薄膜晶體管陣列面板及其制作方法技術

本發明專利技術公開了一種薄膜晶體管陣列面板及其制作方法。薄膜晶體管陣列面板包括：基板；薄膜晶體管，薄膜晶體管包括：柵極；半導體層；源極；以及漏極；絕緣層，絕緣層設置在柵極和基板上；蝕刻阻擋層，蝕刻阻擋層設置于半導體層及絕緣層上；電極層，電極層包括第一電極部和第二電極部，第一電極部設置于源極上，第一電極部用于對源極進行覆蓋和保護，第二電極部設置于漏極上，第二電極部用于對漏極進行覆蓋和保護；其中，半導體層設置于絕緣層上，蝕刻阻擋層設置有第一通孔和第二通孔，源極和漏極分別通過第一通孔和第二通孔與半導體層連接。本發明專利技術能簡化薄膜晶體管陣列面板的制作工藝，節省制作成本。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及顯示
，特別涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制作方法。
技術介紹
傳統的薄膜晶體管陣列面板中一般需要六道光罩制程。上述傳統的薄膜晶體管陣列面板一般設置有保護層/鈍化層(PassivationLayer)。該保護層/鈍化層的制作需要耗費其中的一道光罩制程。由于需要六道光罩制程，因此上述傳統的薄膜晶體管陣列面板的制作工藝較復雜，成本較高。故，有必要提出一種新的技術方案，以解決上述技術問題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列面板及其制作方法，其能簡化薄膜晶體管陣列面板的制作工藝，節省制作成本。為解決上述問題，本專利技術的技術方案如下：一種薄膜晶體管陣列面板，所述薄膜晶體管陣列面板包括：基板；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：柵極；半導體層；源極；以及漏極；絕緣層，所述絕緣層設置在所述柵極和所述基板上；蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層設置于所述半導體層及所述絕緣層上；電極層，所述電極層包括第一電極部和第二電極部，所述第一電極部設置于所述源極上，所述第一電極部用于對所述源極進行覆蓋和保護，所述第二電極部設置于所述漏極上，所述第二電極部用于對所述漏極進行覆蓋和保護；其中，所述半導體層設置于所述絕緣層上，所述蝕刻阻擋層設置有第一通孔和第二通孔，所述源極和所述漏極分別通過所述第一通孔和所述第二通孔與所述半導體層連接。在上述薄膜晶體管陣列面板中，所述柵極是通過在所述基板上設置第一金屬層，并對所述金屬層實施第一光罩制程來形成的；所述半導體層是通過在所述絕緣層上設置半導體材料，并對所述半導體材料實施第二光罩制程來形成的；所述第一通孔和所述第二通孔是通過在所述絕緣層和所述半導體層上設置蝕刻阻擋材料，并對所述蝕刻阻擋材料實施第三光罩制程來形成的；所述源極、所述漏極和所述電極層是通過在所述蝕刻阻擋層上、所述第一通孔內、所述第二通孔內設置第二金屬層，然后在所述第二金屬層上設置第三金屬層，并對所述第二金屬層和所述第三金屬層實施第四光罩制程來形成的，其中，所述源極和所述漏極均與所述第二金屬層對應，所述電極層的所述第一電極部和所述第二電極部均與所述第三金屬層對應。在上述薄膜晶體管陣列面板中，所述蝕刻阻擋層上還設置有容置坑槽，所述容置坑槽用于容置所述源極的至少一部分、所述漏極的至少一部分和所述電極層的至少一部分。在上述薄膜晶體管陣列面板中，所述容置坑槽是通過對所述蝕刻阻擋材料實施所述第三光罩制程來形成的。在上述薄膜晶體管陣列面板中，所述半導體層包括銦鎵鋅氧化物。在上述薄膜晶體管陣列面板中，所述蝕刻阻擋層用于保護所述半導體層，以防止水蒸氣或氧氣影響所述銦鎵鋅氧化物的電性穩定性。一種上述薄膜晶體管陣列面板的制作方法，所述方法包括以下步驟：A、在所述基板上設置第一金屬層，并對所述第一金屬層實施第一光罩制程，以形成所述柵極；B、在所述基板和所述柵極上設置所述絕緣層；C、在所述絕緣層上設置半導體材料，并對所述半導體材料實施第二光罩制程，以形成所述半導體層；D、在所述絕緣層和所述半導體層上設置蝕刻阻擋材料，并對所述蝕刻阻擋材料實施第三光罩制程，以形成所述第一通孔和所述第二通孔；E、在所述蝕刻阻擋層上、所述第一通孔內、所述第二通孔內設置第二金屬層，然后在所述第二金屬層上設置第三金屬層，并對所述第二金屬層和所述第三金屬層實施第四光罩制程，以形成所述源極、所述漏極和所述電極層，其中，所述源極和所述漏極均與所述第二金屬層對應，所述電極層的所述第一電極部和所述第二電極部均與所述第三金屬層對應。在上述薄膜晶體管陣列面板的制作方法中，所述蝕刻阻擋層上還設置有容置坑槽，所述容置坑槽用于容置所述源極的至少一部分、所述漏極的至少一部分和所述電極層的至少一部分。在上述薄膜晶體管陣列面板的制作方法中，所述步驟D為：在所述絕緣層和所述半導體層上設置蝕刻阻擋材料，并對所述蝕刻阻擋材料實施第三光罩制程，以形成所述第一通孔、所述第二通孔和所述容置坑槽。在上述薄膜晶體管陣列面板的制作方法中，所述半導體層包括銦鎵鋅氧化物；所述蝕刻阻擋層用于保護所述半導體層，以防止水蒸氣或氧氣影響所述銦鎵鋅氧化物的電性穩定性。相對現有技術，本專利技術能簡化薄膜晶體管陣列面板的制作工藝，節省制作成本。為讓本專利技術的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。【附圖說明】圖1至圖5為本專利技術的薄膜晶體管陣列面板的制作方法的示意圖；圖6為本專利技術的薄膜晶體管陣列面板的制作方法的流程圖。【具體實施方式】本說明書所使用的詞語“實施例”意指實例、示例或例證。此外，本說明書和所附權利要求中所使用的冠詞“一”一般地可以被解釋為“一個或多個”，除非另外指定或從上下文可以清楚確定單數形式。本專利技術的薄膜晶體管陣列面板可以應用于顯示面板中，所述顯示面板可以是TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜晶體管液晶顯示面板)、OLED(OrganicLightEmittingDiode，有機發光二極管顯示面板)等。本專利技術的薄膜晶體管陣列面板可以是用于所述薄膜晶體管液晶顯示面板中的陣列面板，在這種情況下，所述薄膜晶體管陣列面板中的電極層中的第二電極部504可以是條狀電極，所述薄膜晶體管陣列面板用于與液晶層、彩色濾光片陣列面板組成所述薄膜晶體管液晶顯示面板。本專利技術的薄膜晶體管陣列面板也可以是用于所述有機發光二極管顯示面板中的陣列面板，在這種情況下，所述薄膜晶體管陣列面板中的電極層的第二電極部504可以是陰極層，所述薄膜晶體管陣列面板用于與有機發光材料層、陽極層組成所述有機發光二極管顯示面板。參考圖5，本專利技術的薄膜晶體管陣列面板包括基板101、掃描線、薄膜晶體管、絕緣層201、蝕刻阻擋層401、數據線、電極層。其中，所述掃描線、所述數據線均與所述薄膜晶體管連接，所述薄膜晶體管與所述電極層連接。所述薄膜晶體管包括柵極102、半導體層301、源極501、漏極502。所述絕緣層201設置在所述柵極102和所述基板101上。所述蝕刻阻擋層401設置于所述半導體層301及所述絕緣層201上。所述電極層包括第一電極部503和第二電極部504，所述第本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列面板包括：基板；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：柵極；半導體層；源極；以及漏極；絕緣層，所述絕緣層設置在所述柵極和所述基板上；蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層設置于所述半導體層及所述絕緣層上；電極層，所述電極層包括第一電極部和第二電極部，所述第一電極部設置于所述源極上，所述第一電極部用于對所述源極進行覆蓋和保護，所述第二電極部設置于所述漏極上，所述第二電極部用于對所述漏極進行覆蓋和保護；其中，所述半導體層設置于所述絕緣層上，所述蝕刻阻擋層設置有第一通孔和第二通孔，所述源極和所述漏極分別通過所述第一通孔和所述第二通孔與所述半導體層連接。

