一種陣列基板及顯示裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術公開了一種陣列基板及顯示裝置，主要內容包括：在陣列基板的柵絕緣層和有源層之間設置空穴阻擋層，且該空穴阻擋層在陣列基板上的正投影至少與有源層在陣列基板上的正投影相重合，從而，通過空穴阻擋層阻擋了柵絕緣層與有源層相接觸，避免導電溝道中的電子被柵絕緣層中的空穴捕獲而導致增大TFT的開啟電壓以及降低TFT的電學性能，保證了TFT開啟電壓以及TFT電學性能的穩定，進而提升顯示質量。

【技術實現步驟摘要】

本技術設及顯示
，尤其設及一種陣列基板及顯示裝置。
技術介紹
在現有的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板制備工藝中，通常是 在柵絕緣層上方直接采用構圖工藝制備有源層，然后依次形成源漏極、純化層等。 采用該工藝方法制備而成的TFT陣列基板，當給柵極施加電壓時，由于受到電場的 作用，柵絕緣層內的空穴會轉移到柵絕緣層與有源層的接觸界面處，運些位于柵絕緣層與 有源層的接觸界面處的空穴必然會捕獲導電溝道中的電子，進而造成TFT開啟電壓增大，不 利于TFT的穩定，削弱了 TFT的電學性能，不利于顯示質量的提升。
技術實現思路
本技術實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，用W解決現有技術中存在的由 于柵絕緣層內的空穴轉移到柵絕緣層與有源層的接觸界面處而導致TFT電學性能下降的問 題。 本技術實施例采用W下技術方案： -種陣列基板，包括:襯底基板、柵極、柵絕緣層、有源層W及源漏極，還包括:位于 所述柵絕緣層與所述有源層之間的空穴阻擋層，其中，所述空穴阻擋層在所述陣列基板上 的正投影至少覆蓋所述有源層在所述陣列基板上的正投影。 通過上述技術方案，在柵絕緣層和有源層之間設置空穴阻擋層，且該空穴阻擋層 在陣列基板上的正投影至少與有源層在陣列基板上的正投影相重合，從而，通過空穴阻擋 層阻擋了柵絕緣層與有源層相接觸，進而，在為柵極施加電壓時，即使柵絕緣層中的空穴會 轉移到柵絕緣層中靠近有源層的表面，然而，由于空穴阻擋層的存在，也不會導致導電溝道 中的電子被空穴捕獲，從而，避免增大TFT的開啟電壓W及降低TFT的電學性能。換言之，保 證了 TFT開啟電壓W及TFT電學性能的穩定，進而提升顯示質量。[000引可選地，所述空穴阻擋層的圖案與所述有源層的圖案相同。 可選地，所述空穴阻擋層位于所述柵絕緣層之上，且覆蓋所述襯底基板。 該方案能夠有效改善由于空穴轉移而捕獲導電溝道中的電子而導致TFT電學性能 下降的缺陷，此外，該空穴阻擋層平鋪整個陣列基板，運一膜層結構的制備，不需要額外的 構圖工藝，從而，簡化了制作工藝，提升膜層性能的同時提高了制備效率。 可選地，所述空穴阻擋層的材質為有機絕緣空穴阻擋材料。 該技術方案能夠更好的實現對柵絕緣層W及有源層的阻隔，避免柵絕緣層中的空 穴轉移到靠近有源層的表面而捕獲導電溝道中的電子。 可選地，所述有機絕緣空穴阻擋材料為:苯并咪挫基苯或BCP或DPVBi。 該技術方案中設及的有機絕緣空穴阻擋材料具有較好的的空穴阻擋能力，能夠有 效阻隔空穴的遷移。[001引可選地，所述空穴阻擋層的厚度范圍為：10 A~1,000 A。 可選地，所述空穴阻擋層的厚度為200 A。 該厚度的空穴阻擋層既可W保證陣列基板的厚度不致于過大，而且還有效阻擋柵 絕緣層內的空穴遷移，使得空穴無法穿過該空穴阻擋層而遷移到有源層表面，從而，降低甚 至避免了導電溝道內的電子被空穴的可能性，進而，保證了 TFT的開啟電壓的穩定性。 可選地，所述源漏極與所述有源層同層設置。 可選地，所述源漏極位于所述有源層之上。 可選地，還包括:位于所述有源層之上的刻蝕阻擋層，所述源漏極通過過孔與所述 有源層電連接。 