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本發(fā)明提供一種在用于寫入速度改善的多比特同時寫入中，實(shí)現(xiàn)減少存儲單元的位置的偏差的寫入的電阻變化型非易失性存儲裝置。該電阻變化型非易失性存儲裝置具有：多個位線、多個字線、多個存儲單元、第一寫入電路（例如，寫入電路（60-0））、第二寫入電路...該專利屬于松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社授權(quán)不得商用。