電平轉(zhuǎn)換電路制造技術(shù)

電平轉(zhuǎn)換電路。本發(fā)明專利技術(shù)提供不會(huì)進(jìn)行誤動(dòng)作的電平轉(zhuǎn)換電路。該電平轉(zhuǎn)換電路將對(duì)輸入端子輸入的第一電源端子的第一電源電壓的信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二電源端子的第二電源電壓的信號(hào)而向輸出端子輸出，具備檢測(cè)第一電源電壓小于規(guī)定電壓的情況的控制電路，通過控制電路的檢測(cè)信號(hào)將電平轉(zhuǎn)換電路的輸出端子的電壓固定為第二電源電壓或接地電壓。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
電平轉(zhuǎn)換電路
本專利技術(shù)涉及安裝在半導(dǎo)體裝置上的電平轉(zhuǎn)換電路。
技術(shù)介紹
對(duì)現(xiàn)有的電平轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行說明。圖2是示出現(xiàn)有的電平轉(zhuǎn)換電路的電路圖。當(dāng)輸入電壓VIN為高電平時(shí)(成為第一電源電壓VDDl時(shí))，通過反相器51，NMOS晶體管52的柵極電壓成為接地電壓VSS。從而，NMOS晶體管52截止。另外，NMOS晶體管53導(dǎo)通，輸出電壓VOUT成為低電平(成為接地電壓VSS)。此時(shí)，PMOS晶體管54導(dǎo)通，內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NI的電壓成為第二電源電壓VDD2，PMOS晶體管55截止。另外，當(dāng)輸入電壓VIN成為低電平時(shí)(成為接地電壓VSS時(shí))，通過反相器51，NMOS晶體管52的柵極電壓成為第一電源電壓VDD1。從而，NMOS晶體管52導(dǎo)通，內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NI的電壓成為接地電壓VSS，PMOS晶體管55導(dǎo)通，輸出電壓VOUT成為高電平(成為第二電源電壓VDD2)。此時(shí)，NMOS晶體管53截止(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。專利文獻(xiàn)1:日本特開2012-134690號(hào)公報(bào)但是，在專利文獻(xiàn)I所公開的技術(shù)中，當(dāng)?shù)谝浑娫措妷篤DDl低于電路的最低工作電源電壓時(shí)，電平轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行誤動(dòng)作，導(dǎo)致輸出電壓VOUT不穩(wěn)定。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)鑒于上述課題，提供不會(huì)進(jìn)行誤動(dòng)作的電平轉(zhuǎn)換電路。本專利技術(shù)為了解決上述課題，采用這樣的電平轉(zhuǎn)換電路:將對(duì)輸入端子輸入的第一電源端子的第一電源電壓的信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二電源端子的第二電源電壓的信號(hào)而向輸出端子輸出，具備檢測(cè)第一電源電壓小于規(guī)定電壓的情況的控制電路，通過控制電路的檢測(cè)信號(hào)將電平轉(zhuǎn)換電路的輸出端子的電壓固定為第二電源電壓或接地電壓。專利技術(shù)的效果根據(jù)本專利技術(shù)，當(dāng)?shù)谝浑娫措妷旱陀谧畹凸ぷ麟娫措妷簳r(shí)，電平轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓被強(qiáng)制性地固定為第二電源電壓或接地電壓，所以電平轉(zhuǎn)換電路不會(huì)進(jìn)行誤動(dòng)作。【附圖說明】圖1是示出本實(shí)施方式的電平轉(zhuǎn)換電路的電路圖。圖2是示出現(xiàn)有的電平轉(zhuǎn)換電路的電路圖。標(biāo)號(hào)說明10信號(hào)處理電路；20控制電路；22電流源；VDD1?VDD2電源電壓；VSS接地電壓；VIN輸入電壓；V0UT輸出電壓。【具體實(shí)施方式】以下，參照附圖來說明本專利技術(shù)的實(shí)施方式。首先，說明電平轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)。圖1是示出電平轉(zhuǎn)換電路的電路圖。這里，第一電源端子的電壓是第一電源電壓VDDl，第二電源端子的電壓是第二電源電壓VDD2，接地端子的電壓是接地電壓VSS。電平轉(zhuǎn)換電路將所輸入的第一電源電壓VDDl的信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二電源電壓VDD2的信號(hào)而輸出。電平轉(zhuǎn)換電路具備信號(hào)處理電路10以及控制電路20。