腔室內被處理對象的接觸結構、靜電吸盤及其制造方法技術

本發明專利技術提供一種腔室內被處理對象的接觸結構、靜電吸盤及其制造方法。該接觸結構包括：具有格子狀的凹槽及被該凹槽環繞的突出結構排列。該接觸結構容易利用掩模快速形成。細小的突出結構排列即使在長時間使用之后，也能保持比較均勻的接觸比例，由此抑制發生斑點等問題。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及腔室內被處理對象的接觸結構，更具體地涉及一種在制造裝置內支撐半導體晶片或玻璃基板等被處理對象的吸盤上的與被處理對象的接觸結構、靜電吸盤及其制造方法。
技術介紹
最近因要求便攜用通信設備或TV的顯示屏的大型化及高品質，由此，制造過程也變得復雜。在處理顯示器用玻璃的等離子體處理裝置上，對顯著大于之前的大型玻璃進行處理并保持原有品質或更高的品質，但隨著玻璃的尺寸的增大，隨之產生各種問題。例如，基本上因大型玻璃具有相對較寬的處理面積，由此，存在處理均勻度降低的問題。為了解決該均勻度低下的問題，持續進行改善用于使等離子體密度均勻化的天線的結構的研究和嘗試，并取得了一定程度的成果。但如上所述，因近來的電子裝置的顯示屏具有非常高的分辨率，從而要求高透明度等高品質。例如，在工藝中必須使玻璃表面的刮擦或斑點的發生達到最小化。刮擦或斑點等玻璃品質低下的原因在主要工藝中，在腔室內因與靜電吸盤等支持結構的接觸或接觸狀態發生。在工藝中為了冷卻玻璃基板等被處理對象，將與玻璃基板的背面接觸的結構形成為壓印結構或深溝槽結構，但該現有的壓印或深溝槽結構存在如下問題。圖1為放大表示現有的靜電吸盤的表面的一部分的圖，(a)為顯示頂部發生磨損之前的圖，(b)為頂部發生磨損之后的圖。現有的靜電吸盤與被處理對象的接觸部具有左側的壓印結構或右側的深溝槽結構。如圖所示，壓印結構和深溝槽結構提供用于疏通氦等冷卻氣體的凹槽，使壓印結構和深溝槽結構的上表面部位與玻璃基板的背面接觸。壓印或深溝槽結構的上表面部位具有多個頂部，由此，實際上玻璃基板由該頂部支撐。并且，也通過在頂部之間被提供的細小的凹槽來疏通冷卻氣體即氦，從而，冷卻玻璃基板。但如圖1(a)所示，靜電吸盤的使用初期保持有頂部，但經過一定使用時間，如圖1(b)所示，頂部發生磨損。此情況下，流經頂部之間的氦的量急劇減少，而在凹槽部位和壓印部位產生溫度差，由此，發生在壓印部位(或接觸部位)的相反面產生斑點的問題。該斑點問題的發生是由于，壓印結構或深溝槽結構在頂部磨損時，實際上與玻璃的接觸面積變寬，由此，形成較大的溫度差。該斑點例如在玻璃基板的蝕刻工藝中，由于溫度差造成的均勻度差異而產生，由此，在液晶驅動或背光驅動時，在上表面生成。專利文獻1:韓國專利申請公開10-2012-0137986
技術實現思路
本專利技術是為解決上述現有的問題而做出的，提供一種制造被處理對象的接觸結構的方法，其在工藝中，向被處理對象提供均勻的溫度分布，并進行支撐。本專利技術的目的為提供一種制造被處理對象的接觸結構的方法，其以容易且經濟的方式，在工藝中，向被處理對象提供均勻的溫度分布。本專利技術的目的為提供一種根據所述改善的制造方法而制造的腔室內被處理對象的接觸結構。本專利技術的目的為提供一種使用壽命相對長的腔室內被處理對象的接觸結構。本專利技術的目的為提供一種采用上述改善的接觸結構的靜電吸盤。本專利技術提供一種腔室內被處理對象的接觸結構，包括:突出結構排列，由配置在被處理對象支撐體的接觸面上的多個突出結構構成；及凹槽，形成在突出結構排列的突出結構之間，凹槽具有格子形狀，提供冷卻氣體的疏通通道。突出結構由A1203、Y203、BeO、Si02、Zr02、CaO、MgO、Ti02、BaTi03、A1203_Y203、Al203-Ti03、AIN, YSZ及YAG中的某一種以上形成還包括堤壩結構，在接觸面上配置成圍繞突出結構排列。多個突出結構各自的底板部位的長邊的長度為ΙΟΟμπι以下，上端部位的長邊的長度為30 μ m以下，高度為50 μ m以上。多個突出結構各自的間距為200 μπι以下。多個突出結構與被處理對象的接觸比例為2至20%。