一種平面分離雙柵薄膜晶體管制造技術

本實用新型專利技術屬于半導體技術領域，公開了一種平面分離雙柵薄膜晶體管。所述平面分離雙柵薄膜晶體管，自下而上依次包括襯底、過渡層、柵電極層、絕緣柵介質層、半導體有源層、源電極/漏電極，所述源電極和漏電極相對設置于所述半導體有源層上方；所述柵電極層由兩個柵電極組成，所述兩個柵電極相對設置于過渡層的上方；所述柵電極與源電極/漏電極設置的方向不同。本實用新型專利技術調整兩個柵極的偏壓可使TFT器件呈現出不同的輸出和轉移特性；兩個柵極可同時作為控制柵和信號柵使用，使電路得到簡化，從而有效地拓展TFT的應用范圍，有望解決閾值電壓漂移、自動增益控制動態范圍窄等問題。

【技術實現步驟摘要】
201521083246

【技術保護點】
一種平面分離雙柵薄膜晶體管，其特征在于：自下而上依次包括襯底、過渡層、柵電極層、絕緣柵介質層、半導體有源層、源電極/漏電極，所述源電極和漏電極相對設置于所述半導體有源層上方；所述柵電極層由兩個柵電極組成。

【技術特征摘要】
1.一種平面分離雙柵薄膜晶體管，其特征在于：自下而上依次包括襯底、
過渡層、柵電極層、絕緣柵介質層、半導體有源層、源電極/漏電極，所述源電
極和漏電極相對設置于所述半導體有源層上方；所述柵電極層由兩個柵電極組
成。
2.根據權利要求1所述平面分離雙柵薄膜晶體管，其特征在于：所述兩個
柵電極相對設置于過渡層的上方；所述柵電極與源電極/漏電極設置的方向不同。
3.根據權利要求2所述平面分離雙柵薄膜晶體管，其特征在于：所述柵電
極方向與源電極/漏電極所形成的溝道方向垂直，所述柵電極與源電極/漏電極以
類“#”型設置。
4.根據權利要求1所述平面分離雙柵薄膜晶體管，其特征在于：所述絕緣
柵介質層部分覆蓋...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉玉榮，廖榮，姚若河，
申請(專利權)人：華南理工大學，
類型：新型
國別省市：廣東;44