【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造領域和電子設計自動化
，更具體地說，本專利技術涉及一種化學機械研磨工藝的模擬裝置。
技術介紹
在集成電路制造過程中，隨著技術節點的提升，光刻分辨率的不斷提高，光刻可解析的最小線寬不斷減小，光刻焦深也在快速地縮小。光刻工藝窗口也越來越小。與此同時，產品設計的層數卻在不斷增加。特別對金屬層，表面的平整度影響光刻中所要求的聚焦深度，以及互聯結構的應力分布等。對于多層的電路，表面的平整度嚴重影響了光刻的工藝窗口。為了保證光刻工藝窗口的有效性，產品表面必須到達一定的平整度。當前，在集成電路制造中，通常使用化學機械研磨(CMP)的工藝來使產品金屬介質層表面形貌到達平坦化的目的。而在化學機械研磨過程中，由于研磨液的選擇比，研磨盤壓力，產品表面形貌等變化，使得化學機械研磨之后的芯片表面并不能達到完全的平坦化，而是存在拓撲起伏。通常，用于描述這種形貌的概念為介質碟形和介質侵蝕。介質碟形指的是在圖形位置，一種介質與另外一種介質間的厚度之差；介質侵蝕指在有圖形區域與無圖形區域的厚度之差。介質的碟形與侵蝕是由化學機械研磨帶來的伴隨問題，過大的介質碟形和介質侵蝕同樣對光刻工藝窗口造成影響，對單個曝光區域(shot)內的影響尤為明顯。同時會影響互連線的電阻電容等特性，從而影響互連線的延時，對芯片的良率和性能造成影響。因此，為了提高產品芯片良率，降低生產成本，需要提前對產品在化學機械研磨之后的表面形貌進行預測。由于介質碟形和介質侵蝕與圖形的線寬度，線間距等變量相關，而且存在很大的系統性和規律性，所以通常對產品表面形貌的預測是通過對集成電路版圖的化學機械研...
【技術保護點】
一種化學機械研磨工藝的模擬裝置，其特征在于包括：第一步驟：根據工藝平臺下的設計規則，設計線寬對數?密度矩陣表格，包括線寬對數/密度的取值范圍以及線寬對數/密度坐標序列的步徑選取；第二步驟：根據線寬對數?密度矩陣表格中表格交點對應的線寬和密度，設計一系列測試圖形；第三步驟：收集各測試圖形的化學機械研磨結果數據，直接賦值給對應的各表格交點；第四步驟：基于線性插值的數學方法，對所述線寬對數?密度矩陣表格中剩余的空白表格交點進行化學機械研磨結果計算并賦值；第五步驟：優化所述線寬對數?密度矩陣表格交點，保存得到最終模擬裝置。
【技術特征摘要】
1.一種化學機械研磨工藝的模擬裝置，其特征在于包括：第一步驟：根據工藝平臺下的設計規則，設計線寬對數-密度矩陣表格，包括線寬對數/密度的取值范圍以及線寬對數/密度坐標序列的步徑選取；第二步驟：根據線寬對數-密度矩陣表格中表格交點對應的線寬和密度，設計一系列測試圖形；第三步驟：收集各測試圖形的化學機械研磨結果數據，直接賦值給對應的各表格交點；第...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曹云，闞歡，魏芳，朱駿，呂煜坤，張旭升，
申請(專利權)人：上海華力微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31
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