本發明專利技術公開了一種金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其包括金屬蝕刻腔體，金屬蝕刻腔體內部設置有用于氣體傳輸的特氣管道，以及用于產生磁場的磁場線圈；所述特氣管道外部設置有管道防護裝置，管道防護裝置設置于磁場線圈于特氣管道端面之上的投影位置；采用上述技術方案的金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其可通過管道防護裝置的設置避免特氣管道與磁場線圈相接觸以導致的相互損壞，從而改善了相關部件的工作壽命，并提高了設備工作的安全性。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種半導體加工設備，尤其是一種金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置。
技術介紹
金屬蝕刻設備由于其設計缺陷，往往導致設備內部的磁場線圈與特氣管道相接觸，當特氣管道外部的絕緣層由于機械振動等因素脫落后，磁場線圈在通電狀態下與特氣管道表層接觸極易導致短路，從而致使相關部件受到損壞。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是提供一種金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其可有效避免磁場線圈與其余部件的接觸而造成彼此損壞。為解決上述技術問題，本專利技術涉及一種金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其包括金屬蝕刻腔體，金屬蝕刻腔體內部設置有用于氣體傳輸的特氣管道，以及用于產生磁場的磁場線圈；所述特氣管道外部設置有管道防護裝置，管道防護裝置設置于磁場線圈于特氣管道端面之上的投影位置。作為本專利技術的一種改進，所述管道防護裝置由第一管道防護層與第二管道防護層構成，其中，第一管道防護層設置于第二管道防護層與特氣管道之間；所述第一管道防護層與第二管道防護層均采用“U”形結構，且其底端面均設置于特氣管道與磁場線圈的相對端面之上。采用上述設計，其可通過多層管道防護裝置對特氣管道進行更穩定的保護效果，與此同時，第一管道防護層與第二管道防護層的“U”形結構使得特氣管道與磁場線圈的相背端面與外界接觸，從而使得其在受到保護的同時可得以實現良好的散熱效果。作為本專利技術的一種改進，所述第一管道防護層的厚度大于第二管道防護層的厚度，其可使得防護層的保護效果得以進一步的提升。作為本專利技術的一種改進，所述第一管道防護層與第二管道防護層之上分別設置有固定端板，其均在水平方向上延伸，固定端板與金屬蝕刻腔體的內壁之間通過螺栓進行連接。采用上述設計，其可通過第一管道防護層與第二管道防護層的固定方式以使得其穩定性得以進一步的改善。采用上述技術方案的金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其可通過管道防護裝置的設置避免特氣管道與磁場線圈相接觸以導致的相互損壞，從而改善了相關部件的工作壽命，并提高了設備工作的安全性?！靖綀D說明】圖1為本專利技術示意圖； 附圖標記列表: 1 一金屬蝕刻腔體、2—特氣管道、3—磁場線圈、4 一第一管道防護層、5—第二管道防護層、6—固定端板?！揪唧w實施方式】下面結合【具體實施方式】，進一步闡明本專利技術，應理解下述【具體實施方式】僅用于說明本專利技術而不用于限制本專利技術的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內”和“外”分別指的是朝向或遠離特定部件幾何中心的方向。實施例1 如圖1所示的一種金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其包括金屬蝕刻腔體1，金屬蝕刻腔體內部設置有用于氣體傳輸的特氣管道2，以及用于產生磁場的磁場線圈3 ;所述特氣管道2外部設置有管道防護裝置，管道防護裝置設置于磁場線圈3于特氣管道2端面之上的投影位置。作為本專利技術的一種改進，所述管道防護裝置由第一管道防護層4與第二管道防護層5構成，其中，第一管道防護層4設置于第二管道防護層5與特氣管道2之間；所述第一管道防護層4與第二管道防護層5均采用“U”形結構，且其底端面均設置于特氣管道2與磁場線圈3的相對端面之上。采用上述設計，其可通過多層管道防護裝置對特氣管道進行更穩定的保護效果，與此同時，第一管道防護層與第二管道防護層的“U”形結構使得特氣管道與磁場線圈的相背端面與外界接觸，從而使得其在受到保護的同時可得以實現良好的散熱效果。作為本專利技術的一種改進，所述第一管道防護層4的厚度大于第二管道防護層5的厚度，其可使得防護層的保護效果得以進一步的提升。采用上述技術方案的金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其可通過管道防護裝置的設置避免特氣管道與磁場線圈相接觸以導致的相互損壞，從而改善了相關部件的工作壽命，并提高了設備工作的安全性。實施例2 作為本專利技術的一種改進，所述第一管道防護層4與第二管道防護層5之上分別設置有固定端板6，其均在水平方向上延伸，固定端板6與金屬蝕刻腔體1的內壁之間通過螺栓進行連接。采用上述設計，其可通過第一管道防護層與第二管道防護層的固定方式以使得其穩定性得以進一步的改善。本實施例其余特征與優點均與實施例1相同?！局鳈囗棥?.一種金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其包括金屬蝕刻腔體，金屬蝕刻腔體內部設置有用于氣體傳輸的特氣管道，以及用于產生磁場的磁場線圈；其特征在于，所述特氣管道外部設置有管道防護裝置，管道防護裝置設置于磁場線圈于特氣管道端面之上的投影位置。2.按照權利要求1所述的金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其特征在于，所述管道防護裝置由第一管道防護層與第二管道防護層構成，其中，第一管道防護層設置于第二管道防護層與特氣管道之間；所述第一管道防護層與第二管道防護層均采用“U”形結構，且其底端面均設置于特氣管道與磁場線圈的相對端面之上。3.按照權利要求2所述的金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其特征在于，所述第一管道防護層的厚度大于第二管道防護層的厚度。4.按照權利要求3所述的金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其特征在于，所述第一管道防護層與第二管道防護層之上分別設置有固定端板，其均在水平方向上延伸，固定端板與金屬蝕刻腔體的內壁之間通過螺栓進行連接?！緦＠勘緦＠夹g公開了一種金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其包括金屬蝕刻腔體，金屬蝕刻腔體內部設置有用于氣體傳輸的特氣管道，以及用于產生磁場的磁場線圈；所述特氣管道外部設置有管道防護裝置，管道防護裝置設置于磁場線圈于特氣管道端面之上的投影位置；采用上述技術方案的金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其可通過管道防護裝置的設置避免特氣管道與磁場線圈相接觸以導致的相互損壞，從而改善了相關部件的工作壽命，并提高了設備工作的安全性。【IPC分類】C23F1/08【公開號】CN105316676【申請號】CN201510806335【專利技術人】史進, 伍志軍 【申請人】蘇州賽森電子科技有限公司【公開日】2016年2月10日【申請日】2015年11月20日本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種金屬蝕刻設備內部磁場線圈保護裝置，其包括金屬蝕刻腔體，金屬蝕刻腔體內部設置有用于氣體傳輸的特氣管道，以及用于產生磁場的磁場線圈；其特征在于，所述特氣管道外部設置有管道防護裝置，管道防護裝置設置于磁場線圈于特氣管道端面之上的投影位置。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：史進，伍志軍，
申請(專利權)人：蘇州賽森電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32
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