濺鍍裝置、靶材及護(hù)罩制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)公開(kāi)了一種濺鍍裝置，具有：背墊板、用以將靶材固定在所述背墊板的固定部、及包圍所述靶材的周圍的護(hù)罩。所述護(hù)罩具有開(kāi)口部，所述固定部構(gòu)成為通過(guò)將所述靶材的周邊部按壓在所述背墊板上，將所述靶材固定在所述背墊板上。所述護(hù)罩具有：沒(méi)有介于其中的所述固定部而與所述背墊板相面對(duì)的面對(duì)部、及在所述面對(duì)部的外側(cè)形成的外側(cè)部，在所述面對(duì)部與所述背墊板之間的間隔小于所述外側(cè)部與所述背墊板之間的間隔。此外，所述護(hù)罩的面向所述處理空間的內(nèi)面包含以所述內(nèi)面與所述背墊板的距離隨著由所述外側(cè)部朝向所述面對(duì)部減小的方式呈傾斜的部分。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】濺鍍裝置、靶材及護(hù)罩
本專利技術(shù)是關(guān)于濺鍍裝置、以及被組入于該濺鍍裝置的靶材及護(hù)罩。
技術(shù)介紹
在集成電路、顯示面板、盤(pán)片等的制造中，可使用濺鍍，以在半導(dǎo)體晶圓、玻璃面板、樹(shù)脂盤(pán)片等基板之上形成膜。濺鍍是使離子沖撞靶材表面，藉此使由該表面所放出的粒子沉積在基板之上而形成膜的沉積技術(shù)。靶材是被固定在背墊板。背墊板是通過(guò)冷卻手段予以冷卻，藉此使靶材冷卻。背墊板亦可另外作為對(duì)靶材施加電壓的電極來(lái)發(fā)揮功能。先前技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平2003-226967號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)所欲解決的課題圖8是為了說(shuō)明本專利技術(shù)的課題而由本專利技術(shù)人所作成的圖。在該圖中是模式顯示濺鍍裝置中的靶材5的周邊部。濺鍍裝置具有:背墊板7、將靶材5固定在背墊板7的固定部13、及包圍靶材5的周圍的護(hù)罩14。固定部13可由螺絲等而被固定在背墊板7，以將靶材5按壓在背墊板7。護(hù)罩14是可以覆蓋固定部13的方式被配置在靶材5的周圍。因通過(guò)被供予至保持基板S的基板保持部4與背墊板7之間的電壓所引起的放電所發(fā)生的離子會(huì)沖撞靶材5，藉此粒子由靶材5放出。這些粒子是為了形成膜，除了基板S以外，亦可沉積在護(hù)罩14而形成沉積物DP。若沉積物DP由護(hù)罩14剝落時(shí)，可污染基板S、或?yàn)R鍍裝置的腔室壁I內(nèi)的處理空間12。沉積物DP的形成是愈為接近靶材5的表面，亦即離子沖撞而使粒子被放出的部分，愈為明顯。因此，亦考慮將護(hù)罩14的內(nèi)側(cè)部分(與靶材5相對(duì)向的部分)由靶材5隔離，但是據(jù)此會(huì)取代護(hù)罩14而在固定部13等形成沉積物，因此護(hù)罩14未實(shí)現(xiàn)原本的目的。本專利技術(shù)是以專利技術(shù)人所得的上述課題認(rèn)識(shí)為契機(jī)所研創(chuàng)的，提供一種有利于用以減低沉積物形成在用以固定靶材的護(hù)罩和固定部上的技術(shù)。