用于濺射腔室的靶材組件、濺射裝置以及濺鍍方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術公開了一種用于濺射腔室的靶材組件，所述靶材組件包括按第一方向排列的n個第一靶材，以及按與第一方向互相垂直的第二方向排列的兩個第二靶材，其中，至少部分第一靶材位于所述兩個第二靶材之間；并且，每一第一靶材以及每一第二靶材由功率源分別控制；其中，n≥2。本發(fā)明專利技術還公開了一種包含前述靶材組件的濺射裝置和采用該濺射裝置對玻璃基板進行濺鍍的方法。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開了一種用于濺射腔室的靶材組件，所述靶材組件包括按第一方向排列的n個第一靶材，以及按與第一方向互相垂直的第二方向排列的兩個第二靶材，其中，至少部分第一靶材位于所述兩個第二靶材之間；并且，每一第一靶材以及每一第二靶材由功率源分別控制；其中，n≥2。本專利技術還公開了一種包含前述靶材組件的濺射裝置和采用該濺射裝置對玻璃基板進行濺鍍的方法。【專利說明】
本專利技術涉及物理氣相沉積
，尤其涉及一種改善鍍層均勻性的靶材組件的設計，以及包含該靶材組件的濺射裝置和采用該濺射裝置對玻璃基板進行濺鍍的方法。
技術介紹
派鍍(sputter)是一種物理氣相沉積(PhysicalVapor Deposition, PVD)工藝，其物理現(xiàn)象表現(xiàn)為在一相對穩(wěn)定真空狀態(tài)下，陰陽極間產生輝光放電，極間氣體分子被離子化而產生帶電電荷，其中正離子受陰極之負電位加速運動而撞擊陰極上之靶材，將其原子等粒子濺出，此濺出之原子則沉積于陽極之基板上而形成薄膜。目前，在制備液晶面板的過程中，在玻璃基板上進行成膜制程時，一般都采用PVD濺鍍工藝。如圖1所示，現(xiàn)有的靶材組件50設計為按平行于玻璃基板短邊的方向并行排列的多個相同的靶材501組成，功率源向所述靶材組件中不同的單一靶材分別提供電壓。這種結構的靶材組件導致在對玻璃基板濺鍍的過程中，玻璃基板長邊方向的邊緣在成膜時無法優(yōu)化，影響了玻璃基板成膜的均一性，給設計與制程改善造成瓶頸。特別是當液晶面板的尺寸越來越越大時，需要在基板上成膜的面積也較大時，這種不均一性更加明顯。因此，設計一種靶材組件使得在對玻璃基板進行濺鍍時得到較高均一性的薄膜，具有十分重要的意義。
技術實現(xiàn)思路
鑒于現(xiàn)有技術存在的不足，本專利技術目的是提供一種用于濺射腔室的靶材組件，主要用于在液晶面板的加 工工藝中對玻璃基板進行濺鍍，改善在玻璃基板上獲得的薄膜的均勻性。為了實現(xiàn)上述目的，本專利技術采用了如下的技術方案:一種用于濺射腔室的靶材組件，所述靶材組件包括按第一方向排列的η個第一靶材，以及按與第一方向互相垂直的第二方向排列的兩個第二靶材，其中，至少部分第一靶材位于所述兩個第二靶材之間；并且，每一第一靶材以及每一第二靶材由功率源分別控制；其中，η≥2。優(yōu)選地，所述第二靶材沿所述第一方向延伸，直至與第I個第一靶材的始端和第η個第一靶材的末端平齊，即，全部的第一靶材均位于該兩個第二靶材之間；其中的始端和末端是沿第一方向看齊的。優(yōu)選地，n ^ 3 ;所述第二靶材沿所述第一方向延伸，直至與第2個第一靶材的始端和第n-Ι個第一靶材的末端平齊，即，第2至第n-Ι個第一靶材均位于該兩個第二靶材之間；第I和第η個第一靶材沿所述第二方向延伸，直至與第I個第二靶材的上端和第2個第二靶材的下端平齊，即，兩個第二靶材均位于第I和第η個第一靶材之間；其中的始端和末端是沿第一方向看齊的，上端和下端是沿第二方向看齊的。優(yōu)選地，該靶材組件用于在液晶面板的加工工藝中，對玻璃基板進行濺鍍；其中，所述第一方向平行于玻璃基板的長邊，所述第二方向平行于玻璃基板的短邊。優(yōu)選地，所述第二靶材由按第一方向排列的多個第三靶材組成。優(yōu)選地，η的取值為12。優(yōu)選地，所有的第一靶材具有相等的寬度，所有的第二靶材具有相等的寬度，所有的第三靶材具有相等的長度。優(yōu)選地，第一靶材的寬度不小于第二靶材的寬度；第三靶材的長度與第一靶材的寬度相等。本專利技術的另一方面是提供一種濺射裝置，包括:濺射腔室，所述濺射腔室中至少設置有靶材背板和基板支撐件，所述靶材背板和基板支撐件相對設置，所述靶材背板上安裝有如前所述的靶材組件；功率源，用于向所述靶材組件提供電壓；其中，所述靶材組件中的每一單一靶材由所述功率源分別控制。