【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本非臨時(shí)申請(qǐng)?jiān)?5U.S.C.§119(a)下要求于2015年4月7日在日本提交的專利申請(qǐng)No.2015-078459的優(yōu)先權(quán)，由此通過引用將其全部內(nèi)容并入本文。
本專利技術(shù)涉及具有化學(xué)增幅型負(fù)型抗蝕劑膜的光掩模坯、形成抗蝕劑圖案的方法、和由該光掩模坯制備光掩模的方法。
技術(shù)介紹
集成電路技術(shù)中近來向較高集成度的趨勢(shì)提出了對(duì)更精細(xì)特征尺寸圖案的需求。在具有小于0.2μm的尺寸的圖案的加工中，在大多數(shù)情況下使用酸催化化學(xué)增幅型抗蝕劑組合物。加工中用于曝光的光源為高能輻照，其包括UV、深UV、電子束(EB)、X射線、準(zhǔn)分子激光、γ射線、和同步加速器輻照。此外，EB光刻法用作超精細(xì)加工技術(shù)并且尤其是作為在成為用于圖案曝光的原始圖像的光掩模上形成圖案的方法是必不可少的。由EB寫入產(chǎn)生的光掩模提供用于半導(dǎo)體設(shè)備的制造的原始圖像。對(duì)于掩模圖案形成，EB寫入位置的精度和圖案線寬的精確控制是關(guān)鍵。EB光刻法固有的問題之一是曝光過程中抗蝕劑膜上或抗蝕劑膜中電荷積累的帶電現(xiàn)象。電荷使得入射的EB的路徑偏轉(zhuǎn)，顯著地減損掩模圖案寫入的精度。通過在抗蝕劑膜上涂布抗靜電膜以致可以將電荷釋放，可以避免該現(xiàn)象。抗靜電手段對(duì)于寫入精細(xì)尺寸圖案是必不可少的。但是，在化學(xué)增幅型抗蝕劑膜上涂布抗靜電膜時(shí)產(chǎn)生另一問題。抗靜電膜中的酸擴(kuò)散到抗蝕劑膜中，由此在曝光后發(fā)生線寬、形狀和敏感性的顯著變化。而且，用抗靜電膜中的某種成分將通過曝光在抗蝕劑膜中產(chǎn)生的酸中和，由此類似地發(fā)生線寬和敏感性的變化，無法精確寫入。由于抗蝕劑膜在其表面上為疏水性，因此其對(duì)于水性抗靜電劑不具有親和性。因此難以...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
光掩模坯，其包含適于曝光于高能輻照的化學(xué)增幅型負(fù)型抗蝕劑膜，所述抗蝕劑膜包含：(A)包含由通式(1)表示的重復(fù)單元和具有至少一個(gè)氟原子的重復(fù)單元的聚合物，(B)適于在酸的作用下降低其在堿顯影劑中的溶解性的基礎(chǔ)樹脂，(C)產(chǎn)酸劑，和(D)堿性化合物，其中R1為氫或甲基，R2為氫或者直鏈或支化的C1?C5一價(jià)烴基，其中至少一個(gè)與碳鍵合的氫原子可以被羥基取代，或者其中選自氧、硫和氮中的雜原子可介于碳?碳鍵之間，R3為直鏈或支化的C1?C5一價(jià)烴基，其中至少一個(gè)與碳鍵合的氫原子可以被羥基取代，或者其中選自氧、硫和氮中的雜原子可介于碳?碳鍵之間，m為1?3的整數(shù)，n為滿足0≤n≤5+2l?m的整數(shù)，l為0或1，和X1為單鍵、?C(＝O)O?或?C(＝O)NH?。
【技術(shù)特征摘要】
2015.04.07 JP 2015-0784591.光掩模坯，其包含適于曝光于高能輻照的化學(xué)增幅型負(fù)型抗蝕劑膜，所述抗蝕劑膜包含：(A)包含由通式(1)表示的重復(fù)單元和具有至少一個(gè)氟原子的重復(fù)單元的聚合物，(B)適于在酸的作用下降低其在堿顯影劑中的溶解性的基礎(chǔ)樹脂，(C)產(chǎn)酸劑，和(D)堿性化合物，其中R1為氫或甲基，R2為氫或者直鏈或支化的C1-C5一價(jià)烴基，其中至少一個(gè)與碳鍵合的氫原子可以被羥基取代，或者其中選自氧、硫和氮中的雜原子可介于碳-碳鍵之間，R3為直鏈或支化的C1-C5一價(jià)烴基，其中至少一個(gè)與碳鍵合的氫原子可以被羥基取代，或者其中選自氧、硫和氮中的雜原子可介于碳-碳鍵之間，m為1-3的整數(shù)，n為滿足0≤n≤5+2l-m的整數(shù)，l為0或1，和X1為單鍵、-C(＝O)O-或-C(＝O)NH-。2.