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    用于高真空下類金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄膜的制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號:12873190 閱讀:111 留言:0更新日期:2016-02-17 10:48
    本發(fā)明專利技術(shù)的一種用于高真空下類金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄膜的制備方法,包括如下步驟:首先以鋁合金、鈦合金、軸承鋼作為基體材料,使用前進行拋光、丙酮超聲清洗、無水乙醇超聲清洗、烘干并置于真空室中,抽真空至5.0×10-3Pa,在沉積薄膜前對樣件進行Ar等離子體濺射清洗;其次采用離子注入與沉積技術(shù),選擇金屬Me靶和金屬碳化物MeC靶作為陰極弧源,N2和C2H2作為反應(yīng)氣體,通過控制陰極弧源、反應(yīng)氣體的種類及組合來依次制備Me/MeN/MeNC/MeC/Me-C:H過渡層膜層,最終獲得具有梯度過渡結(jié)構(gòu)的類金剛石復(fù)合多層薄膜;最后選取真空潤滑油脂使其均勻吸附于膜層表面,得到類金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄膜。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    【專利說明】
    本專利技術(shù)涉及用于高真空下的類金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄膜的制備方法,屬于表 面工程

    技術(shù)介紹
    高硬度類金剛石薄膜和磁控瓣射二硫化鋼薄膜是近年來在航空航天、高技術(shù)裝備 潤滑系統(tǒng)等領(lǐng)域應(yīng)用較多的兩種固體潤滑薄膜,由于具有耐磨與潤滑一體化特性,類金剛 石薄膜是近年來受關(guān)注較多的新型防護薄膜。但是類金剛石膜在高真空下耐磨壽命不足和 摩擦系數(shù)環(huán)境敏感性問題,直接限制了其在航天
    的廣泛應(yīng)用,因此適用于高真空 環(huán)境下,具有強化和潤滑特性的低摩擦長壽命類金剛石薄膜一直是航天領(lǐng)域追求的理想固 體潤滑材料。 對現(xiàn)有技術(shù)進行的檢索發(fā)現(xiàn):為了提高類金剛石的高真空耐磨壽命和降低其摩擦 系數(shù)對環(huán)境的依賴性,已有的專利技術(shù)(如中國專利-公開號CN102994947A)提到,類 金剛石復(fù)合二硫化鋼納米多層薄膜來改善類金剛石膜層的環(huán)境適應(yīng)性,通過滲雜高真空磨 損性能優(yōu)異的二硫化鋼來提高其在高真空環(huán)境下的壽命,但其改善的方法犧牲了類金剛石 膜層的高硬度和化學(xué)穩(wěn)定性。因此必須開發(fā)一種在保持類金剛石膜層高硬度和化學(xué)穩(wěn)定性 的同時提高其在高真空環(huán)境下服役壽命的復(fù)合潤滑膜層。最佳思路就是采用固體-油脂復(fù) 合潤滑的方式,通過油脂來隔絕類金剛石膜和真空環(huán)境直接接觸,降低其環(huán)境敏感性,另一 方面由于油脂潤滑劑的存在,類金剛石膜的磨屑與潤滑劑混合后,容易在對偶上形成完整 的、含碳富油脂的轉(zhuǎn)移膜,摩擦副體系由"對偶材料-油脂-類金剛石膜"轉(zhuǎn)化為"類金剛石 膜-油脂-類金剛石膜"新的固-液潤滑體系,從而提高了整體摩擦副體系的磨損壽命。對 現(xiàn)有文獻和專利檢索,未發(fā)現(xiàn)采用WMeC(Me=Ti、化、W)為陰極弧源通過離子注入與沉積技 術(shù)來制備Me-C:H薄膜并用于高真空下的具體技術(shù)措施和手段。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    針對現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,本專利技術(shù)的目的在于提出一種用于高真空下的類金剛石 基固-液復(fù)合潤滑薄膜的制備方法,克服現(xiàn)有類金剛石膜在高真空下耐磨壽命不足和摩擦 系數(shù)環(huán)境敏感性等問題,獲得的類金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄膜具有低摩擦、高硬度與初 性一體化等特性。 為解決上述問題,本專利技術(shù)是通過W下的技術(shù)方案實現(xiàn)的:一種用于高真空下的類 金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄膜的制備方法,包括如下步驟: A)W鉛合金、鐵合金、軸承鋼作為基體材料,使用前進行拋光、丙麗超聲清洗、無水己醇 超聲清洗、烘干并置于真空室中,抽真空至5.ox10中曰,在沉積薄膜前對樣件進行Ar等離 子體瓣射清洗; B) 采用離子注入與沉積技術(shù),選擇金屬Me祀和金屬碳化物MeC祀作為陰極弧源,成和 C2H2作為反應(yīng)氣體,通過控制陰極弧源、反應(yīng)氣體的種類及組合來依次制備Me/MeN/MeNC/ MeC/Me-C:H過渡層膜層,最終獲得具有梯度過渡結(jié)構(gòu)的類金剛石復(fù)合多層薄膜; C) 選取真空潤滑油脂使其均勻吸附于膜層表面,得到類金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄 膜。 