本技術(shù)涉及一種單層電容器劃切后的清洗裝置，包括清洗槽；所述清洗槽底部設(shè)有與其內(nèi)部連通的清洗液排放管，用于排放清洗液；所述清洗槽內(nèi)部放置清洗支架；所述清洗支架頂面開設(shè)有多個(gè)貫通的濾網(wǎng)孔；所述濾網(wǎng)孔設(shè)有濾網(wǎng)；所述濾網(wǎng)將所述濾網(wǎng)孔覆蓋，用于放...

本技術(shù)涉及一種用于測(cè)量陶瓷基板濺射層電阻的設(shè)備，包括支架；所述支架設(shè)有Y軸直線電機(jī)；所述Y軸直線電機(jī)的Y軸滑塊設(shè)有X軸直線電機(jī)；所述X軸直線電機(jī)的X軸滑塊設(shè)有測(cè)量氣缸；所述測(cè)量氣缸設(shè)有測(cè)量探頭，測(cè)量探頭與電阻測(cè)量?jī)x連接，用于測(cè)量濺射層電...

本發(fā)明公開了一種MIM結(jié)構(gòu)的陶瓷電容器及生產(chǎn)方法，陶瓷電容器包括介質(zhì)層，設(shè)于介質(zhì)層底端的第一金屬層，和設(shè)于介質(zhì)層頂端均勻排列的若干個(gè)第二金屬層，各第二金屬層的截面呈正梯形，在電容器生產(chǎn)時(shí)，會(huì)對(duì)上電極頂面面積進(jìn)行限制，即對(duì)第二金屬層頂面面...

本技術(shù)涉及一種用于電子元器件絕緣電阻測(cè)試的裝置，包括測(cè)量座及與設(shè)置在測(cè)量座上方的下壓裝置；所述測(cè)量座包括底座；所述底座頂面設(shè)有PCB板，用于連接測(cè)量?jī)x器，測(cè)試所述電子元器件的絕緣電阻；所述PCB板頂面設(shè)有放置板；所述放置板均布多個(gè)元器件...

本技術(shù)涉及一種用于MLCC的端電極涂覆裝置，包括涂覆工作臺(tái)、涂覆架、放置架和放置臺(tái)；涂覆工作臺(tái)頂面開設(shè)有涂覆槽；涂覆架包括涂覆底框；涂覆底框可放置在涂覆槽內(nèi)；放置架包括放置框；放置框頂面左、右兩側(cè)均設(shè)有支撐臂；支撐臂長(zhǎng)度大于涂覆底框?qū)挾?..

本技術(shù)涉及一種用于PCB板金手指的氧化層刺破裝置，包括底座；底座頂面左側(cè)開設(shè)有貫通的刺破孔，右側(cè)設(shè)有凸起的阻擋臺(tái)；阻擋臺(tái)和刺破孔間的底座頂面滑動(dòng)設(shè)置有滑塊；滑塊朝阻擋臺(tái)一側(cè)側(cè)面設(shè)有導(dǎo)柱；阻擋臺(tái)朝滑塊一側(cè)側(cè)面開設(shè)有滑動(dòng)孔；導(dǎo)柱遠(yuǎn)離滑塊一側(cè)...

本發(fā)明屬于陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陶瓷介質(zhì)材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供的陶瓷介質(zhì)材料，包括以下質(zhì)量份數(shù)的組分：100份基料，1.65～8.5份改性劑，7～9份燒結(jié)助劑；所述基料為Sr<subgt;1?x</sub...

本發(fā)明公開了一種低損耗高可靠X7F型抗還原陶瓷介質(zhì)材料及其制備方法，具體涉及電介質(zhì)材料技術(shù)領(lǐng)域。所述介質(zhì)材料由包括主材料BaTiO<subgt;3</subgt;和輔助材料和燒結(jié)助劑組成，所述輔助材料包括：R1、R2、R3和...

本發(fā)明屬于陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種微波陶瓷材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供的微波陶瓷材料，包括以下質(zhì)量百分含量的組分：77.93～83.84wt％CaMg(Zr0.05Si1.95)O6，11.27～12.12wt％SrxBa(...

本發(fā)明公開了一種適用于高頻的低介電低損耗LTCC瓷料及其制備方法，具體涉及電子元器件領(lǐng)域。所述方法包括：先將原料使用干法混合均勻，球磨混合結(jié)束后將料篩出，高溫熔制，在高溫狀態(tài)下于去離子水中冷淬玻璃渣，烘干后再次研磨烘干，過篩，得到玻璃粉...

