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本發明涉及一種激光技術制備二氧化錫半導體薄膜及其微結構缺陷湮滅的實驗工藝，屬于半導體薄膜制備工藝技術領域。二氧化錫是近年來引起廣泛關注的一種n-型半導體功能材料，在微電子工業、光電子器件以及太陽能電池等領域具有廣泛的應用前景。利用脈沖激光沉...
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