【技術特征摘要】
1.一種薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述薄膜晶體
管陣列面板包括：
基板；
薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：
柵極；
半導體層；
源極；以及
漏極；
絕緣層，所述絕緣層設置在所述柵極和所述基板上；
蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層設置于所述半導體層及所述絕
緣層上；
電極層，所述電極層包括第一電極部和第二電極部，所述第
一電極部設置于所述源極上，所述第一電極部用于對所述源極進
行覆蓋和保護，所述第二電極部設置于所述漏極上，所述第二電
極部用于對所述漏極進行覆蓋和保護；
其中，所述半導體層設置于所述絕緣層上，所述蝕刻阻擋層
設置有第一通孔和第二通孔，所述源極和所述漏極分別通過所述
第一通孔和所述第二通孔與所述半導體層連接。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在
于，所述柵極是通過在所述基板上設置第一金屬層，并對所述金

\t屬層實施第一光罩制程來形成的；
所述半導體層是通過在所述絕緣層上設置半導體材料，并對
所述半導體材料實施第二光罩制程來形成的；
所述第一通孔和所述第二通孔是通過在所述絕緣層和所述
半導體層上設置蝕刻阻擋材料，并對所述蝕刻阻擋材料實施第三
光罩制程來形成的；
所述源極、所述漏極和所述電極層是通過在所述蝕刻阻擋層
上、所述第一通孔內、所述第二通孔內設置第二金屬層，然后在
所述第二金屬層上設置第三金屬層，并對所述第二金屬層和所述
第三金屬層實施第四光罩制程來形成的，其中，所述源極和所述
漏極均與所述第二金屬層對應，所述電極層的所述第一電極部和
所述第二電極部均與所述第三金屬層對應。
3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在
于，所述蝕刻阻擋層上還設置有容置坑槽，所述容置坑槽用于容
置所述源極的至少一部分、所述漏極的至少一部分和所述電極層
的至少一部分。
4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在
于，所述容置坑槽是通過對所述蝕刻阻擋材料實施所述第三光罩
制程來形成的。...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周志超，夏慧，
申請(專利權)人：深圳市華星光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44