一些實施例中,Me可選取金屬TiXr、W,工作氣壓為3. 0X10 2~3. 0X10ipa,注入 脈沖負偏壓為20~25kV,處理時間為廣地。 優(yōu)選地,所述過渡層單層厚度為100~400皿,表層金屬滲雜Me-C:H單層厚度為 200-800nm,復(fù)合膜層總厚度為1~4μm。 本專利技術(shù)相對于現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點: 該方法采用等離子體浸沒離子注入與沉積技術(shù)在鉛合金、鐵合金、軸承鋼基底上依次 沉積Me/MeN/MeNC/MeC/Me-C:H(Me=Ti、化、W)膜層,最終獲得具有梯度過渡結(jié)構(gòu)的類金 剛石復(fù)合多層薄膜;并通過固-液復(fù)合潤滑處理技術(shù)解決了類金剛石膜在高真空下耐磨壽 命不足和摩擦系數(shù)環(huán)境敏感性問題,在高真空環(huán)境下的磨損率較傳統(tǒng)的二硫化鋼薄膜降低 廣2個數(shù)量級,實現(xiàn)了空間運動部件表面強化及潤滑一體化處理。【附圖說明】 通過閱讀參照W下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述,本專利技術(shù)的其它 特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯: 圖1是本專利技術(shù)的的流程圖; 圖2是本專利技術(shù)的類金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄膜摩擦磨損機理示意圖。【具體實施方式】 參見示出本專利技術(shù)實施例的附圖,下文將更詳細地描述本專利技術(shù)。然而,本專利技術(shù)可 許多不同形式實現(xiàn),并且不應(yīng)解釋為受在此提出之實施例的限制。 現(xiàn)參考附圖1~2詳細描述本專利技術(shù)的一種用于高真空下類金剛石基固-液復(fù)合潤 滑薄膜的制備方法: 實施例1 ; 一種用于高真空下的類金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄膜,依次由TC4鐵合金、厚度為2μm的Ti/TiN/TiNC/TiC/Ti-C:H梯度多層類金剛石膜、LH201真空脂膜構(gòu)成。 具體制備工藝按W下步驟進行: (1) 將TC4合金樣件進行拋光、丙麗超聲清洗、無水己醇超聲清洗、烘干并置于 PIIID-04型離子注入與沉積設(shè)備中,抽真空至5. 0X10申曰,在沉積薄膜前對樣件進行Ar等 離子體瓣射清洗,清洗氣壓為0. 5Pa,偏壓為-6kV,清洗時間為30min; (2) 離子注入Ti粘結(jié)層,金屬Ti祀為陰極弧源,工作氣體為Ar,注入氣壓為 4. 0X10 2Pa,注入偏壓為-20kV,注入時間為比,注入層厚度約為200皿; (3) 離子注入與沉積TiN/TiNC/TiC過渡層,金屬Ti祀為陰極弧源,工作氣體依次為 成、成與C2H2混合氣體、C2H2,工作氣壓為0.IPa,注入與沉積偏壓為-20kV,每層過渡層制備 時間為化,制備獲得TiN/TiNC/TiC過渡層各個單層厚度為400nm,總厚度為1200nm; (4) 離子注入與沉積Ti-C:H功能層,TiC祀為陰極弧源,工作氣體為C2H2,工作氣壓為 0. 3Pa,注入與沉積偏壓為-20kV,制備時間為化,制備獲得Ti-C:H功能層厚度為600皿; (5) 選取LH201真空潤滑脂使其均勻吸附于Ti/TiN/TiNC/TiC/Ti-C:H梯度多層類金 剛石膜表面,得到類金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄膜。[001引 實施例2: 一種用于高真空下的類金剛石基固-液復(fù)合潤滑薄膜,依次由TC4鐵合金、厚度為2μm的Ti/TiN/TiNC/TiC/Ti-C:H梯度多層類金剛石膜、LH201真空脂膜構(gòu)成。 具體制備工藝按W下步當前第1頁1 2 本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護點】
    一種用于高真空下類金剛石基固?液復(fù)合潤滑薄膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:?A)以鋁合金、鈦合金、軸承鋼作為基體材料,使用前進行拋光、丙酮超聲清洗、無水乙醇超聲清洗、烘干并置于真空室中,抽真空至5.0×10?3Pa,在沉積薄膜前對樣件進行Ar等離子體濺射清洗;B)采用離子注入與沉積技術(shù),選擇金屬Me靶和金屬碳化物MeC靶作為陰極弧源,N2和C2H2作為反應(yīng)氣體,通過控制陰極弧源、反應(yīng)氣體的種類及組合來依次制備Me/MeN/MeNC/MeC/Me?C:H過渡層膜層,最終獲得具有梯度過渡結(jié)構(gòu)的類金剛石復(fù)合多層薄膜;C)選取真空潤滑油脂使其均勻吸附于膜層表面,得到類金剛石基固?液復(fù)合潤滑薄膜。

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:沙春生宋曉航熊艷艷宿國友郭立杰
    申請(專利權(quán))人:上海航天設(shè)備制造總廠
    類型:發(fā)明
    國別省市:上海;31

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