多晶硅薄膜層淀積方法技術

一種多晶硅薄膜層淀積方法，包括：提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料層，各材料層位于不同區域，或者，至少兩個所述基底表面形成有不同的材料層；將所述基底放入反應腔；往所述反應腔內通入預淀積氣體，進行預淀積，在所述基底上形成第一多晶硅薄膜層；其中所述預淀積氣體包括稀釋氣體和含硅氣體，所述含硅氣體的體積比為1%-50%，所述預淀積氣體的流速為100-1000sccm；往所述反應腔內通入主淀積氣體，進行主淀積，在所述第一多晶硅薄膜層上形成第二多晶硅薄膜層，所述主淀積氣體為含硅氣體或包括含硅氣體與稀釋氣體。通過該多晶硅薄膜層淀積方法，可以得到厚度精確和厚度均一的多晶硅薄膜層。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種多晶硅薄膜層淀積方法，其特征在于，包括：提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料層，各材料層位于不同區域，或者，至少兩個所述基底表面形成有不同的材料層；將所述基底放入反應腔；往所述反應腔內通入預淀積氣體，進行預淀積，在所述基底上形成第一多晶硅薄膜層；其中所述預淀積氣體包括稀釋氣體和含硅氣體，所述含硅氣體的體積比為1%?50%，所述預淀積氣體的流速為100?1000sccm；往所述反應腔內通入主淀積氣體，進行主淀積，在所述第一多晶硅薄膜層上形成第二多晶硅薄膜層，所述主淀積氣體為含硅氣體或包括含硅氣體與稀釋氣體。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：許忠義，
申請(專利權)人：上海宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：