本專利技術還提供了一種濺鍍方法，用于在液晶面板的加工工藝中，采用如上所述的濺射裝置對玻璃基板進行濺鍍，包括:將玻璃基板 放置于所述基板支撐件上；由所述功率源向所述靶材組件提供電壓對所述玻璃基板進行濺鍍；其中，所述功率源向所述靶材組件中不同的單一靶材分別提供電壓，以在所述玻璃基板上獲得均勻的鍍層。優(yōu)選地，所述功率源向位于所述靶材組件的中間位置的靶材提供相同的第一電壓，向位于所述靶材組件的邊緣位置的靶材提供相同的第二電壓；其中，中間位置的靶材是指第2至第n-Ι個第一靶材，邊緣位置的靶材是指第I個第一靶材、第η個第一靶材以及兩個第二祀材，并且第一電壓小于第二電壓。相比于現(xiàn)有技術，本專利技術提供的靶材組件，在縱向和橫向上都設置有由功率源單一控制的靶材，在對基板濺鍍成膜時，可對多個鍍膜方向優(yōu)化，尤其是在基板的邊緣部分。通過功率源對邊緣部分的靶材提供的電壓進行優(yōu)化，使得在基板上，在邊緣部分獲得與中間部分較為均一的薄膜，提升了產品的品質以及工藝的良率。【專利附圖】【附圖說明】圖1是現(xiàn)有的一種靶材組件的結構示意圖。圖2是本專利技術實施例提供的濺射裝置的結構框圖。圖3是本專利技術實施例1提供的靶材組件的結構示意圖。圖4是本專利技術實施例2提供的靶材組件的結構示意圖。圖5是本專利技術實施例3提供的靶材組件的結構示意圖。圖6是本專利技術實施例4提供的靶材組件的結構示意圖。【具體實施方式】如前所述，本專利技術目的是提供一種用于濺射腔室的靶材組件和濺射裝置，主要用于在液晶面板的加工工藝中對玻璃基板進行濺鍍，改善在玻璃基板上獲得的薄膜的均勻性。具體地，參閱附圖2-6，本實施例提供的濺射裝置包括:濺射腔室1，所述濺射腔室I中至少設置有靶材背板30和基板支撐件20，所述靶材背板30和基板支撐件20相對設置，所述靶材背板20上安裝有靶材組件10 ;功率源2，用于向所述靶材組件10提供電壓。一般的，所述濺射腔室I都為真空腔室，通過與外部的抽真空裝置連接，保持一個相對穩(wěn)定真空狀態(tài)。其中的靶材組件10的結構可參閱附圖3-6，該靶材組件包括:按第一方向(如附圖中的X方向)排列的η個第一靶材101，以及按與第一方向互相垂直的第二方向(如附圖中的Y方向)排列的兩個第二靶材102，其中，至少部分第一靶材101位于所述兩個第二靶材102之間；并且，每一第一靶材101以及每一第二靶材102由功率源2分別控制；其中，η > 2。如上所述的濺射裝置用于在液晶面板的加工工藝中對玻璃基板進行濺鍍，可以概括為包括:首先將玻璃基板40放置于所述基板支撐件30上，其中，上述第一方向平行于玻璃基板40的長邊，第二方向平行于玻璃基板40的短邊。然后由所述功率源2向所述靶材組件10提供電壓對所述玻璃基板40進行濺鍍；其中，所述功率源2向所述靶材組件10中不同的單一靶材分別提供電壓，以在所述玻璃基板40上獲得均勻的鍍層。 具體的，為了使得在玻璃基板40上，在邊緣部分獲得與中間部分較為均一的薄膜，所述功率源2向位于所述靶材組件10的中間位置的靶材提供相同的第一電壓，向位于所述靶材組件10的邊緣位置的靶材提供相同的第二電壓；其中，中間位置的靶材是指第2至第n-Ι個第一靶材101，邊緣位置的靶材是指第I個第一靶材101、第η個第一靶材101以及兩個第二靶材102，并且第一電壓小于第二電壓。為了使本專利技術的目的、技術方案以及優(yōu)點更加清楚明白，下面將結合附圖用實施例對本專利技術提供的靶材組件做進一步說明。實施例1如圖3所示，本實施例中的靶材組件10包括:沿X方向并行排列的12個(本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于濺射腔室的靶材組件，其特征在于，所述靶材組件(10)包括按第一方向排列的n個第一靶材(101)，以及按與第一方向互相垂直的第二方向排列的兩個第二靶材(102)，其中，至少部分第一靶材(101)位于所述兩個第二靶材(102)之間；并且，每一第一靶材(101)以及每一第二靶材(102)由功率源(2)分別控制；其中，n≥2。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：柴立，張正義，陳一翔，
申請(專利權)人：深圳市華星光電技術有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44