權(quán)利要求1的光掩模坯，其中基礎(chǔ)樹脂(B)包含選自具有通式(a1)、(a2)和(a3)的锍鹽單元中的至少一種的重復(fù)單元：其中R12各自獨(dú)立地為氫或甲基，R13為單鍵、亞苯基、-O-R22-、或-C(＝O)-Z2-R22-，Z2為氧或NH，R22為直鏈、支化或環(huán)狀的C1-C6亞烷基，亞烯基或亞苯基，其可含有羰基部分(-CO-)、酯部分(-COO-)、醚部分(-O-)或羥基部分，L'為單鍵或-Z3-C(＝O)-O-，Z3為直鏈、支化或環(huán)狀的C1-C20二價(jià)烴基，其可被雜原子取代，Z1為單鍵、亞甲基、亞乙基、亞苯基、氟代亞苯基、-O-R23-、或-C(＝O)-Z4-R23-，Z4為氧或NH，R23為直鏈、支化或環(huán)狀的C1-C6亞烷基，亞烯基或亞苯基，其可含有羰基部分、酯部分、醚部分或羥基部分，M-為非親核反離子，R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、和R21各自獨(dú)立地為直鏈C1-C20、支化或環(huán)狀的C3-C20一價(jià)烴基，其中至少一個(gè)氫原子可被選自氧、硫、氮和鹵素中的雜原子取代，或者其中選自氧、硫和氮中的雜原子可插入，以致羥基、氰基、羰基、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵、內(nèi)酯環(huán)、磺內(nèi)酯環(huán)、羧酸酐、或鹵代烷基可形成或插入，或者R14和R15可鍵合在一起以與硫原子形成環(huán)，或者R16、R17和R18的任意兩個(gè)以上或者R19、R20和R21中的任意兩個(gè)以上可鍵合在一起以與硫原子形成環(huán)。3.光掩模坯，其包括適于曝光于高能輻照的化學(xué)增幅型負(fù)型抗蝕劑膜，所述抗蝕劑膜包含(A)包含由通式(1)表示的重復(fù)單元和具有至少一個(gè)氟原子的重復(fù)單元的聚合物，(B)適于在酸的作用下降低其在堿顯影劑中的溶解性的基礎(chǔ)樹脂，(C')包含選自具有通式(a1)、(a2)和(a3)的锍鹽單元中的至少一種的重復(fù)單元的樹脂，和(D)堿性化合物，其中R1為氫或甲基，R2為氫或者直鏈或支化的C1-C5一價(jià)烴基，其
\t中至少一個(gè)與碳鍵合的氫原子可以被羥基取代，或者其中選自氧、硫和氮中的雜原子可介于碳-碳鍵之間，R3為直鏈或支化的C1-C5一價(jià)烴基，其中至少一個(gè)與碳鍵合的氫原子可以被羥基取代，或者其中選自氧、硫和氮中的雜原子可介于碳-碳鍵之間，m為1-3的整數(shù)，n為滿足0≤n≤5+2l-m的整數(shù)，l為0或1，和X1為單鍵、-C(＝O)O-或-C(＝O)NH-，其中R12各自獨(dú)立地為氫或甲基，R13為單鍵、亞苯基、-O-R22-、或-C(＝O)-Z2-R22-，Z2為氧或NH，R22為直鏈、支化或環(huán)狀的C1-C6亞烷基，亞烯基或亞苯基，其可含有羰基部分(-CO-)、酯部分(-COO-)、醚部分(-O-)或羥基部分，L'為單鍵或-Z3-C(＝O)-O-，Z3為直鏈、支化或環(huán)狀的C1-C20二價(jià)烴基，其可以被雜原子取代，Z1為單鍵、亞甲基、亞乙基、亞苯基、氟代亞苯基、-O-R23-、或-C(＝O)-Z4-R23-，Z4為氧或NH，R23為直鏈、支化或環(huán)狀的C1-C6亞烷基、亞烯基或亞苯基，其可含有羰基、酯、醚或羥基部分，M-為非親核反離子，R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、和R21各自獨(dú)立地為直鏈C1-C20、支化或環(huán)狀的C3-C20一價(jià)烴基，其中至少一個(gè)氫原子可被選自氧、硫、氮和鹵素中的雜原子取代，或者其中可插入選自氧、硫和氮中的雜原子，以致可形成或插入羥基、氰基、...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：阿達(dá)鐵平，渡邊聰，土門大將，增永恵一，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP
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