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本發(fā)明涉及一種氟化鎂晶體的制備方法及生長設(shè)備，所述生長設(shè)備包括爐膛，所述爐膛的上方和下方分別設(shè)有氣體進(jìn)出的通孔，所述爐膛的上方設(shè)有用于打撈晶體生長產(chǎn)生的雜質(zhì)的開口。所述氟化鎂晶體的制備方法包括以下步驟：設(shè)置參數(shù)，在氟化鎂晶體制備過程中，爐膛...該專利屬于北京雷生強(qiáng)式科技有限責(zé)任公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過北京雷生強(qiáng)式科技有限責(zé)任公司授權(quán)不得商用。