信號(hào)處理電路10具備反相器1UNM0S晶體管12?13、PM0S晶體管14?15以及開關(guān)16?17。控制電路20具備NMOS晶體管21、電流源22以及反相器23。在電平轉(zhuǎn)換電路中，信號(hào)處理電路10的輸入端子是電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端子。信號(hào)處理電路10的輸出端子是電平轉(zhuǎn)換電路的輸出端子。信號(hào)處理電路10與控制電路20的第一控制信號(hào)端子相互連接。信號(hào)處理電路10與控制電路20的第二控制信號(hào)端子相互連接。在信號(hào)處理電路10中，反相器11的輸入端子與信號(hào)處理電路10的輸入端子以及NMOS晶體管13的柵極連接，輸出端子與NMOS晶體管12的柵極連接，電源端子與第一電源端子連接，接地端子與接地端子連接。NMOS晶體管12的源極與接地端子連接，漏極與內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NI連接。NMOS晶體管13的源極與接地端子連接，漏極與內(nèi)部節(jié)點(diǎn)N2連接。開關(guān)16設(shè)置在內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NI與接地端子之間。開關(guān)17設(shè)置在信號(hào)處理電路10的輸出端子與內(nèi)部節(jié)點(diǎn)N2之間。PMOS晶體管14的柵極與信號(hào)處理電路10的輸出端子連接，源極與第二電源端子連接，漏極與內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NI連接。PMOS晶體管15的柵極與內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NI連接，源極與第二電源端子連接，漏極與信號(hào)處理電路10的輸出端子連接。開關(guān)16由信號(hào)處理電路10的第一控制信號(hào)端子的信號(hào)來控制。開關(guān)17由信號(hào)處理電路10的第二控制信號(hào)端子的信號(hào)來控制。在控制電路20中，NMOS晶體管21的柵極與第一電源端子連接，源極與接地端子連接，漏極與內(nèi)部節(jié)點(diǎn)N3連接。電流源22設(shè)置在第二電源端子與內(nèi)部節(jié)點(diǎn)N3之間。反相器23的輸入端子與內(nèi)部節(jié)點(diǎn)N3以及控制電路20的第一控制信號(hào)端子連接，輸出端子與控制電路20的第二控制信號(hào)端子連接，電源端子與第二電源端子連接，接地端子與接地端子連接。這里，NMOS晶體管21以及電流源22構(gòu)成電壓檢測(cè)電路。電壓檢測(cè)電路的輸入端子是NMOS晶體管21的柵極，輸出端子是內(nèi)部節(jié)點(diǎn)N3。電壓檢測(cè)電路檢測(cè)第一電源電壓VDDl成為最低工作電源電壓與規(guī)定電壓的合計(jì)電壓的情況。此外，該電壓是電壓檢測(cè)電路的閾值電壓，是比電平轉(zhuǎn)換電路無法實(shí)際地工作的電源電壓(最低工作電源電壓)高出規(guī)定電壓的電壓。根據(jù)半導(dǎo)體裝置的規(guī)格來適當(dāng)?shù)卣{(diào)整該規(guī)定電壓。具體地說，通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整NMOS晶體管21的閾值電壓以及尺寸和電流源22的電流量，來調(diào)整電壓檢測(cè)電路的閾值電壓。接著，說明第一電源電壓VDDl低于最低工作電源電壓時(shí)的電平轉(zhuǎn)換電路的工作。此時(shí),第一電源電壓VDDl低于電壓檢測(cè)電路的閾值電壓。于是,NMOS晶體管21截止。內(nèi)部節(jié)點(diǎn)N3的電壓被電流源22上拉，成為第二電源電壓VDD2。即，第一控制信號(hào)成為第二電源電壓VDD2。開關(guān)16例如是NMOS晶體管，當(dāng)柵極電壓為第二電源電壓VDD2時(shí)，開關(guān)16接通，因此，內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NI的電壓成為接地電壓VSS。由此，PMOS晶體管15導(dǎo)通，輸出電壓VOUT被強(qiáng)制性地固定為第二電源電壓VDD2。由此，當(dāng)?shù)谝浑娫措妷篤DDl低于最低工作電源電壓時(shí)，電平轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓VOUT被強(qiáng)制性地固定為第二電源電壓VDD2，所以電平轉(zhuǎn)換電路不會(huì)進(jìn)行誤動(dòng)作。因?yàn)閮?nèi)部節(jié)點(diǎn)N3的電壓為第二電源電壓VDD2，所以通過反相器23，第二控制信號(hào)成為接地電壓VSS。開關(guān)17例如是NMOS晶體管，柵極電壓為接地電壓VSS，因此開關(guān)17關(guān)斷。