混合模式包含接收檢驗結(jié)果，所述檢驗結(jié)果包含晶片的選定區(qū)域的一或多個圖像，所述一或多個圖像包含一或多個晶片裸片，所述一或多個晶片裸片包含一組重復(fù)塊，所述組重復(fù)塊包含一組重復(fù)單元。另外，混合模式檢驗包含調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小，以將每一單元、塊及裸片映射到整數(shù)數(shù)目個像素。此外，混合模式檢驗包含：比較第一晶片裸片與第二晶片裸片，以識別所述第一晶片裸片或所述第二晶片裸片中的一或多個缺陷的發(fā)生；比較第一塊與第二塊，以識別所述第一塊或所述第二塊中的一或多個缺陷的發(fā)生；及比較第一單元與第二單元，以識別所述第一單元或所述第二單元中的一或多個缺陷的發(fā)生。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】【專利說明】用于混合模式的晶片檢驗的方法及系統(tǒng)相關(guān)申請案的交叉參考本申請案涉及下文所列的申請案(“相關(guān)申請案”)且主張其最早可用有效申請日期的權(quán)益(例如，對于相關(guān)申請案的任何及所有母案、前母案、前前母案等申請案，主張除了臨時專利申請案之外的申請案的最早可用優(yōu)先日期或主張臨時專利申請案的根據(jù)35USC § 119(e)規(guī)定的權(quán)益)。相關(guān)申請案:出于USPTO額外法定要求的目的，本申請案構(gòu)成在2012年11月12日申請的以杰森.林(Jason Lin)、阿倫.帕克(Allen Park)、埃利斯.昌(Ellis Chang)、迪克.瓦林福德(DickWallingford)、宋濂.榮(Songnian Rong)及凱坦.巴哈卡(Chetan Bhaska)為專利技術(shù)人的標(biāo)題為“用于晶片檢驗的與單元間及裸片間比較混合的感知塊間比較(AWAREBL0CK-BL0CK COMPARISON MIXED WITH CELL-TO-CELL AND DIE-TO-DIE COMPARISONS FORWAFER INSPECT1N) ”的申請案號為61/725，265的美國臨時專利申請案的正規(guī)(非臨時)專利申請案。
本專利技術(shù)大體上涉及用于半導(dǎo)體晶片檢驗的方法及系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
制造半導(dǎo)體裝置(例如，邏輯及存儲器裝置)通常包含使用大量半導(dǎo)體制造工藝處理襯底(例如，半導(dǎo)體晶片)以形成半導(dǎo)體裝置的各種特征及多個層級。例如，光刻為涉及將圖案從光罩轉(zhuǎn)印到布置于半導(dǎo)體晶片上的抗蝕劑的半導(dǎo)體制造工藝。半導(dǎo)體制造工藝的額外實例包含(但不限于)化學(xué)機械拋光(CMP)、蝕刻、沉積及離子植入。多個半導(dǎo)體裝置可在單個半導(dǎo)體晶片上的布置中制造且接著被分成個別半導(dǎo)體裝置。如貫穿本專利技術(shù)所使用，術(shù)語“晶片”一般是指由半導(dǎo)體材料或非半導(dǎo)體材料形成的襯底。例如，半導(dǎo)體材料或非半導(dǎo)體材料可包含(但不限于)單晶硅、砷化鎵及磷化銦。晶片可包含一或多個層。例如，此類層可包含(但不限于)抗蝕劑、電介質(zhì)材料、導(dǎo)電材料及半導(dǎo)體材料。許多不同類型的此類層在此
中是已知的，且如本文所使用的術(shù)語“晶片”希望包含其上可形成各種類型的此類層的晶片。形成于晶片上的一或多個層可經(jīng)圖案化或未經(jīng)圖案化。例如，晶片可包含多個裸片，每一裸片具有可重復(fù)的經(jīng)圖案化特征。此類材料層的形成及處理最終可導(dǎo)致完成的裝置。許多不同類型的裝置可形成于晶片上，及如本文所使用的術(shù)語“晶片”希望包含于其上制造此
中已知的任何類型的裝置的晶片。在半導(dǎo)體制造工藝期間的各種步驟處使用檢驗過程以檢測樣本(例如光罩及晶片)上的缺陷。檢驗過程始終為制造半導(dǎo)體裝置(例如集成電路)的重要部分。然而，隨著半導(dǎo)體裝置的尺寸的減小，檢驗過程對成功制造可接受的半導(dǎo)體裝置變得更為重要。例如，隨著半導(dǎo)體裝置的尺寸的減小，檢測大小減小的缺陷已變成必要，這是因為即使相對較小的缺陷也可在半導(dǎo)體裝置中引起非所要像差。因而，提供具有改善的晶片檢驗?zāi)芰Φ南到y(tǒng)及方法是有利的。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)揭示一種用于提供混合模式晶片檢驗的方法。在一個方面中，所述方法可包含(但不限于):接收晶片的一或多個檢驗結(jié)果，其中所述一或多個檢驗結(jié)果包含所述晶片的選定區(qū)域的一或多個圖像，所述一或多個圖像包含一或多個晶片裸片，所述一或多個晶片裸片包含一組重復(fù)塊，所述組重復(fù)塊中的一或多者，其中每一塊的單元為非周期性或不可分辨的；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一塊映射到整數(shù)數(shù)目個像素；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一裸片映射到整數(shù)數(shù)目個像素；比較第一晶片裸片與至少第二晶片裸片，以識別所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生；及比較第一塊與至少第二塊，以識別所述第一塊及所述至少第二塊中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生。