解決課題的手段本專利技術(shù)的第I方面是一種濺鍍裝置，具有:背墊板、及用以將靶材固定在所述背墊板的固定部、及包圍所述靶材的周圍的護(hù)罩，在處理空間中通過(guò)濺鍍而在基板形成膜，其中:所述護(hù)罩是具有開(kāi)口部，所述固定部是構(gòu)成為由將所述靶材的周邊部按壓在所述背墊板上，將所述靶材固定在所述背墊板，所述護(hù)罩具有:沒(méi)有介于其間的所述固定部而與所述背墊板相面對(duì)的面對(duì)部、及所述面對(duì)部的外側(cè)的外側(cè)部，以及所述面對(duì)部與所述背墊板之間的間隔小于所述外側(cè)部與所述背墊板之間的間隔，以及所述護(hù)罩的面向所述處理空間的內(nèi)面是包含以所述內(nèi)面與所述背墊板之間的距離由所述外側(cè)部朝向所述面對(duì)部減小的方式呈傾斜的部分。本專利技術(shù)的第2方面是一種護(hù)罩，該護(hù)罩以包圍所述靶材的周圍的方式配置在濺鍍裝置中，所述濺鍍裝置具有:背墊板、及用以將靶材固定在所述背墊板的固定部，在處理空間通過(guò)濺鍍而在基板上形成膜，其中:所述護(hù)罩是具有開(kāi)口部，所述固定部是構(gòu)成為通過(guò)將所述靶材的周邊部按壓在所述背墊板上，將所述靶材固定在所述背墊板，所述護(hù)罩具有:沒(méi)有介于其間的所述固定部而與所述背墊板相面對(duì)的面對(duì)部、及在所述面對(duì)部的外側(cè)形成的外側(cè)部，所述面對(duì)部與所述背墊板之間的間隔小于所述外側(cè)部與所述背墊板之間的間隔，所述護(hù)罩的面向所述處理空間的內(nèi)面包含以所述內(nèi)面與所述背墊板之間的距離由所述外側(cè)部朝向所述面對(duì)部減小的方式呈傾斜的部分。本專利技術(shù)的第3方面是一種靶材，該靶材在濺鍍裝置中使用，其中:具有:本體部、及包圍所述本體部的凸緣部，所述凸緣部具有環(huán)狀凹部。專利技術(shù)的效果通過(guò)本專利技術(shù)，提供一種有利于用以減低沉積物形成在用以固定靶材的護(hù)罩和固定部的技術(shù)。本專利技術(shù)的其他特征 及優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)參照附圖的以下說(shuō)明而清楚可知。其中，在附圖中，是對(duì)相同或同樣的構(gòu)成標(biāo)注相同的組件符號(hào)。【附圖說(shuō)明】附圖包含在說(shuō)明書(shū)中且構(gòu)成其一部分，與說(shuō)明書(shū)一起顯示本專利技術(shù)的實(shí)施例，用以說(shuō)明本專利技術(shù)的原理。圖1是顯示本專利技術(shù)的實(shí)施例的濺鍍裝置的基本構(gòu)成圖。圖2是顯示本專利技術(shù)的第I實(shí)施例的濺鍍裝置的局部構(gòu)成圖。圖3是顯示本專利技術(shù)的第2實(shí)施例的濺鍍裝置的局部構(gòu)成圖。圖4是顯示本專利技術(shù)的第3實(shí)施例的濺鍍裝置的局部構(gòu)成圖。圖5是顯示本專利技術(shù)的第4實(shí)施例的濺鍍裝置的構(gòu)成圖。圖6是顯示本專利技術(shù)的第5實(shí)施例的濺鍍裝置的局部構(gòu)成圖。圖7是顯示本專利技術(shù)的第6實(shí)施例的濺鍍裝置的局部構(gòu)成圖。圖8是用以說(shuō)明課題的圖。【具體實(shí)施方式】以下參照【附圖說(shuō)明】本專利技術(shù)的特定的實(shí)施例，惟此并非意圖限定本專利技術(shù)。首先，參照?qǐng)D1說(shuō)明本專利技術(shù)的濺鍍裝置的I個(gè)實(shí)施例中的基本構(gòu)成。本專利技術(shù)的I個(gè)實(shí)施例的濺鍍裝置100具有:背墊板7、將靶材5固定在背墊板7的固定部13、及包圍靶材5的周圍的護(hù)罩14。