道切斷晶片從而對形成有器件的區域進行分割而制造出各個器件芯片。作為沿著上述的晶片的間隔道進行分割的方法還嘗試了如下的激光加工方法：使用對于晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線，使聚光點對準待分割區域的內部而照射脈沖激光光線。當對使用了該激光加工方法的分割方法的一例進行更具體地說明時，在形成有器件的晶片正面配設保護部件，從晶片的背面將對于晶片具有透過性的波長的激光光線定位在與分割預定線對應的晶片內部而進行照射，在沿著分割預定線形成改質層之后，將配設在晶片的正面的保護部件側保持在保持單元上，通過磨削單元對晶片的背面進行磨削而加工到目標完工厚度。通過該加工將改質層去除，并且沿著分割預定線將晶片分割成各個器件芯片(例如，參照專利文獻1)。根據該分割工序，在形成改質層時形成裂痕，之后，執行由磨削單元所進行的磨削從而以該裂痕為起點分割成各個器件芯片，因此，不需要采用另外施加外力等的單元，能夠高效地進行分割。專利文獻1：日本特許第3762409號公報所述改質層和裂痕通過下述方式形成：將脈沖激光光線的聚光點對準晶片基板的內部進行照射從而創造出容易產生多光子吸收的條件，使晶片基板內部改質。在所述改質層形成過程中會形成裂痕，由于在磨削時存在該裂痕，所以在對晶片基板的背面進行磨削的磨削工序中，可靠地分割成各個器件芯片。但是，在進行背面的磨削時，如后述的那樣，一邊使對作為被加工物的晶片進行保持的卡盤工作臺旋轉，一邊使磨削單元所具有的磨削磨輪與該晶片接觸并高速旋轉，并相對于被加工物使該磨削單元下降，從而對晶片賦予較強的壓力和振動。并且，在磨削工序的途中將晶片分割成各個器件芯片之后磨削工序長時間地持續直到達到完工厚度的情況下，會產生如下問題：分割而成的器件芯片彼此受到上述壓力和振動而各自振動，相鄰的器件芯片彼此接觸、碰撞，在器件芯片的側部和角部產生缺陷而給產品品質帶來較大的影響。考慮過為了應對該問題而采取下述措施：當為了執行磨削加工而在晶片的形成有器件的正面上配設保護部件的保護膜時，使該保護膜硬化而臨時牢固地進行固定以使得即使各器件被分割成各個芯片也不會振動。但是，作為該保護膜，當將晶片的形成有器件的正面側保持于卡盤工作臺等保持部件上時，要求其具有作為為了保護正面側的器件而吸收加工時的振動的某種程度的緩沖材料的功能，所以并不優選使其事先硬化為將分割后的各器件芯片牢固地固定的狀態。因此，在晶片的加工方法中存在如下的待解決的課題，在形成由脈沖激光光線形成的改質層和裂痕之后執行磨削工序而分割成各個器件芯片的情況下，不會導致器件芯片的品質降低。
技術實現思路
為了解決上述主要的技術課題，根據本專利技術，提供一種晶片的加工方法，將該晶片分割成各個器件芯片，在該晶片中，多個器件由分割預定線劃分而形成在正面上，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：保護部件配設工序，在晶片的正面配設保護部件；改質層形成工序，將對于配設有該保護部件的晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線的聚光點定位在沿著分割預定線的晶片的內部，并且以規定的功率照射該脈沖激光光線，形成改質層和從該改質層朝向正面背面延伸的裂痕；以及背面磨削工序，在實施了該改質層形成工序之后，將該保護部件側保持在卡盤工作臺上，按照規定的磨削條件利用磨削磨輪對晶片的背面進行磨削而分割成各個器件芯片，并且去除該改質層并進行磨削直至達到目標完工厚度，將在該改質層形成工序中設定的所述脈沖激光光線的該規定的功率設定為按照如下的方式形成改質層以及裂痕的功率：通過按照在該背面磨削工序中設定的該規定的磨削條件進行磨削，能夠在達到目標完工厚度之前將該晶片分割成各個器件芯片，而且在分割成各個器件芯片之后，直到達到該目標完工厚度為止的時間是不存在各個器件芯片彼此磨擦而產生損傷的情況的時間。根據本專利技術的晶片加工方法，按照如下方式對形成改質層以及裂痕的脈沖激光光線的功率進行設定：能夠防止在背面磨削工序中在磨削加工開始之后、在進行磨削的當前將晶片分割成各個器件芯片，在達到完工厚度之前且在分割成各個器件芯片之后，達到完工厚度為止的時間是不存在各個器件芯片彼此摩擦而產生損傷的程度的時間。附圖說明圖1的(a)、(b)是示出保護部件配設工序的概略立體圖。圖2是示出改質層形成工序的執行狀態的概略立體圖。圖3的(a)、(b)是示出在圖2所示的改質層形成工序中形成的改質層的剖視圖。圖4是示出晶片的背面磨削時的晶片保持工序的立體圖。圖5是示出背面磨削工序的概略立體圖。