一種N型雙面太陽能電池及其組件和系統技術方案

本實用新型專利技術涉及一種N型雙面太陽能電池及其組件和系統。本實用新型專利技術的一種N型雙面太陽能電池，包括N型晶體硅基體，N型晶體硅基體的正表面包括從內到外依次設置的p+摻雜區域和鈍化減反膜；N型晶體硅基體的背表面包括從內到外依次設置的n+摻雜區域和鈍化膜，N型晶體硅基體的正表面包括正面金屬主柵電極和正面金屬線，所述正面金屬線與所述p+摻雜區域通過銀鋁合金連接；N型晶體硅基體的背表面包括背面金屬主柵電極和正面金屬線，所述正面金屬線與所述n+摻雜區域通過銀連接。其有益效果是：本方法提高了N型雙面太陽能電池的開路電壓，極大的減少了電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。

【技術實現步驟摘要】
201620246236

【技術保護點】
一種N型雙面太陽能電池，包括N型晶體硅基體，N型晶體硅基體的正表面包括從內到外依次設置的p+摻雜區域和鈍化減反膜；N型晶體硅基體的背表面包括從內到外依次設置的n+摻雜區域和鈍化膜，其特征在于：N型晶體硅基體的正表面包括正面金屬主柵電極和正面金屬線，所述正面金屬線與所述p+摻雜區域通過銀鋁合金連接；N型晶體硅基體的背表面包括背面金屬主柵電極和背面金屬線，所述背面金屬線與所述n+摻雜區域通過銀連接；所述正面金屬主柵電極的長與寬的比值小于或者等于600∶1。

【技術特征摘要】
1.一種N型雙面太陽能電池，包括N型晶體硅基體，N型晶體硅基體的正表面包括從內到
外依次設置的p+摻雜區域和鈍化減反膜；N型晶體硅基體的背表面包括從內到外依次設置
的n+摻雜區域和鈍化膜，其特征在于：N型晶體硅基體的正表面包括正面金屬主柵電極和正
面金屬線，所述正面金屬線與所述p+摻雜區域通過銀鋁合金連接；N型晶體硅基體的背表面
包括背面金屬主柵電極和背面金屬線，所述背面金屬線與所述n+摻雜區域通過銀連接；所
述正面金屬主柵電極的長與寬的比值小于或者等于600∶1。
2.根據權利要求1所述的一種N型雙面太陽能電池，其特征在于：所述鈍化減反膜是SiO2介質膜、SiNx介質膜或Al2O3介質膜中一種，所述鈍化膜是SiO2介質膜和SiNx介質膜組成的復
合介質膜。
3.根據權利要求1所述的一種N型雙面太陽能電池，其特征在于：所述N型晶體硅基體的
厚度為50～300μm；p＋摻雜區域的摻雜深度為0.5～2.0μm；鈍化減反膜的厚度為70～
110nm；鈍化膜的厚度為不低于20nm；n+摻雜區域的摻雜深度為0.5～2.0μm。
4.根據權利要求1～3任一所述的一種N型雙面太陽能電池，其特征在于：正面金屬主柵...

【專利技術屬性】
技術研發人員：林建偉，劉志鋒，孫玉海，季根華，張育政，
申請(專利權)人：泰州中來光電科技有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32