這樣，當(dāng)?shù)谝浑娫措妷篤DDl低于電壓檢測(cè)電路的閾值電壓時(shí)，電平轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓VOUT被強(qiáng)制性地固定為第二電源電壓VDD2。接著，說明第一電源電壓VDDl高于最低工作電源電壓與規(guī)定電壓的合計(jì)電壓時(shí)的電平轉(zhuǎn)換電路的工作。此時(shí)，第一電源電壓VDDl高于電壓檢測(cè)電路的閾值電壓。于是，NMOS晶體管21導(dǎo)通。內(nèi)部節(jié)點(diǎn)N3的電壓成為接地電壓VSS。即，因?yàn)榈谝豢刂菩盘?hào)成為接地電壓VSS，所以開關(guān)16關(guān)斷。另外，通過反相器23，第二控制信號(hào)成為第二電源電壓VDD2，所以開關(guān)17接通。這里，當(dāng)輸入電壓VIN成為高電平時(shí)(成為第一電源電壓VDDl時(shí))，通過反相器11，NMOS晶體管12的柵極電壓成為接地電壓VSS。于是，NMOS晶體管12截止。另外，NMOS晶體管13導(dǎo)通，輸出電壓VOUT成為低電平(成為接地電壓VSS)。此時(shí)，PMOS晶體管14導(dǎo)通，內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NI的電壓成為第二電源電壓VDD2，PMOS晶體管15截止。另外，當(dāng)輸入電壓VIN成為低電平時(shí)(成為接地電壓VSS時(shí))，通過反相器11，NMOS晶體管12的柵極電壓成為第一電源電壓VDD1。于是，NMOS晶體管12導(dǎo)通，內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NI的電壓成為接地電壓VSS，PMOS晶體管15導(dǎo)通，輸出電壓VOUT成為高電平(成為第二電源電壓VDD2)。此時(shí)，NMOS晶體管13截止。這樣，當(dāng)?shù)诒疚臋n來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種電平轉(zhuǎn)換電路，其將對(duì)輸入端子輸入的第一電源端子的第一電源電壓的信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二電源端子的第二電源電壓的信號(hào)而向輸出端子輸出，其特征在于，該電平轉(zhuǎn)換電路具備檢測(cè)所述第一電源電壓小于規(guī)定電壓的情況的控制電路，通過所述控制電路的檢測(cè)信號(hào)，將所述電平轉(zhuǎn)換電路的輸出端子的電壓固定為所述第二電源電壓或接地電壓。

【技術(shù)特征摘要】
2013.02.20 JP 2013-0313671.一種電平轉(zhuǎn)換電路,其將對(duì)輸入端子輸入的第一電源端子的第一電源電壓的信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二電源端子的第二電源電壓的信號(hào)而向輸出端子輸出，其特征在于， 該電平轉(zhuǎn)換電路具備檢測(cè)所述第一電源電壓小于規(guī)定電壓的情況的控制電路， 通過所述控制電路的檢測(cè)信號(hào)，將所述電平轉(zhuǎn)換電路的輸出端子的電壓固定為所述第二電源電壓或接地電壓。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，該電平轉(zhuǎn)換電路具備: 第一 NMOS晶體管,其在對(duì)所述輸入端子輸入的信號(hào)是第一電源電壓時(shí),使所述輸出端子的電壓成為所述第二電源電壓； 第一開關(guān)，其與所述第一 NMOS晶體管并聯(lián)連接； 第二 NMOS晶體管,其在對(duì)所述輸入端子輸入的信號(hào)是第一電源電壓時(shí),使所述輸出端子的電壓成為所述接地電壓；以及 第二開關(guān)，其連接在所述第二 NMOS晶體管與所述輸出端子之間， 通過所述控制電路的檢測(cè)信號(hào)，控制所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于， 所述控制電路具備: NMOS晶體管，其柵極與所述第一電源端子連接，源極與接地端子連接，漏極與所述控制電路的第一輸出端子連接； 電阻元件，其設(shè)置在所述第二電源端子與所述控制電路的第一輸出端子之間；以及 反相器，其設(shè)置在所述NMOS晶體管的漏極與第二輸出端子之間， 所述控制電路利用所述第一輸出端子的信號(hào)控制所述第一開關(guān)，利用所述第二輸出端子的信號(hào)控制所述第二開關(guān)。4.一種電平轉(zhuǎn)換電路，其安裝在半導(dǎo)體裝置上，其特征在于， 該電平轉(zhuǎn)換電路具備信號(hào)處理電路和控制電路， 所述信號(hào)處理電路...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高田幸輔，五十嵐敦史，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：精工電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP