溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

本發明提供了一種DRAM存儲器省電方法，包括以下步驟：T0時刻DRAM接收激活指令；T1時刻關斷多出的行地址接收器及對應解碼電路；TA時刻接收讀或寫操作指令，進行讀或寫操作；TB時刻接收預充指令，執行預充指令；TB+1時刻再次打開所有行地址...
該專利屬于西安華芯半導體有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過西安華芯半導體有限公司授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。