本專利技術還提供靜電吸盤，包括:基材；絕緣層，層疊在基材的上表面上；導電層，形成在絕緣層上；及接觸層，形成在導電層上，包括格子形狀的凹槽和通過凹槽形成的多個突出結構，凹槽提供冷卻氣體疏通通道。多個突出結構各自的底板部位的長邊的長度為ΙΟΟμπι以下，上端部位的長邊的長度為30 μ m以下，高度為50 μ m以上。多個突出結構各自的間距為200 μπι以下。多個突出結構各自的粗糙度(Ra)為10 μπι以上。多個突出結構與被處理對象的接觸比例為2至20%。本專利技術提供一種腔室內被處理對象的接觸結構的制造方法，包括如下步驟:在被處理對象支撐體的接觸面上配置掩模；在接觸面上層疊用于接觸層的層；及抬起并去除掩模，形成包含多個突出部排列的接觸層。用于接觸層的層利用噴涂方法形成。用于接觸層的層由A1203、Y203、BeO、Si02、Zr02、CaO、MgO、Ti02、BaTi03、A1203_Y203、Al203-Ti03、AIN, YSZ及YAG中的某一種以上形成。還包括在接觸面上形成圍繞突出部排列的堤壩結構的步驟。在接觸面上形成介電層之后，將掩模配置在介電層上。專利技術效果根據本專利技術，能夠提供一種腔室內被處理對象的接觸結構。其可為在靜電吸盤等支撐結構上采用的接觸結構，每單位面積上相對多的突出結構均勻地與被處理對象接觸，由此幾乎沒有溫度差。而且，在本專利技術的接觸結構上，即使形成于各個突出結構的上表面部位的頂峰部受到磨損，在相同的面積內相對較多的突出結構與被處理對象接觸，由此，溫度差非常小。因此，本專利技術的格子狀的接觸結構還具有使用壽命長的優點。并且，利用網格(mesh)或蝕刻等的制造方法能夠以低廉的費用快速容易地制造。【附圖說明】圖1為概略表示現有的被處理對象的接觸結構的附圖。圖2為概略表示采用本專利技術的被處理對象的接觸結構的靜電吸盤的截面的圖。圖3為概略表示采用本專利技術的被處理對象的接觸結構的靜電吸盤上部部位的圖。圖4及圖5為概略表示采用本專利技術的被處理對象的接觸結構的靜電吸盤的圖，在放大圖中表不關出部排列。圖6為本專利技術的腔室內被處理對象的接觸結構的一部分的電子顯微鏡照片。圖7為現有被處理對象的接觸結構的一部分的電子顯微鏡照片。圖8為說明本專利技術的制造方法的一實施例的過程的圖。圖9為說明本專利技術的制造方法的另一實施例的過程的圖。附圖標記說明1:支撐體的主體 11:基材12:絕緣層13:導電層21:突出結構排列 211:突出結構22:凹槽23:堤壩結構24:介電層14:冷卻氣體路線【具體實施方式】下面，參照附圖對本專利技術的實施例進行詳細說明。在說明本專利技術的實施例時，判斷相關的公知的功能或結構的具體說明為不必需地且混淆本專利技術的要旨時，省略其詳細的說明。圖2為概略顯示采用本專利技術的被處理對象的接觸結構的靜電吸盤的截面的圖，圖3為概略顯示采用本專利技術的被處理對象的接觸結構的靜電吸盤上部部位的圖，圖4及圖5為概略顯示采用本專利技術的被處理對象的接觸結構的靜電吸盤的圖，在放大圖顯示突出部排列。本專利技術的被處理對象的接觸結構涉及一種形成于被處理對象支撐體(下面，稱為“支撐體”)的上表面，而與被處理對象G接觸的結構。該接觸結構形成于支撐體，該支撐體用于在制造半導體器件或顯示器用玻璃的裝置的腔室內支撐硅片或玻璃基板等被處理對象。例如，接觸結構是指配置于靜電吸盤的主體上表面而與被處理對象的背面接觸的部位。參照附圖，本專利技術的被處理對象的接觸結構所適用的靜電吸盤包括:突出結構排列21，其由配置于被處理對象的支撐體的主體1上表面的多個突出結構211構成。該本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種腔室內被處理對象的接觸結構，其特征在于，包括：突出結構排列，由配置在被處理對象支撐體的接觸面上的多個突出結構構成；及凹槽，形成在所述突出結構排列的突出結構之間，所述凹槽具有格子形狀，提供冷卻氣體的疏通通道。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：李承虎，李淳宰，李明浩，徐光善，金映浩，崔英訓，黃錫載，
申請(專利權)人：ICD株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國;KR