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一種多晶硅薄膜層淀積方法，包括：提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料層，各材料層位于不同區(qū)域，或者，至少兩個所述基底表面形成有不同的材料層；將所述基底放入反應(yīng)腔；往所述反應(yīng)腔內(nèi)通入預(yù)淀積氣體，進(jìn)行預(yù)淀積，在所述基底上形成第一多晶硅薄膜層...該專利屬于上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司授權(quán)不得商用。