本發(fā)明提供一種沾涂制備柔性端電極的方法以及多層陶瓷電容器，涉及多層陶瓷電容器技術(shù)領(lǐng)域，制備方法中將燒端完成的產(chǎn)品中兩端金屬化底層的底端沾涂柔性電極漿料，柔性電極漿料包覆所述金屬化底層中底端的下表面以及側(cè)面底部；然后將柔性電極漿料烘干，得...

本發(fā)明公開一種柔性端電極制備方法及多層陶瓷電容器，屬于電子元件制造技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：S1、將產(chǎn)品的端部浸入漿料；S2、保持浸入狀態(tài)，將所述產(chǎn)品相對(duì)于所述漿料進(jìn)行多邊形軌跡移動(dòng)；S3、將所述產(chǎn)品向遠(yuǎn)離所述漿料方向移動(dòng)，直至所述產(chǎn)品的...

本技術(shù)公開了一種提高M(jìn)LCC疊層錯(cuò)位精度的識(shí)別結(jié)構(gòu)，屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域，其技術(shù)要點(diǎn)是：所述識(shí)別結(jié)構(gòu)設(shè)置在電極膜片一側(cè)，所述識(shí)別結(jié)構(gòu)關(guān)于所述電極膜片對(duì)稱設(shè)置，電極膜片設(shè)置在承載機(jī)構(gòu)的一側(cè)，承載機(jī)構(gòu)用于帶動(dòng)所述電極膜片的識(shí)別結(jié)構(gòu)移動(dòng)，電極膜...

本發(fā)明提供了一種單層芯片瓷介電容器及其制備方法和應(yīng)用，屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的單層芯片瓷介電容器包括依次疊層設(shè)置的Au層、阻擋層、第一TiW層、陶瓷基板、第二TiW層與Pt層，所述阻擋層包括NiV層，所述Au層的厚度≤2000n...

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種介電常數(shù)可調(diào)的低損耗LTCC瓷料及其制備方法，屬于電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，所述低損耗LTCC瓷料按百分含量計(jì)包括以下原料：玻璃粉30?70％、α?Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3&...

本技術(shù)公開了一種用于MLCC的供料檢測(cè)定位輸出集成裝置，涉及MLCC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。該用于MLCC的供料檢測(cè)定位輸出集成裝置包括安裝板組件、直振送料組件、檢測(cè)組件、對(duì)中定位組件與多吸嘴移料組件；直振送料組件、檢測(cè)組件以及對(duì)中定位組件在安裝...

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種具有高耐焊接熱性能的金屬支架電容器及制造方法。所述方法包括：制備片式電容器端電極，所述片式電容器端電極包括第一基材和第一鍍層，所述第一鍍層設(shè)置在第一基材的表面；制備金屬極板，所述金屬極板包括第二基材和第二鍍層，所述...

本申請(qǐng)公開了一種方墩形片式多層陶瓷電容器姿態(tài)校正碼放設(shè)備及方法，設(shè)備的機(jī)架底板組件上方中間沿著長(zhǎng)度方向設(shè)置有X方向雙動(dòng)子直線運(yùn)動(dòng)模組組件，機(jī)架底板組件上方位于X方向雙動(dòng)子直線運(yùn)動(dòng)模組組件的前面從左到右依次設(shè)置有第一工業(yè)相機(jī)組件、柔性振動(dòng)...

本技術(shù)公開了一種用于電容器測(cè)試機(jī)的測(cè)試盤，涉及電容器測(cè)試機(jī)配件的技術(shù)領(lǐng)域，包括測(cè)試盤本體和容納槽，測(cè)試盤本體沿周向均布有若干個(gè)容納槽，容納槽用于容納待測(cè)電容器產(chǎn)品，且待測(cè)電容器產(chǎn)品的頂面不超過容納槽的深度，且滾輪電極能夠與待測(cè)電容器產(chǎn)品...

本發(fā)明屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種金端多層陶瓷電容器及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供的金端多層陶瓷電容器的制備方法，包括以下步驟：將瓷粉漿料流延得到空白膜片；在空白膜片表面通過絲網(wǎng)印刷內(nèi)電極漿料，得到介質(zhì)膜片；將所述空白膜片和介質(zhì)膜片...