在另一方面中，所述方法可包含(但不限于):接收晶片的一或多個檢驗結(jié)果，其中所述一或多個檢驗結(jié)果包含所述晶片的選定區(qū)域的一或多個圖像，所述一或多個圖像包含一或多個晶片裸片，所述一或多個晶片裸片包含一組重復(fù)塊，所述組重復(fù)塊中的一或多者包含一組重復(fù)單元；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一單元映射到實質(zhì)上整數(shù)數(shù)目個像素；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一塊映射到實質(zhì)上整數(shù)數(shù)目個像素；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一裸片映射到整數(shù)數(shù)目個像素；比較第一晶片裸片與至少第二晶片裸片，以識別所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生；比較第一塊與至少第二塊，以識別所述第一塊及所述至少第二塊中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生；及比較第一單元與至少第二單元，以識別所述第一單元及所述至少第二單元中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生。在另一方面中，所述方法可包含(但不限于):接收晶片的一或多個檢驗結(jié)果，其中所述一或多個檢驗結(jié)果包含所述晶片的選定區(qū)域的一或多個圖像，所述一或多個圖像包含一或多個晶片裸片，所述一或多個晶片裸片包含一組塊，其中所述塊中的至少一些是不規(guī)則的，所述組塊中的一或多者包含一組重復(fù)單元；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一單元映射到實質(zhì)上整數(shù)數(shù)目個像素；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一裸片映射到整數(shù)數(shù)目個像素；對準(zhǔn)第一塊與至少第二塊；比較第一晶片裸片與至少第二晶片裸片，以識別所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生；比較第一塊與至少第二塊，以識別所述第一塊及所述至少第二塊中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生；及比較第一單元與至少第二單元，以識別所述第一單元及所述至少第二單元中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生。在另一方面中，所述方法可包含(但不限于):接收晶片的一或多個檢驗結(jié)果，其中所述一或多個檢驗結(jié)果包含所述晶片的選定區(qū)域的一或多個圖像，所述一或多個圖像包含一或多個晶片裸片，所述一或多個晶片裸片包含一組塊，所述組塊中的一或多者包含一組重復(fù)單元；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一單元映射到實質(zhì)上整數(shù)數(shù)目個像素；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一塊映射到實質(zhì)上整數(shù)數(shù)目個像素；比較第一塊與至少第二塊，以識別所述第一塊及所述至少第二塊中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生；及比較第一單元與至少第二單元，以識別所述第一單元及所述至少第二單元中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生。揭示一種用于提供基于圖場間(field-to-field)的晶片檢驗的方法。在一方面中，所述方法可包含(但不限于):接收晶片的一或多個檢驗結(jié)果，其中所述一或多個檢驗結(jié)果包含所述晶片的選定區(qū)域的一或多個圖像，所述一或多個圖像包含三個或三個以上圖場，所述三個或三個以上圖場中的每一者包含于共用裸片中；通過組合所述檢驗結(jié)果的所述三個或三個以上圖場而產(chǎn)生參考圖場圖像；及比較一或多個圖場與所述所產(chǎn)生的參考圖場圖像，以識別所述一或多個圖場中的一或多個缺陷的發(fā)生。揭示一種用于提供基于圖場間的晶片檢驗的方法。在一個方面中，所述方法可包含(但不限于):接收至少與晶片的所關(guān)注區(qū)域相關(guān)聯(lián)的一或多組設(shè)計數(shù)據(jù)；識別所述所接收的設(shè)計數(shù)據(jù)中的一或多個重復(fù)塊；基于所述一或多個重復(fù)塊的一或多個選定屬性而選擇所述經(jīng)識別的一或多個重復(fù)塊的一部分供檢驗；及用檢驗工具對所述經(jīng)識別的一或多個重復(fù)塊的選定部分執(zhí)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
一種用于提供混合模式晶片檢驗的方法，其包括：接收晶片的一或多個檢驗結(jié)果，其中所述一或多個檢驗結(jié)果包含所述晶片的選定區(qū)域的一或多個圖像，所述一或多個圖像包含一或多個晶片裸片，所述一或多個晶片裸片包含一組重復(fù)塊，所述組重復(fù)塊的一或多者，其中每一塊的單元為非周期性或不可分辨的；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一塊映射到整數(shù)數(shù)目個像素；調(diào)整所述一或多個圖像的像素大小以將每一裸片映射到整數(shù)數(shù)目個像素；比較第一晶片裸片與至少第二晶片裸片，以識別所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生；以及比較第一塊與至少第二塊，以識別所述第一塊及所述至少第二塊中的至少一者中的一或多個缺陷的發(fā)生。
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：J·林，A·帕克，E·張，R·威靈福德，S·龍，C·巴哈斯卡爾，
申請(專利權(quán))人：科磊股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：美國;US
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