圖6是示出在背面磨削工序中磨削加工完成狀態的概略立體圖。圖7是示出保護帶的剝離工序的概略立體圖。標號說明2：硅晶片；3：保護帶；4：磨削裝置；21：器件；22：改質層；23：裂痕；24：分割預定線；31、40：卡盤工作臺；42：磨削磨輪；43：磨削單元。具體實施方式以下，參照附圖對本專利技術的晶片的加工方法的優選的實施例方式進行詳細地說明。(保護部件配設工序)在圖1中示出了將作為由本專利技術的晶片的加工方法進行分割的硅晶片2和對在該硅晶片2的正面側2a上形成的器件21進行保護的保護部件的例如由聚氯乙烯構成的保護帶3粘接(參照圖1的(a))，形成作為被加工物的晶片(參照圖1的(b))的工序。圖1所示的硅晶片2在正面2a上由呈格子狀形成的多條間隔道(分割預定線)劃分出多個區域，在該劃分出的區域內形成有IC、LSI等該器件21。(改質層形成工序)如上所述，如果在硅晶片2的正面2a上配設了保護帶3，則將所述硅晶片2的保護帶3側定位并載置到圖2所示的激光加工裝置中的激光加工用卡盤工作臺31上。并且，從晶片2的背面2b側將聚光點定位在與分割預定線對應的晶片2的內部而照射對于該硅晶片2具有透過性的波長的激光光線，并按照箭頭X所示的方向以后述的規定的加工進給速度對卡盤工作臺31進行加工進給，形成改質層。當所述激光加工在該分割預定線全長范圍內結束后，在箭頭Y所示的方向上依次相對地對照射激光光線的聚光器30進行分度進給，一邊照射脈沖激光光線一邊使卡盤工作臺在箭頭X方向上移動，在所有的與在第1方向上延伸的分割預定線對應的晶片的內部形成改質層，其中，該第1方向沿著硅晶片2上的箭頭Y方向排列。之后，將卡盤工作臺31旋轉90度而沿著在與第1方向垂直的第2方向上延伸的分割預定線重復同樣的步驟，在所有的沿著硅晶片2的第1方向和第2方向排列的分割預定線的內部產生改質層和裂痕。另外，在該實施方式中，由于沿著一條分割預定線形成了在高度(深度)方向上錯開位置的3個改質層，所以該改質層形成工序在各分割預定線處使聚光點位置錯開3次而反復進行。關于在所述改質層形成工序中形成的改質層，使用圖3的(a)、(b)進行進一步地說明。圖3的(a)示出了將形成有改質層的晶片2沿著分割預定線切斷的截面的一部分概略圖。硅晶片2以a＝700μm的厚度形成，在下述區域中形成改質層：從以形成有器件21的正面2a為基準按照180μ本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶片的加工方法，將該晶片分割成各個器件芯片，在該晶片中，多個器件由分割預定線劃分而形成在正面上，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：保護部件配設工序，在晶片的正面配設保護部件；改質層形成工序，將對于配設有該保護部件的晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線的聚光點定位在沿著分割預定線的晶片的內部，并且以規定的功率照射該脈沖激光光線，形成改質層和從該改質層朝向正面背面延伸的裂痕；以及背面磨削工序，在實施了該改質層形成工序之后，將該保護部件側保持在卡盤工作臺上，按照規定的磨削條件利用磨削磨輪對晶片的背面進行磨削而分割成各個器件芯片，并且去除該改質層并進行磨削直至達到目標完工厚度，將在該改質層形成工序中設定的所述脈沖激光光線的該規定的功率設定為按照如下的方式形成改質層以及裂痕的功率：通過按照在該背面磨削工序中設定的該規定的磨削條件進行磨削，能夠在達到目標完工厚度之前將該晶片分割成各個器件芯片，而且在分割成各個器件芯片之后，直到達到該目標完工厚度為止的時間是不存在各個器件芯片彼此磨擦而產生損傷的情況的時間。

【技術特征摘要】
2015.07.06 JP 2015-1355311.一種晶片的加工方法，將該晶片分割成各個器件芯片，在該晶片中，多個器件由分割預定線劃分而形成在正面上，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：保護部件配設工序，在晶片的正面配設保護部件；改質層形成工序，將對于配設有該保護部件的晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線的聚光點定位在沿著分割預定線的晶片的內部，并且以規定的功率照射該脈沖激光光線，形成改質層和從該改質層朝向正面背面延伸的裂痕；以及背面磨削工序，在實施...

【專利技術屬性】
技術研發人員：中村勝，
申請(專利權)人：株式會社迪思科，
類型：發明
國別省市：日本;JP