固定部13通過(guò)螺絲等緊固零件312而被固定在背墊板7，以將靶材5按壓在背墊板7上。背墊板7由熱傳導(dǎo)性的觀點(diǎn)來(lái)看，可具有導(dǎo)電性薄片等。靶材5是被曝露在通過(guò)放電所發(fā)生的電漿，因此其溫度會(huì)上升而膨脹。因此，固定部13是可以容許靶材5發(fā)生膨脹的方式固定靶材5。護(hù)罩14是以覆蓋固定部13的方式被配置在靶材5的周圍。藉此，固定部13的溫度上升可受到抑制。背墊板7可通過(guò)絕緣構(gòu)件10而被固定在腔室壁I。背墊板7是可連同腔室壁I 一起構(gòu)成處理容器。濺鍍裝置100構(gòu)成為在通過(guò)腔室壁I而由外部空間隔開(kāi)的處理空間12中通過(guò)濺鍍而在基板S上形成膜。具體而言，因通過(guò)被供予至保持基板S的基板保持部4與背墊板7之間的電壓所引起的放電所發(fā)生的離子會(huì)沖撞靶材5，藉此粒子由靶材5放出。這些粒子沉積在基板S之上而在基板S之上形成膜。來(lái)自靶材5的粒子是除了基板S以外，亦可沉積在護(hù)罩14上而形成沉積物。處理空間12是通過(guò)被設(shè)在腔室壁I的排氣口 3，通過(guò)例如渦輪分子泵的排氣裝置2排氣而被排空。可通過(guò)未圖示的氣體供給單元而將濺鍍氣體(例如氬)供給到處理空間12。濺鍍裝置100是可具備對(duì)靶材5的周圍提供磁場(chǎng)的磁鐵8，可構(gòu)成為磁控濺鍍裝置。磁鐵8是可以通過(guò)磁鐵8與靶材5包夾背墊板7的方式進(jìn)行配置。靶材5整個(gè)亦可以靶材料構(gòu)成。但是靶材5亦可具有將靶材料以焊材等接合在與背墊板7相接觸的板構(gòu)件(例如以無(wú)氧銅所構(gòu)成的板構(gòu)件)之上的構(gòu)成。以下，除了圖1以外，參照?qǐng)D2說(shuō)明本專利技術(shù)的第I實(shí)施例的濺鍍裝置。護(hù)罩14具有開(kāi)口部0P。靶材5可具有:被配置在護(hù)罩14的開(kāi)口部OP的內(nèi)側(cè)的本體部MB、及包圍本體部MB的凸緣部FL。凸緣部FL具有:背墊板7側(cè)的面亦即第I面51、及與第I面51的相反側(cè)的面亦即第2面52。固定部13可構(gòu)成為通過(guò)將靶材5的周邊部亦即凸緣部FL按壓在背墊板7來(lái)將靶材5固定在背墊板7上。護(hù)罩14具有:沒(méi)有介于其間的固定部13而與背墊板7相面對(duì)的面對(duì)部141、及在面對(duì)部141的外側(cè)形成的外側(cè)部142。在此，外側(cè)部142相對(duì)于開(kāi)口部OP被配置在面對(duì)部141的外側(cè)。沒(méi)有介與其間的固定部13而與背墊板7相面對(duì)的面對(duì)部141與背墊板7之間的間隔Gl較佳為小于外側(cè)部142與背墊板7之間的間隔G2。此是有效于用以防止例如由靶材5所放出的粒子通過(guò)護(hù)罩14與靶材5之間的間隙而至固定部13而沉積在固定部13上。此外，此是有利于用以將護(hù)罩14的面對(duì)部141接近于背墊板7，此有效于用以減低因由靶材5所放出的粒 子而對(duì)在面對(duì)部141上形成沉積物。其中，若靶材5通過(guò)固定部13而被安裝在背墊板7時(shí)，在已去除靶材5的狀態(tài)下，將沒(méi)有介于其間的固定部13而與背墊板7相面對(duì)的部位設(shè)為面對(duì)部141。