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本發明公開了一種光電陣列器件平面化接地方法，包括如下步驟：(1)在襯底上依次生長下接觸層、有源區和上接觸層；(2)通過光刻形成臺面圖案，陡直刻蝕出內部像素；(3)刻蝕出用于將下電極引至臺面以上的緩坡；(4)淀積金屬電極層；(5)淀積互聯金屬...該專利屬于無錫沃浦光電傳感科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過無錫沃浦光電傳感科技有限公司授權不得商用。
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