無論哪種TFT都可W設置本技術所設及的空穴阻擋層，從而，能夠有效阻隔柵 絕緣層與有源層的接觸，有效改善由于空穴轉移而捕獲導電溝道中的電子而導致TFT電學 性能下降的缺陷，保證TFT開啟電壓的穩定性，進而提升顯示質量。 一種顯示裝置，包括所述的陣列基板。 在上述技術方案中，該顯示裝置包含在柵絕緣層和有源層之間設置空穴阻擋層的 陣列基板，且該空穴阻擋層在陣列基板上的正投影至少覆蓋有源層在陣列基板上的正投 影，從而，通過空穴阻擋層阻擋了柵絕緣層與有源層相接觸，進而，在為柵極施加電壓時，即 使柵絕緣層中的空穴會轉移到柵絕緣層中靠近有源層的表面，然而，由于空穴阻擋層的存 在，也不會導致導電溝道中的電子被空穴捕獲，從而，避免增大TFT的開啟電壓W及降低TFT 的電學性能。換言之，保證了 TFT開啟電壓W及TFT電學性能的穩定，進而提升顯示裝置的顯 示質量。【附圖說明】 為了更清楚地說明本技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需 要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施 例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可W根據運些附 圖獲得其他的附圖。 圖1為本技術提供的一種陣列基板的結構示意圖； 圖2(a)為本技術提供的陣列基板的具體結構示意圖之一； 圖2(b)為本技術提供的陣列基板的具體結構示意圖之二； 圖3(a)-圖3(b)分別為本技術提供的幾種不同結構類型的TFT結構所對應的 陣列基板的結構示意圖。【具體實施方式】 為了使本技術的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本實用 新型作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是 全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動 前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本技術保護的范圍。 下面通過具體的實施例對本技術的技術方案進行詳細的描述，本技術包 括但并不限于W下實施例。 如圖1所示，為本技術提供的一種陣列基板的結構示意圖，該陣列基板主要包 括:襯底基板11、柵極12、柵絕緣層13、有源層14W及源漏極15,在本技術中，該陣列基 板還包括:位于柵絕緣層13與有源層14之間的空穴阻擋層16,其中，空穴阻擋層16在陣列基 板上的正投影至少覆蓋有源層14在陣列基板上的正投影。 通過上述技術方案，在柵絕緣層和有源層之間設置空穴阻擋層，且該空穴阻擋層 在陣列基板上的正投影至少覆蓋有源層在陣列基板上的正投影，從而，通過空穴阻擋層阻 擋了柵絕緣層與有源層相接觸，進而，在為柵極施加電壓時，即使柵絕緣層中的空穴會轉移 到柵絕緣層中靠近有源層的表面，然而，由于空穴阻擋層的存在，也不會導致導電溝道中的 電子被空穴捕獲，從而，避免增大TFT的開啟電壓W及降低TFT的電學性能。換言之，保證了 TFT開啟電壓W及TFT電學性能的穩定，進而提升顯示質量。 可選地，如圖2(a)所示，為本技術提供的陣列基板的具體結構示意圖之一，該 陣列基板的結構與圖1中的陣列基板的結構類似，包括:襯底基板21、柵極22當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種陣列基板，包括：襯底基板、柵極、柵絕緣層、有源層以及源漏極，其特征在于，還包括：位于所述柵絕緣層與所述有源層之間的空穴阻擋層，其中，所述空穴阻擋層在所述陣列基板上的正投影至少覆蓋所述有源層在所述陣列基板上的正投影。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉寧，丁遠奎，汪軍，
申請(專利權)人：合肥鑫晟光電科技有限公司，京東方科技集團股份有限公司，
類型：新型
國別省市：安徽;34