此外，護(hù)罩14中面向處理空間12的內(nèi)面SI較佳為包含以內(nèi)面SI與背墊板7之間的距離Dl由外本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種濺鍍裝置，具有：背墊板、用以將靶材固定在所述背墊板的固定部、及包圍所述靶材的周圍的護(hù)罩，該濺鍍裝置在處理空間中通過(guò)濺鍍而在基板上形成膜，其特征為：所述護(hù)罩具有開(kāi)口部，所述固定部構(gòu)成為通過(guò)將所述靶材的周邊部按壓在所述背墊板上，將所述靶材固定在所述背墊板上，所述護(hù)罩具有：沒(méi)有介于其間的所述固定部而與所述背墊板相面對(duì)的面對(duì)部、及在所述面對(duì)部的外側(cè)形成的外側(cè)部，在所述面對(duì)部與所述背墊板之間的間隔小于所述外側(cè)部與所述背墊板之間的間隔，以及所述護(hù)罩的面向所述處理空間的內(nèi)面包含以所述內(nèi)面與所述背墊板的距離隨著由所述外側(cè)部朝向所述面對(duì)部減小的方式呈傾斜的部分。

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】2011.12.12 JP 2011-2716631.一種濺鍍裝置，具有:背墊板、用以將靶材固定在所述背墊板的固定部、及包圍所述靶材的周圍的護(hù)罩，該濺鍍裝置在處理空間中通過(guò)濺鍍而在基板上形成膜，其特征為: 所述護(hù)罩具有開(kāi)口部， 所述固定部構(gòu)成為通過(guò)將所述靶材的周邊部按壓在所述背墊板上，將所述靶材固定在所述背墊板上， 所述護(hù)罩具有:沒(méi)有介于其間的所述固定部而與所述背墊板相面對(duì)的面對(duì)部、及在所述面對(duì)部的外側(cè)形成的外側(cè)部，在所述面對(duì)部與所述背墊板之間的間隔小于所述外側(cè)部與所述背墊板之間的間隔，以及 所述護(hù)罩的面向所述處理空間的內(nèi)面包含以所述內(nèi)面與所述背墊板的距離隨著由所述外側(cè)部朝向所述面對(duì)部減小的方式呈傾斜的部分。2.如權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其中，所述固定部在所述處理空間側(cè)的面包含以所述固定部的該面與所述背墊板的距離朝向所述開(kāi)口部的內(nèi)側(cè)減小的方式呈傾斜的部分， 所述護(hù)罩的與所述內(nèi)面為相反側(cè)的面是包含以所述護(hù)罩的該面與所述背墊板的距離由所述外側(cè)部朝向所述面對(duì)部減小的方式呈傾斜的部分。3.如權(quán)利要求1或2所述的濺鍍裝置，其中，所述面對(duì)部包含朝向所述背墊板突出的突出部。4.如權(quán)利要求3所述的濺鍍裝置，其中，所述濺鍍裝置另外具備有靶材， 所述靶材具有:被配置在所述開(kāi)口部的內(nèi)側(cè)的本體部；及包圍所述本體部的凸緣部，以及 所述靶材在所述凸緣部具有環(huán)狀凹部，所述突出部與所述凹部相面對(duì)。5.如權(quán)利要求1-4之一所述的濺鍍裝置，其中，所述護(hù)罩包含在遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部的方向厚度變厚的部分。6.如權(quán)利要求1-5之一所述的濺鍍裝置，其中，所述護(hù)罩的面向所述處理空間的內(nèi)面在遠(yuǎn)離所述開(kāi)口...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：石原繁紀(jì)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：佳能安內(nèi)華股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：日本;JP